显示面板及其制作方法技术

本申请提出了一种显示面板及其制作方法，提供一衬底，在所述衬底上依次形成有源层、第一绝缘层及第一金属层；在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺；对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺；对所述第一光阻层进行灰化处理；对所述第一金属层进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层形成第一栅极和第二栅极；在所述第一栅极及所述第二栅极上形成源漏极。本申请通过一道光罩工艺同时完成有源层、栅极层及栅绝缘层的图案化处理，简化了显示面板的制作工艺，提高了制程效率，降低了生产成本，提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。在现有AMOLED显示面板中，驱动发光的阵列层的膜层较多，因此需要进行光罩的次数较多，不仅增加时间以及物料成本，工艺的复杂性也使得良率受到影响。
技术实现思路
本申请提供一种显示面板及其制作方法，以解决现有显示面板工艺复杂的技术问题。为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：本申请提出了一种显示面板的制作方法，其包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成有源层、第一绝缘层及第一金属层；在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺；对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺；对所述第一光阻层进行灰化处理；对所述第一金属层进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层形成第一栅极和第二栅极；在所述第一栅极及所述第二栅极上形成源漏极。在本申请的制作方法中，在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺的步骤包括：在所述第一金属层上形成所述第一光阻层；利用一多段式掩膜版，对所述第一光阻层曝光及显影处理；其中，图案化处理后的所述第一光阻层包括第一光阻区和第二光阻区，所述第一光阻区包括第一光阻子区域和第二光阻子区域，所述第二光阻区包括第三光阻子区域和第四光阻子区域，第一光阻子区域、第二光阻子区域、第三光阻子区域、及第四光阻子区域的厚度不相同。在本申请的制作方法中，所述第一光阻区包括一所述第一光阻子区域和两所述第二光阻子区域，所述第二光阻子区域位于所述第一光阻子区域的两侧；所述第二光阻区包括一所述第三光阻子区域和一所述第四光阻子区域，所述第三光阻子区域位于所述第四光阻子区域的一侧。在本申请的制作方法中，所述第一光阻子区域的厚度大于所述第二光阻子区域的厚度；所述第三光阻子区域的厚度大于所述第四光阻子区域的厚度。在本申请的制作方法中，对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺的步骤包括：对所述第一金属层进行第一湿法蚀刻工艺，图案化处理后的所述第一金属层包括第一金属区和第二金属区；对所述第一绝缘层进行第一干法蚀刻工艺，图案化处理后的所述第一绝缘层包括第一绝缘区和第二绝缘区；对所述有源层进行第二湿法蚀刻工艺，图案化处理后的所述有源层包括第一有源区和第二有源区；所述第一有源区、第一金属区及所述第一绝缘区与第一光阻区对应；所述第二有源区、第二金属区及所述第二绝缘区与第二光阻区对应。在本申请的制作方法中，对所述第一光阻层进行灰化处理的步骤包括：使用等离子体对第一光阻区及第二光阻区内的光阻进行灰化处理，去除第二光阻子区域和第四光阻子区域内的光阻，并使第一光阻子区域和第三光阻子区域内光阻的厚度减薄。在本申请的制作方法中，对所述第一金属层进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层形成第一栅极和第二栅极的步骤包括：利用第三湿法蚀刻工艺去除第一金属区内未被光阻所覆盖的所述第一金属层以形成所述第一栅极、以及去除第二金属区内未被光阻所覆盖的所述第一金属层以形成所述第二栅极；利用第二干法蚀刻工艺去除第一绝缘区内未被光阻所覆盖的所述第一绝缘层以形成所述第一栅绝缘层、以及去除第二绝缘区内未被光阻所覆盖的所述第一绝缘层以形成所述第二栅绝缘层；所述第一栅极及所述第一栅绝缘层位于第一有源区上；所述第二栅极及所述第二栅绝缘层位于第二有源区上。在本申请的制作方法中，在所述第一栅极及所述第二栅极上形成源漏极的步骤包括：在所述第一栅极及所述第二栅极上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成第一过孔和第二过孔；在所述第二绝缘层上形成第二金属层；对所述第二金属层使用第三蚀刻工艺，使所述第二金属层形成第一源漏极和第二源漏极；所述第一过孔位于第二光阻子区域所对应的所述第二绝缘层上，所述第二过孔位于第四光阻子区域所对应的所述第二绝缘层上；所述第一源漏极通过所述第一过孔与第一有源区电连接；所述第二源漏极通过所述第二过孔与第二有源区电连接。在本申请的制作方法中，所述第二源漏极、所述第二栅极以及所述第二有源区形成所述显示面板的存储电容。本申请提出了一种显示面板，其中，所述显示面板采用上述的制作方法制成。有益效果：本申请通过一道光罩工艺同时完成有源层、栅极层及栅绝缘层的图案化处理，简化了显示面板的制作工艺，提高了制程效率，降低了生产成本，提高了产品的良率。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请显示面板制作方法的步骤图；图2A～2F为本申请显示面板制作方法的工艺图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。请参阅图1，图1为本申请显示面板100制作方法的步骤图。请参阅图2A～2F，图2A～2F为本申请显示面板100制作方法的工艺图。所述制作方法包括：S10、提供一衬底10，在所述衬底10上依次形成有源层30、第一绝缘层40及第一金属层50；请参阅图2A，步骤S10包括：S101、提供一衬底10；所述衬底10的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。在一种实施例中，所述衬底10还可以为柔性基板。所述柔性基板的材料可以为PI(聚酰亚胺)。S102、在所述衬底10上形成一缓冲层20；所述缓冲层20形成于所述阻挡层上，主要用于缓冲膜层质结构之间的压力，并且还可以具有一定阻水氧的功能。在一种实施例中，所述缓冲层20的厚度为400纳米。S103、在所述缓冲层20上形成一有源层30；在一种实施例中，所述有源层30的材料可以为铟镓锌氧化物(IGZO)。S104、在所述有源层30上形成一第一绝缘层40；所述第一栅绝缘层41形成于所述有源层30上。所述第一栅绝缘层41将所述有源层30覆盖，所述第一栅绝缘层41主要用于将所述有源层30与位于所述有源层30上的金属层隔离。在一种实施例中，所述第一绝缘层40为栅绝缘层。在一种实施例中，所述第一绝缘层40的材料可以为三氧化二铝、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。S105、在所述第一绝缘层40上形成一第一金属层50；所述第一金属层50形成于所述第一绝缘层40上。所述第一金属层50的金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属中的一种，也可以使用上述几种金属材料的组合物。在一种实施例中，所述第一金属层50的材料可以为钼。S20、在所述第一金属层50上形成第一光阻层60，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺；请参阅图2B，步骤S20包括：S201、在所述第一金属层50上形成所述第一光阻层60；在一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成有源层、第一绝缘层及第一金属层；在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺；对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺；对所述第一光阻层进行灰化处理；对所述第一金属层进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层形成第一栅极和第二栅极；在所述第一栅极及所述第二栅极上形成源漏极。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成有源层、第一绝缘层及第一金属层；在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺；对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺；对所述第一光阻层进行灰化处理；对所述第一金属层进行第二蚀刻工艺，使得所述第一金属层形成第一栅极和第二栅极；在所述第一栅极及所述第二栅极上形成源漏极。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一金属层上形成第一光阻层，对所述第一光阻层进行第一光罩工艺的步骤包括：在所述第一金属层上形成所述第一光阻层；利用一多段式掩膜版，对所述第一光阻层曝光及显影处理；其中，图案化处理后的所述第一光阻层包括第一光阻区和第二光阻区，所述第一光阻区包括第一光阻子区域和第二光阻子区域，所述第二光阻区包括第三光阻子区域和第四光阻子区域，第一光阻子区域、第二光阻子区域、第三光阻子区域、及第四光阻子区域的厚度不相同。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一光阻区包括一所述第一光阻子区域和两所述第二光阻子区域，所述第二光阻子区域位于所述第一光阻子区域的两侧；所述第二光阻区包括一所述第三光阻子区域和一所述第四光阻子区域，所述第三光阻子区域位于所述第四光阻子区域的一侧。4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一光阻子区域的厚度大于所述第二光阻子区域的厚度；所述第三光阻子区域的厚度大于所述第四光阻子区域的厚度。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述有源层、所述第一绝缘层及所述第一金属层进行第一次蚀刻工艺的步骤包括：对所述第一金属层进行第一湿法蚀刻工艺，图案化处理后的所述第一金属层包括第一金属区和第二金属区；对所述第一绝缘层进行第一干法蚀刻工艺，图案化处理后的所述第一绝缘层包括第一绝缘区和第二绝缘区；对所述有源层进行第二湿法蚀刻工艺，图案化处理后的所述有源层包括第一有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐甲，任章淳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44