一种DMOS器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及晶体管技术领域，具体涉及一种DMOS器件及其制造方法，其中该器件包括半导体衬底，还包括：设置在衬底上的外延层、形成在外延层内的有P型体区以及P型体区内的N型源区；P型体区表面设置有多条沟槽；还包括形成在多条沟槽表面的栅极区域以及形成在栅极区域上的第一金属层、设置在栅极区域和第一金属层之间的介质层和设置在N型源区上的第二金属层。该器件可以有效减少该DMOS器件的导通电阻，改善器件在开关过程中栅漏电荷的积累和释放速度，改善了器件的短路性能，从而有效解决了低导通功率损失与低开关损失之间冲突的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种DMOS器件及其制造方法
本专利技术涉及晶体管
，具体涉及一种DMOS器件及其制造方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)材料和(GaN)材料是宽禁带半导体材料，是继以硅为第一代半导体和以砷化镓为第二代半导体材料之后迅速发展起来的新型半导体材料。SiC半导体材料具有宽带隙、高饱和漂移速度、高导热率、高临界击穿电场等突出优点，特别适合制作大功率、高温、高压、抗辐照电子器件，因此SiC功率器件的制备是目前业界研究的热点，是市场急需开发出的电力电子器件。目前的SiC功率器件主要存在的问题之一是低导通功率损失与低开关损失之间的冲突关系，具体为表现为现有技术中的DMOS器件在开关过程中功率损耗和导通电阻大。
技术实现思路
为了解决现有技术中功率器件存在的功率损耗和导通电阻大的技术问题，本申请提供一种DMOS器件及其制造方法。一种DMOS器件,包括半导体衬底，还包括：设置在所述衬底上的外延层，所述外延层内形成有P型体区以及位于所述P型体区内的N型源区；所述P型体区表面设置有多条沟槽；设置在所述多条沟槽表面的栅极区域以及形成在所述栅极区域上的第一金属层，形成栅极；设置在所述栅极区域和第一金属层之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DMOS器件,包括半导体衬底，其特征在于，还包括：设置在所述衬底上的外延层，所述外延层内形成有P型体区以及位于所述P型体区内的N型源区；所述P型体区表面设置有多条沟槽；设置在所述多条沟槽表面的栅极区域以及形成在所述栅极区域上的第一金属层，形成栅极；设置在所述栅极区域和第一金属层之间的介质层；设置在所述N型源区上的第二金属层，形成源极。

【技术特征摘要】
1.一种DMOS器件,包括半导体衬底，其特征在于，还包括：设置在所述衬底上的外延层，所述外延层内形成有P型体区以及位于所述P型体区内的N型源区；所述P型体区表面设置有多条沟槽；设置在所述多条沟槽表面的栅极区域以及形成在所述栅极区域上的第一金属层，形成栅极；设置在所述栅极区域和第一金属层之间的介质层；设置在所述N型源区上的第二金属层，形成源极。2.如权利要求1所述的DMOS器件，其特征在于，所述P型体区包括第一P型体区和第二P型体区；所述N型源区包括第一N型源区和第二N型源区，所述第一N型源区和第二N型源区分别位于所述第一P型体区和第二P型体区的端部。3.如权利要求2所述的DMOS器件，其特征在于，所述第一P型体区和第二P型体区上表面均设有多条所述沟槽，所述沟槽沿着所述P型体区内和N型源区之间电流流向设置。4.如权利要求3所述的DMOS器件，其特征在于，还包括：设置在所述半导体衬底背面的第三金属层，形成漏极。5.如权利要求1所述的DMOS器件，其特征在于，所述介质层为氮化硅层或二氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信南，董宁钢，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东,44