小直径晶片的制造方法技术

提供新的小直径晶片的制造方法，能够提高生产率，同时也能够抑制品质的降低。该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且一个面被加工成镜面的晶片的一个面上包覆第1保护部件，在晶片的另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有第1保护部件和第2保护部件的晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将第1保护部件和第2保护部件从小直径晶片去除。

Manufacturing Method of Small Diameter Wafer

Providing new manufacturing methods for small-diameter wafers can improve productivity and inhibit quality degradation. The manufacturing method of the small diameter wafer includes the following procedures: the protection component coating process, which covers the first protection component on one side of the wafer having one surface and another side and one side is processed into a mirror surface, and the second protection component on the other side of the wafer; and the cutting process, which cuts several small diameter wafers from the wafer with the first protection component and the second protection component. The chamfering process is to chamfer the periphery of small diameter wafer, and to remove the first and second protective parts from the small diameter wafer.

【技术实现步骤摘要】
小直径晶片的制造方法
本专利技术涉及小直径晶片的制造方法，从一张晶片制造出直径较小的多个小直径晶片。
技术介绍
在以移动电话、个人计算机为代表的电子设备中，包含集成电路等器件的器件芯片成为必须的构成要素。器件芯片例如如下得到：利用多条分割预定线(间隔道)对由硅等半导体材料形成的晶片的正面侧进行划分，在各区域形成器件之后，沿着该分割预定线对晶片进行分割，由此得到器件芯片。近年来，为了提高器件芯片的生产率，使用直径为12英寸(约300mm)以上的晶片(以下称为大口径晶片)生产器件芯片的方式成为主流。另一方面，在对大口径晶片进行加工而生产器件芯片时，需要与其直径相对应的大型的装置。由此，例如当在生产少量的器件芯片时使用大口径晶片时，有时反而会使器件芯片的价格变高。针对该问题，研究了如下的新的生产系统：使用直径为3英寸(约75mm)左右的直径较小的晶片(以下称为小直径晶片)来生产少量的器件芯片。在该生产系统中，与小直径晶片的尺寸相应地，各种装置也小型化，因此能够实现生产系统的低成本化、省空间化。另外，在该生产系统中使用的小直径晶片例如通过从上述的大口径晶片切出的方法进行制造(例如，参照专利文献1)。用于制造小直径晶片的具体的顺序例如如下所述。首先进行磨削工序，对大口径晶片的背面侧进行磨削，使该大口径晶片薄化至期望的厚度。接着，利用激光束对已薄化的大口径晶片进行加工而切出多个小直径晶片。然后，对所切出的小直径晶片的外周部进行倒角。另外，对已倒角的小直径晶片的正面进行蚀刻和抛光而加工成镜面。之后对该小直径晶片进行清洗。专利文献1：日本特开2014-110411号公报但是，在上述那样的小直径晶片的制造方法中，需要一张一张地对所切出的多个小直径晶片进行抛光而加工成镜面，因此无法充分提高生产率。另外，在对小直径晶片进行加工时，也会担心在其正面上产生刮伤或附着异物而降低小直径晶片的品质。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供新的小直径晶片的制造方法，能够提高生产率，同时也能够抑制品质的降低。根据本专利技术的一个方式，提供小直径晶片的制造方法，其中，该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且该一个面被加工成镜面的晶片的该一个面上包覆第1保护部件，在该晶片的该另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有该第1保护部件和该第2保护部件的该晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对该小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将该第1保护部件和该第2保护部件从该小直径晶片去除。在本专利技术的一个方式中，也可以是，在所述切出工序中，对所述晶片照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，从而切出多个所述小直径晶片。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，在所述切出工序中，按照将对于所述晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部的方式对该晶片照射该激光束而在该晶片的内部形成改质层，从而切出多个所述小直径晶片。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，在所述切出工序中，通过取芯钻挖通所述晶片，从而切出多个所述小直径晶片。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，在所述切出工序中，将所述第1保护部件或所述第2保护部件的相当于所述小直径晶片的轮廓的部分去除，并将该第1保护部件或该第2保护部件作为掩模而进行等离子蚀刻，从而切出多个该小直径晶片。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，该小直径晶片的制造方法还具有如下的磨削工序：在将所述第2保护部件包覆在所述晶片的所述另一个面上之前，对该晶片的该另一个面侧进行磨削而使该晶片薄化至规定的厚度。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，该小直径晶片的制造方法还具有如下的标记形成工序：在从所述晶片切出所述小直径晶片之前，在该晶片的所述一个面或所述另一个面上形成表示该小直径晶片的晶体取向的标记。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，该小直径晶片的制造方法还具有如下的拾取工序：在从所述晶片切出所述小直径晶片之后，对该小直径晶片进行拾取。另外，在本专利技术的一个方式中，也可以是，该小直径晶片的制造方法还具有如下的清洗工序：在将所述第1保护部件和所述第2保护部件从所述小直径晶片去除之后，对该小直径晶片进行清洗。在本专利技术的一个方式的小直径晶片的制造方法中，从一个面预先被加工成镜面的晶片切出多个小直径晶片，因此无需将切出的小直径晶片加工成镜面。即，不必一张一张地将所切出的多个小直径晶片加工成镜面，因此可提高小直径晶片的生产率。另外，在本专利技术的一个方式的小直径晶片的制造方法中，按照在晶片的一个面上包覆有第1保护部件、在另一个面上包覆有第2保护部件的状态从晶片切出多个小直径晶片，因此可将当切出时使小直径晶片刮伤或附着异物的可能性抑制得较低。即，能够抑制小直径晶片的品质的降低。附图说明图1是示意性示出晶片的结构例的立体图。图2的(A)是示意性示出在晶片的第1面上包覆有第1保护部件的状态的立体图，图2的(B)是示意性示出在晶片的第2面上包覆有第2保护部件的状态的立体图。图3是示意性示出在晶片的将要成为小直径晶片的区域形成表示晶体取向的标记的情况的立体图。图4是示意性示出从晶片切出小直径晶片的情况的立体图。图5是示意性示出对小直径晶片进行拾取的情况的立体图。图6是示意性示出对小直径晶片的外周部进行倒角的情况的立体图。图7是示意性示出去除了第1保护部件和第2保护部件后的小直径晶片的立体图。图8是示意性示出利用第1变形例的切出工序从晶片切出小直径晶片的情况的立体图。图9是示意性示出利用第2变形例的切出工序将第2保护部件的一部分去除的情况的立体图。图10是示意性示出利用第2变形例的切出工序从晶片切出小直径晶片的情况的立体图。标号说明11：晶片；11a：第1面(一个面)；11b：第2面(另一个面)；11c：凹口；13、13a：第1保护部件；15、15a：第2保护部件；17：切出预定线；19：移动预定线；21：标记形成预定线；23：小直径晶片；23a：第1面(一个面)；23b：第2面(另一个面)；23c：标记；2：激光照射单元；4：磨具；4a：侧面；6：取芯钻；8：激光照射单元；L1、L2：激光束。具体实施方式参照附图，对本专利技术的一个方式的实施方式进行说明。本实施方式的小直径晶片的制造方法包含：保护部件包覆工序(参照图2的(A)和图2的(B))、标记形成工序(参照图3)、切出工序(参照图4)、拾取工序(参照图5)、倒角工序(参照图6)、保护部件去除工序(参照图7)以及清洗工序。在保护部件包覆工序中，对被加工成镜面的晶片的第1面(一个面)包覆第1保护部件，对与该第1面相反的一侧的第2面(另一个面)包覆第2保护部件。在标记形成工序中，在晶片的第2面侧的作为小直径晶片的区域形成表示晶体取向的标记。在切出工序中，从包覆有第1保护部件和第2保护部件的晶片切出多个小直径晶片。在拾取工序中，对从晶片切出的小直径晶片进行拾取。在倒角工序中，对小直径晶片的外周部进行倒角。在保护部件去除工序中，将第1保护部件和第2保护部件从小直径晶片去除。在清洗工序中，对小直径晶片进行清洗。以下，对本实施方式的小直径晶片的制造方法进行详细叙述。图1是示意性示出在本实施方式的小直径晶片的制造方法中使用的晶片11的结构例的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种小直径晶片的制造方法，其特征在于，该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且该一个面被加工成镜面的晶片的该一个面上包覆第1保护部件，在该晶片的该另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有该第1保护部件和该第2保护部件的该晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对该小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将该第1保护部件和该第2保护部件从该小直径晶片去除。

【技术特征摘要】
2017.11.14 JP 2017-2188421.一种小直径晶片的制造方法，其特征在于，该小直径晶片的制造方法包含如下的工序：保护部件包覆工序，在具有一个面和另一个面并且该一个面被加工成镜面的晶片的该一个面上包覆第1保护部件，在该晶片的该另一个面上包覆第2保护部件；切出工序，从包覆有该第1保护部件和该第2保护部件的该晶片切出多个小直径晶片；倒角工序，对该小直径晶片的外周部进行倒角；以及保护部件去除工序，将该第1保护部件和该第2保护部件从该小直径晶片去除。2.根据权利要求1所述的小直径晶片的制造方法，其特征在于，在所述切出工序中，对所述晶片照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，从而切出多个所述小直径晶片。3.根据权利要求1所述的小直径晶片的制造方法，其特征在于，在所述切出工序中，按照将对于所述晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部的方式对该晶片照射该激光束而在该晶片的内部形成改质层，从而切出多个所述小直径晶片。4.根据权利要求1所述的小直径晶片的制造方法，其特征在于，在所述切出工序中，通过取芯钻挖通所述晶片，从而切出多个所述小直径晶片。5.根据权利要求1所述的小直径晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀田秀儿，松崎荣，伊藤祝子，有福法久，冷雪青，川合章仁，小笠原舞，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP