电阻存储器件制造技术

本发明专利技术是一种电阻存储器件，属于微电子技术及信息存储领域。其结构主要包含下电极、相变介质层、中间电极、氧化物层及上电极，其特点是器件具有双极性电阻阻变效应，可以实现电学信息的记录和读出。本发明专利技术提出的电阻存储器件制备工艺简单、性能稳定，并且具有较高的开关均匀性。

【技术实现步骤摘要】
电阻存储器件
本专利技术涉及信息存储
，特别是微电子技术中电阻存储器件及

技术介绍
近年来，以Flash闪存为代表的非挥发性存储器件能够满足多媒体应用、移动通讯等对大容量、低功耗的需要而占据了半导体器件的主流市场。但是随着对存储器需求的不断提高和半导体技术尺寸节点的发展，当前闪存技术仍存在操作电压大、操作速度慢、耐久力不足够好等诸多缺点，特别是由于器件尺寸的缩小过程中存储功能层不断变薄导致隧穿效应增加和信息保持时间不够长。目前存储领域开始研究新型非挥发性存储器件以替代传统的闪存技术，其中阻变存储器（RRAM）有望克服现存闪存技术中的诸多缺点成为目前新型非挥发性存储器件的研究重点方向。RRAM存储单元具有“电极/存储功能层/电极”三明治式的基本结构，在两电极上施加操作电压可以使得电存储功能层的电阻在高、低阻态之间可逆转变，因此可以实现信息的记录和读出。RRAM能够满足半导体工艺技术代的特征尺寸4F2单元面积，因此可以实现高密度存储。目前实现高密度存储最简单有效的方法是基于RRAM存储单元交叉阵列架构。然而在大量存储单元构成的交叉阵列中遇到严重的存储单元间的读串扰问题，即本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻存储器件，其特征在于，包括:沉积在衬底上的下电极；沉积于该下电极之上的氧化物功能薄膜；沉积于该氧化物功能薄膜极之上的中间电极，沉积于中间电极之上相变介质薄膜层；以及沉积于该相变介质薄膜层之上的上电极。

【技术特征摘要】
1.一种电阻存储器件，其特征在于，包括:沉积在衬底上的下电极；沉积于该下电极之上的氧化物功能薄膜；沉积于该氧化物功能薄膜极之上的中间电极，沉积于中间电极之上相变介质薄膜层；以及沉积于该相变介质薄膜层之上的上电极。2.根据权利要求1所述的一种电阻存储器件，所述衬底为玻璃、硅片、SiO2、ITO导电玻璃或PET基底中的一种。3.根据权利要求1所述的一种电阻存储器件，其下电极为ITO导电膜、Ag、Cu、Al、Pt、Ti、W、TiW中的一种；形成下电极的方法为用磁控溅射、物理或化学气相沉积工艺在衬底上沉积50-100nm厚度的金属层。4.根据权利要求1所述的一种电阻存储器件，其沉积于下电极之上的氧化物功能薄膜层为CuO、WO3、TiO2、Al2O3、ZnO、MgO、BiFeO3中的一种；形成氧化物膜的方法为利用磁控溅射、物理或化学气相沉积工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟凤潇，刘素娟，刘楠楠，郝蕴琦，王东琳，杨坤，
申请(专利权)人：郑州轻工业学院，
类型：发明
国别省市：河南,41