一种LED结构制造技术

本实用新型专利技术提出了一种LED结构，涉及LED制作技术领域。该LED结构包括模板层、预应力层、N型氮化物层、量子阱层以及P型氮化物层，模板层、预应力层、N型氮化物层、量子阱层以及P型氮化物层逐层面连接，预应力层用于调控LED结构的应力。本实用新型专利技术实提出的LED结构具有提高了光提取效率的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种LED结构
本技术涉及LED制作
，具体而言，涉及一种LED结构。
技术介绍
基于A1GaN材料的深紫外发光二极管(UVLED,ultravioletlight-emittingdiode)在生化探测、杀菌消毒、聚合物固化、无线通讯及白光照明等诸多领域有着广阔的应用前景，同时有着低电压、低功耗、小巧轻便、绿色环保、波长可调、迅速切换等众多优点，因而近年来受到越来越多的研究者的关注和重视。目前深紫外LED的发光效率还普遍较低(1％-3％)，尤其是波长在UV-B(290-320nm)、UV-C(200-290nm)波段的深紫外LED。远低于可见光LED和近紫外LED(40％-50％)的发光效率，而制约高铝氮化物基深紫外LED发光效率的主要因素之一是光提取效率低。有鉴于此，如何解决上述问题，是本领域技术人员关注的重点。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种LED结构，以解决现有技术中深紫外LED的发光效率低的问题。为了实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：本技术实施例提出了一种LED结构，所述LED结构包括模板层、预应力层、N型氮化物层、量子阱层以及P型氮化物层，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED结构，其特征在于，所述LED结构包括模板层、预应力层、N型氮化物层、量子阱层以及P型氮化物层，所述模板层、所述预应力层、所述N型氮化物层、所述量子阱层以及所述P型氮化物层逐层面连接，所述预应力层用于调控所述LED结构的应力。

【技术特征摘要】
1.一种LED结构，其特征在于，所述LED结构包括模板层、预应力层、N型氮化物层、量子阱层以及P型氮化物层，所述模板层、所述预应力层、所述N型氮化物层、所述量子阱层以及所述P型氮化物层逐层面连接，所述预应力层用于调控所述LED结构的应力。2.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述预应力层包括周期性排布的AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层，其中，x与y的值均大于或等于0.4。3.如权利要求2所述的LED结构，其特征在于，所述预应力层包括多个AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层，所述AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层交替排布，且x与y的值逐层增大，或逐层减小，或先增大后减小或先减小后增大。4.如权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王君君，陈志涛，刘宁炀，何晨光，王巧，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：新型
国别省市：广东,44