一种发光二极管外延片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型层。应力释放层包括多个周期交替生长的GaN层和InGaN层，每个InGaN层中的In组分沿InGaN层的生长方向先逐渐增大，再逐渐减小。则每个InGaN层的靠近GaN层的部分的In组分较低，可以使得InGaN层与GaN层之间的晶格更匹配，从而可以减少InGaN层与GaN层之间产生的压应力，提高应力释放层的晶体质量，进而提高LED的发光效率。同时每个InGaN层的中部In组分含量较高，可以有效释放N型层与有源层之间的压应力。

A Light Emitting Diode Epitaxy Sheet and Its Manufacturing Method

The invention discloses a light emitting diode epitaxy sheet and a manufacturing method thereof, which belongs to the field of semiconductor technology. Epitaxial wafers include substrates, buffer layers stacked on substrates in turn, undoped GaN layers, N-type layers, stress release layers, active layers, electronic barrier layers and P-type layers. The stress release layer consists of GaN layer and InGaN layer which grow alternately in several periods. The In component in each InGaN layer increases first and then decreases gradually along the growth direction of InGaN layer. However, the InGaN component near the GaN layer in each InGaN layer is lower, which can make the lattice between the InGaN layer and the GaN layer more matched, thus reducing the compressive stress between the InGaN layer and the GaN layer, improving the crystal quality of the stress release layer, and thus improving the luminescence efficiency of the LED. At the same time, the content of In component in the middle of each InGaN layer is higher, which can effectively release the compressive stress between the N-type layer and the active layer.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管外延片及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。外延片是LED中的主要构成部分，现有的GaN基LED外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层。当外延层有电流通过时，P型层的空穴与N型层的电子会向有源层移动，并在有源层进行复合发光。部分外延片还包括设置在N型层和有源层之间的应力释放层，应力释放层通常包括多个周期交替生长的GaN层和InGaN层。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：应力释放层虽然可以释放N型层和有源层之间的应力，但是由于应力释放层中的GaN层和InGaN层之间的晶格失配度较大，因此，应力释放层内部同样也会产生压应力，使得生长出的应力释放层的晶体质量较差，从而导致LED的发光效率较低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型层，所述应力释放层包括多个周期交替生长的GaN层和InGaN层，其特征在于，每个所述InGaN层中的In组分沿所述InGaN层的生长方向先逐渐增大，再逐渐减小。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型层，所述应力释放层包括多个周期交替生长的GaN层和InGaN层，其特征在于，每个所述InGaN层中的In组分沿所述InGaN层的生长方向先逐渐增大，再逐渐减小。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InGaN层为InxGa1-xN层，0.02≤x≤0.05。3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InxGa1-xN层中的In组分由0.02～0.025逐渐增大至0.04～0.05，再由0.04～0.05逐渐减小至0.02～0.025。4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述应力释放层的周期数为6～10。5.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述GaN层与所述InG...

【专利技术属性】
技术研发人员：程丁，周飚，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33