晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备，涉及半导体制造技术领域，其中，该晶圆传送装置包括传送腔、氮气输出器，以及设置在传送腔入口处的密闭闸门；氮气输出器用于在晶圆进入传送腔的过程中，至密闭闸门关闭之前，向传送腔充入氮气，且使传送腔内的气压高于传送腔外的气压。解决了现有技术中存在的水汽及微尘颗粒掉落在晶圆上导致晶圆的产品良率下降的技术问题，能够改善产品的良率。

Control methods of wafer conveyor and wafer conveyor and wafer processing equipment

The invention provides a wafer conveyor, a control method of the wafer conveyor and a wafer processing device, which relates to the field of semiconductor manufacturing technology, in which the wafer conveyor comprises a conveyor chamber, a nitrogen output device and a closed gate arranged at the entrance of the conveyor chamber; and a nitrogen output device is used for directing the wafer into the conveyor chamber during the process of entering the conveyor chamber until the closed gate is closed. The conveying chamber is filled with nitrogen, and the pressure in the conveying chamber is higher than that outside the conveying chamber. The invention solves the technical problems existing in the prior art that the drop of water vapor and dust particles on the wafer results in the decline of the product yield of the wafer, and can improve the product yield.

【技术实现步骤摘要】
晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备
本专利技术涉及半导体制造
，尤其是涉及一种晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备。
技术介绍
刻蚀是半导体制造工艺中的重要步骤，在对晶圆进行刻蚀前后，需要对晶圆进行传送，然而现有的机台传送技术对在晶圆的传送过程中，例如从大气与真空的传送转换路径上，经常会有水汽及微尘颗粒进入机台的腔体，晶圆在腔体做抽真空的时候，根据水的三相图原理，由于水汽在真空状态下会瞬间结冻在产生气化导致晶圆在刻蚀前后会产生腐蚀作用。而且机台运行时间越长，水汽及微尘颗粒掉落在传送的晶圆上，对晶圆的腐蚀更严重。由于水汽及微尘颗粒(Particle)会掉落在传送的晶圆上，影响晶圆的产品良率。此外，在传送的时间上会因为水汽的增加导致抽气效率变慢，影响晶圆的产出。综上所述，传统的机台传送技术存在水汽及微尘颗粒掉落在晶圆上导致产品良率下降的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种晶圆传送装置，以缓解现有技术中传统的机台传送技术中存在的水汽及微尘颗粒掉落在晶圆上导致晶圆的产品良率下降的技术问题，能够改善产品的良率。第一方面，本专利技术实施例提供了一种晶圆传送装置，包括：传送腔，作为大气与真空的转换通道，连接大气空间和真空空间，用于临时放置待传送的晶圆；氮气输出器，连接氮气供应装置以及所述传送腔，用于向所述传送腔充入氮气；以及密闭闸门，设置在所述传送腔的入口处；其中，在晶圆进入所述传送腔的过程中，至所述密闭闸门关闭之前，所述氮气输出器向所述传送腔充入氮气，使所述传送腔内的气压高于所述传送腔外的气压。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，该晶圆传送装置还包括抽真空器，所述抽真空器的抽气口设置在所述传送腔的内部，用于在所述密闭闸门关闭之后，抽取所述传送腔内的气体，使所述传送腔内处于真空状态。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，该晶圆传送装置还包括机械手臂，所述机械手臂设置在所述传送腔的外部，用于将晶圆置入所述传送腔。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，该晶圆传送装置还包括驱动器，所述驱动器设置在所述传送腔的内部，用于将所述传送腔内的晶圆传送至所述传送腔的出口。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，该晶圆传送装置还包括传感器，所述传感器设置在所述传送腔的内部，用于检测所述传送腔内的晶圆。第二方面，本专利技术实施例还提供一种如第一方面及其可能的实施方式中任一项所述的晶圆传送装置的控制方法，包括：提供第一方面所述的晶圆传送装置；开启所述氮气输出器，向所述传送腔充入氮气，使所述传送腔内的气压高于所述传送腔外的气压；在所述传送腔内的气压高于所述传送腔外的气压的状态下，将晶圆置入所述传送腔；关闭所述密闭闸门；关闭所述氮气输出器。结合第二方面，本专利技术实施例提供了第二方面的第一种可能的实施方式，其中，该晶圆传送装置的控制方法还包括：在关闭所述密闭闸门后，开启抽真空器，抽取所述传送腔内的气体，使所述传送腔内处于真空状态。结合第二方面，本专利技术实施例提供了第二方面的第二种可能的实施方式，其中，该晶圆传送装置的控制方法还包括：当所述传送腔内处于真空状态，开启驱动器，将所述传送腔内的晶圆传送至所述传送腔的出口。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种晶圆加工设备，包括：晶圆存储装置、真空传送装置，以及如第一方面及其可能的实施方式中任一项所述的晶圆传送装置；所述晶圆传送装置设置在所述晶圆存储装置与所述真空传送装置之间。结合第三方面，本专利技术实施例提供了第三方面的第一种可能的实施方式，其中，该晶圆加工设备还包括干式刻蚀装置，与所述真空传送装置连接。本专利技术实施例带来了以下有益效果：本专利技术实施例提供了一种晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备，其中，该晶圆传送装置包括传送腔、氮气输出器，以及设置在传送腔入口处的密闭闸门；氮气输出器用于在晶圆进入传送腔的过程中，至密闭闸门关闭之前，向传送腔充入氮气，且使传送腔内的气压高于所述传送腔外的气压。因此，本专利技术实施例提供的技术方案涉及半导体干式刻蚀设备的晶圆传送方式的改良，通过氮气输出器在晶圆进入传送腔的过程中，至密闭闸门关闭之前，向传送腔内充入氮气，且使传送腔内的气压高于传送腔外的气压，而且将传送腔保持在纯氮气的环境下，使传送腔保持在无水汽状态，从而避免了晶圆由于传统的传送方式引入的水汽与晶圆产生反应，能够有效降低晶圆因传统传送方式而造成的水汽及微尘颗粒进入腔体附着在晶圆上，避免晶圆在做腔体抽真空时因为水汽在真空状态下会瞬间结冻在产生气化导致晶圆在刻蚀前后产生的腐蚀，从而改善半导体机台对于晶圆刻蚀前后水汽的腐蚀作用，杜绝因传送而造成的腐蚀，同时能够增加晶圆传送效率，该装置一方面可完全防堵水汽和微尘颗粒，有效杜绝晶圆真空与大气传送转换的损失，同时能够改善晶圆的洁净度，提高制程良率。另一方面，减少晶圆抽真空的时间，进而增加晶圆的产出。此外，该晶圆传送装置能够降低设备维护人员对机台的维护，减轻其工作负担，减少机台保养大量的额外费用，延长零件的使用寿命，减少零件的更换，提高机台稼动率，还可以减少拆装过程中造成的零件的损坏率，节省成本。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的晶圆传送装置的结构示意图。图2为本专利技术实施例提供的另一种晶圆传送装置的结构示意图。图3为本专利技术实施例提供的晶圆传送装置的控制方法的流程示意图。图4为本专利技术实施例提供的另一种晶圆传送装置的控制方法的流程示意图。图5为本专利技术实施例提供的晶圆加工设备的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。目前现行的晶圆传送中在蚀刻前后水汽及微尘颗粒掉落在制程所定义的范围上，导致晶圆在量测线宽(CD，CriticalDimension)及外形轮廓(profile)会有腐蚀(erosion)的状况，使晶圆良率降低，基于此，本专利技术实施例提供的一种晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备，可以有效的降低甚至杜绝在蚀刻前后产生的水汽及微尘颗粒，有效改善晶圆腐蚀的几率，提高晶圆的良率，以及提升晶圆出货的效率。为便于对本实施例进行理解，首先对本专利技术实施例所公开的一种晶圆传送装置进行详细介绍。实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆传送装置，其特征在于，包括：传送腔，作为大气与真空的转换通道，连接大气空间和真空空间，用于临时放置待传送的晶圆；氮气输出器，连接氮气供应装置以及所述传送腔，用于向所述传送腔充入氮气；以及密闭闸门，设置在所述传送腔的入口处；其中，在晶圆进入所述传送腔的过程中，至所述密闭闸门关闭之前，所述氮气输出器向所述传送腔充入氮气，使所述传送腔内的气压高于所述传送腔外的气压。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆传送装置，其特征在于，包括：传送腔，作为大气与真空的转换通道，连接大气空间和真空空间，用于临时放置待传送的晶圆；氮气输出器，连接氮气供应装置以及所述传送腔，用于向所述传送腔充入氮气；以及密闭闸门，设置在所述传送腔的入口处；其中，在晶圆进入所述传送腔的过程中，至所述密闭闸门关闭之前，所述氮气输出器向所述传送腔充入氮气，使所述传送腔内的气压高于所述传送腔外的气压。2.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，还包括抽真空器，所述抽真空器的抽气口设置在所述传送腔的内部，用于在所述密闭闸门关闭之后，抽取所述传送腔内的气体，使所述传送腔内处于真空状态。3.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，还包括机械手臂，所述机械手臂设置在所述传送腔的外部，用于将晶圆置入所述传送腔。4.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，还包括驱动器，所述驱动器设置在所述传送腔的内部，用于将所述传送腔内的晶圆传送至所述传送腔的出口。5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶圆传送装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34