用于太阳能电池的金属化结构制造技术

本发明专利技术描述了具有导电触点的太阳能电池。在某个实例中，太阳能电池包括：设置在基板上方的保护层，其中所述保护层包含接触孔；设置在所述保护层上方的第一金属层，其中所述第一金属层穿过接触孔电连接到基板；设置在所述第一金属层上方的第二金属层以及设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间的键合区域，其中所述键合区域位于所述保护层的无接触孔的区域的上方。

Metallized Structure for Solar Cells

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于太阳能电池的金属化结构
技术介绍
光伏(PV)电池(常被称为太阳能电池)是用于将太阳辐射转化为电能的装置。一般来讲，照射在太阳能电池基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p型掺杂区和n型掺杂区，从而在掺杂区域之间形成电压差。将掺杂区连接到太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至外部电路。当将PV电池组合在诸如PV模块的阵列中时，从所有的PV电池收集的电能可以按串联和并联布置加以组合，以提供具有某一电压和电流的电源。提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍需要的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。附图说明图1示出了根据一些实施例的制造太阳能电池的示例性方法的流程示意图。图2示出了根据一些实施例的在形成保护层之后的太阳能电池制造中的阶段，该保护层形成于太阳能电池的基板上方。图3示出了根据一些实施例的在图案化保护层之后的图2的结构。图4示出了根据一些实施例的在基板上方形成第一金属层之后的图3的结构。图5示出了根据一些实施例的在第一金属层上方形成第二金属层之后的图4的结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，包括：设置在基板上方的保护层，其中所述保护层包括接触孔；设置在所述保护层上方的第一金属层，其中所述第一金属层通过所述接触孔电连接至所述基板；设置在所述第一金属层上方的第二金属层；以及设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间的键合区域，其中所述键合区域位于所述保护层的无接触孔的区域的上方。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.01 US 15/201,3611.一种太阳能电池，包括：设置在基板上方的保护层，其中所述保护层包括接触孔；设置在所述保护层上方的第一金属层，其中所述第一金属层通过所述接触孔电连接至所述基板；设置在所述第一金属层上方的第二金属层；以及设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间的键合区域，其中所述键合区域位于所述保护层的无接触孔的区域的上方。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括设置在所述保护层和所述基板之间的半导体区域。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述半导体区域是多晶硅区域。4.根据权利要求2所述的太阳能电池，进一步包括形成在所述半导体区域和所述基板之间的介电层。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中所述介电层是隧穿氧化硅。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括：设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间的另一键合区域，其中所述另一键合区域位于所述保护层的无接触孔的区域的上方。7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中所述键合区域和所述另一键合区域之间的间距大约小于或等于5毫米。8.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括：所述保护层内的另一接触孔，其中所述键合区域位于所述接触孔和所述另一接触孔之间。9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中所述接触孔和所述另一接触孔之间的间隙距离大约小于或等于0.5毫米。10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述键合区域是金属焊接区域或热键合区域。11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述保护层是绝缘层、介电层、钝化层或抗反射涂层。12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述保护层包括氮化硅、二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化铝或聚酰亚胺。13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一金属层包含约小于或等于400纳米的厚度。14.一种太阳能电池，包括：半导体区域，所述半导体区域设置在基板中或基板上方；设置在所述半导体区域上方的保护层，其中所述保护层包括接触孔；设置在所述半导体区域上方的金属晶种层，其中接触区域将所述金属晶种层电连接至所述半导体区域；...

【专利技术属性】
技术研发人员：马蒂厄·穆尔斯，金泰锡，尼尔斯彼得·哈德，
申请(专利权)人：太阳能公司，道达尔销售服务公司，
类型：发明
国别省市：美国,US