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本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种DMOS器件及其制造方法，其中该器件包括半导体衬底，还包括：设置在衬底上的外延层、形成在外延层内的有P型体区以及P型体区内的N型源区；P型体区表面设置有多条沟槽；还包括形成在多条沟槽表面的栅极区域以及形...
该专利属于北京大学深圳研究生院所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学深圳研究生院授权不得商用。

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