半导体装置以及电力变换装置制造方法及图纸

一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板(52)，在上表面和下表面具有导体层(51、53)，在上表面的导体层(51)搭载有半导体元件(4)；底板(1)，与下表面的导体层(53)接合；壳体部件(2)，包围绝缘基板(52)，被粘接于底板(1)的接合有下表面的导体层(53)的面；作为硅组合物的第一填充材料(9)，被填充于由底板(1)和壳体部件(2)包围的区域；以及作为比第一填充材料(9)硬的硅组合物的第二填充材料(10)，在区域内的第一填充材料(9)的下部包围绝缘基板(52)的周缘部，该第二填充材料被填充于从底板(1)起的高度比上表面高且比上表面的导体层(51)的与半导体元件(4)的接合面低的区域。

Semiconductor devices and power conversion devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及电力变换装置
本专利技术涉及用填充材料密封了功率半导体元件的半导体装置的填充构造以及使用该半导体装置的电力变换装置。
技术介绍
为了应对高电压和大电流而将通电路径设为元件的纵向的类型的半导体元件一般被称为功率半导体元件(例如IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、双极性晶体管、二极管等)。功率半导体元件被安装于电路基板上并被填充材料封装的半导体装置被用于产业设备、汽车、铁路等广泛的领域。近年来，伴随搭载有半导体装置的设备的高性能化，额定电压以及额定电流的增加、使用温度范围的扩大(高温化、低温化)这样的针对半导体装置的高性能化的要求变高。关于这样的半导体装置的封装构造，被称为壳体型的封装构造是主流，使用壳体型的封装构造的半导体装置的构造是在散热用底板(baseplate)上，隔着在绝缘基板的一个表面上具有表面电极图案且在另一个表面上具有背面电极图案而构成的绝缘电路基板，安装有功率半导体元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板，在上表面和下表面具有导体层，在所述上表面的所述导体层搭载有半导体元件；底板，与所述下表面的所述导体层接合；壳体部件，包围所述绝缘基板，被粘接于所述底板的接合有所述下表面的所述导体层的面；作为硅组合物的第一填充材料，被填充于由所述底板和所述壳体部件包围的区域；以及作为比所述第一填充材料硬的硅组合物的第二填充材料，在所述区域内的所述第一填充材料的下部包围所述绝缘基板的周缘部，被填充于从所述底板起的高度比所述上表面高且比所述上表面的所述导体层的与所述半导体元件的接合面低的区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.21 JP 2016-1840611.一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板，在上表面和下表面具有导体层，在所述上表面的所述导体层搭载有半导体元件；底板，与所述下表面的所述导体层接合；壳体部件，包围所述绝缘基板，被粘接于所述底板的接合有所述下表面的所述导体层的面；作为硅组合物的第一填充材料，被填充于由所述底板和所述壳体部件包围的区域；以及作为比所述第一填充材料硬的硅组合物的第二填充材料，在所述区域内的所述第一填充材料的下部包围所述绝缘基板的周缘部，被填充于从所述底板起的高度比所述上表面高且比所述上表面的所述导体层的与所述半导体元件的接合面低的区域。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二填充材料的粘度是0.5Pa·s以上且20Pa·s以下。3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，从所述导体层露出的所述绝缘基板的沿面距离为1mm以上，被填充了所述第二填充材料的所述底板至所述绝缘基板的下表面的沿面部的距离为0.3mm以上且1mm以下。4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述壳体部件与所述绝缘基板的间隔为2mm以上且10mm以下。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田启行，原田耕三，盐田裕基，山口义弘，山田浩司，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP