显示面板的制作方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例是关于一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。主要采用的技术方案为：基板，所述基板具有第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，所述方法包括：在所述第一表面沉积阵列层；在所述第二表面沉积覆晶薄膜层；在所述基板的侧表面设置连接线，并将所述连接线的两端分别连接所述阵列层和所述覆晶薄膜层。本发明专利技术实施例中的阵列层设置在基板的第一表面，而覆晶薄膜层设置在基板的第二表面，其中，第二表面是基板上和第一表面相背的表面，与此同时，基板的侧表面设置有分别电连接阵列层和覆晶薄膜层的连接线，从而实现了显示面板的无边框设计。

【技术实现步骤摘要】
显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
本专利技术实施例涉及显示
，特别是涉及一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
显示面板主要包括：阵列层(TFT：ThinFilmTransistor)和覆晶薄膜层(COF：ChipOnFilm)，阵列层具有用于进行显示的显示区。其中，阵列层电连接至覆晶薄膜层的驱动芯片，覆晶薄膜层将驱动芯片的信号传输给阵列层，以使显示区进行显示。如今，消费者对显示面板的外观追求简洁化，但是由于显示面板结构的组成形式，以及其整体强度要求、可靠性要求、光学架构等因素限制，导致显示面板需要边框来遮盖基板上的覆晶薄膜层，而这与消费者所追求的简洁化相悖。为此，该问题亟需解决。
技术实现思路
本专利技术实施例的主要目的在于，提供一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置，使得显示面板无边框。本专利技术实施例的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。第一方面，本专利技术实施例提出了一种显示面板的制作方法，其包括：基板，所述基板具有第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，所述方法可以包括：在所述第一表面沉积阵列层；在所述第二表面沉积覆晶薄膜层；在所述基板的侧表面设置连接线，并将所述连接线的两端分别连接所述阵列层和所述覆晶薄膜层。本专利技术实施例的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。在本专利技术实施例中，所述在所述第二表面沉积覆晶薄膜层之前，还可以包括：在所述阵列层上涂覆钼树脂保护层；在所述第二表面沉积覆晶薄膜层之后，还包括：将所述钼树脂保护层灰化或者刻蚀去除。在本专利技术实施例中，所述在所述第一表面沉积阵列层，可以包括：在所述第一表面依次沉积半导体层、栅极绝缘层、栅极层、绝缘层、第一金属层及第一平坦层，通过刻蚀工艺，在所述第一平坦层形成暴露所述第一金属层的多个第一过孔；在所述第一平坦层上沉积第二金属层；在所述第二金属层上沉积第一像素电极层；将所述第一像素电极层和所述连接线的一端连接。在本专利技术实施例中，所述在所述第二金属层上沉积所述第一像素电极层，可以包括：在所述第二金属层上沉积第二金属保护层；通过刻蚀工艺，在所述第二金属保护层形成暴露所述第二金属层的多个第二过孔；在所述第二金属保护层上沉积所述第一像素电极层。在本专利技术实施例中，所述在所述第二金属保护层上沉积所述第一像素电极层，可以包括：在所述第二金属保护层上沉积第三金属层；在所述第三金属层上沉积第三金属保护层；通过刻蚀工艺，在所述第三金属保护层形成暴露所述第三金属层的多个第三过孔；在所述第三金属保护层上沉积所述第一像素电极层。在本专利技术实施例中，所述在所述第二金属保护层上沉积所述第三金属层之前，还可以包括：在所述第二金属保护层上沉积凸台。在本专利技术实施例中，所述在所述第二金属保护层上沉积第一像素电极层之后，还可以包括：在所述第一像素电极层上沉积遮光层。在本专利技术实施例中，所述在所述第二表面沉积覆晶薄膜层，可以包括：在所述第二表面沉积铟锡氧化物半导体层；在所述铟锡氧化物半导体层上沉积导电层；在所述导电层上沉积保护层；在所述保护层上沉积第二像素电极层；将所述第二像素电极层和所述连接线的另一端连接。第二方面，本专利技术实施例提出了一种显示面板，其包括：采用上述显示面板的制作方法制作而成的显示面板。第三方面，本专利技术实施例提出了一种显示装置，其包括：上述的显示面板。借由上述技术方案，本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法、显示面板及显示装置至少具有以下优点：本专利技术实施例的阵列层设置在基板的第一表面，而覆晶薄膜层设置在基板的第二表面，其中，第二表面是基板上和第一表面相背的表面，与此同时，基板的侧表面设置有分别电连接阵列层和覆晶薄膜层的连接线，从而实现了显示面板的无边框设计。上述说明仅是本专利技术实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。附图说明图1是本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图一；图2是本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图二。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的电子设备、计算机设备、空间定位系统及方法，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。下面结合附图详细介绍本专利技术的
技术实现思路
，其中，实施例中所说的“沉积”可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，在此不作具体限定。实施例一：本专利技术的实施例一提供了一种显示面板的制作方法，包括：基板1，基板1具有第一表面A和与第一表面A相背的第二表面B，参考图1所示，其制作方法可以包括：在第一表面A沉积阵列层10；在第二表面B沉积覆晶薄膜层20；在基板1的侧表面设置连接线2，并将连接线2的两端分别连接阵列层10和覆晶薄膜层20。具体地，基板1可以采用耐高温材料制作，以确保基板1能够承受在沉积阵列层10时的高温退火的高温烘烤；连接线2可以为金属导线，如银材料制作的导线；连接线2可以贴附于基板1的侧表面，不仅使得所制作的显示面板结构更加紧凑，同时进一步实现了无边框显示面板的制作。在具体实施的过程中，首先在基板1的第一表面A沉积阵列层10，然后在基板1的第二表面B沉积覆晶薄膜层20，最后在基板1的侧表面设置连接线2，并将连接线2的一端和阵列层10连接，另一端和覆晶薄膜层20连接；或者，首先在基板1的第二表面B沉积覆晶薄膜层20，然后在基板1的第一表面A沉积阵列层10，最后在基板1的侧表面设置连接线2，并将连接线2的两端分别连接阵列层10和覆晶薄膜层20。通过连接线2的两端分别连接阵列层10和覆晶薄膜层20，以实现阵列层10和覆晶薄膜层20的电连接，进而使得覆晶薄膜层20的驱动芯片所输出的信号传输给阵列层10.本专利技术实施例通过将覆晶薄膜层20沉积在基板1的第二表面B，且连接线2的两端分别连接第二表面B的覆晶薄膜层20和第一表面A的阵列层10，从而实现了显示面板的无边框设计。下面对在基板1的第一表面A沉积阵列层10进行详细介绍。参考图2所示，在第一表面A沉积阵列层10，可以包括：在第一表面A依次沉积半导体层101、栅极绝缘层(图未示)、栅极层102、绝缘层103、第一金属层104及第一平坦层105，通过刻蚀工艺，在第一平坦层105形成暴露第一金属层104的多个第一过孔(图未标)；在第一平坦层105上沉积第二金属层106；在第二金属层106上沉积第一像素电极层111；将第一像素电极层111和连接线2的一端连接。具体地，半导体层101可以为多晶硅层或者非多晶硅层，优选地，半导体层101为多晶硅层；栅极绝缘层可以为氧化硅层、氮化氮层或者由氧化硅层和氮化硅层所组成的复合层，本专利技术实施例对此不作具体限定；栅极层103通常可以包括栅线、栅极(Gate)和公共电极线(GateMetalVcom)的图案；第一金属层104通常可包括源极、漏极和数据线的图案，本专利技术实施例对此不作赘述；可选地，可采用物理气相沉积(PVD：PhysicalVaporDeposition)等方法在绝缘层103上形成第一金属层104，并通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制作方法，包括：基板，所述基板具有第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，其特征在于，所述方法包括：在所述第一表面沉积阵列层；在所述第二表面沉积覆晶薄膜层；在所述基板的侧表面设置连接线，并将所述连接线的两端分别连接所述阵列层和所述覆晶薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，包括：基板，所述基板具有第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，其特征在于，所述方法包括：在所述第一表面沉积阵列层；在所述第二表面沉积覆晶薄膜层；在所述基板的侧表面设置连接线，并将所述连接线的两端分别连接所述阵列层和所述覆晶薄膜层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二表面沉积覆晶薄膜层之前，还包括：在所述阵列层上涂覆钼树脂保护层；在所述第二表面沉积覆晶薄膜层之后，还包括：将所述钼树脂保护层灰化或者刻蚀去除。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一表面沉积阵列层，包括：在所述第一表面依次沉积半导体层、栅极绝缘层、栅极层、绝缘层、第一金属层及第一平坦层，通过刻蚀工艺，在所述第一平坦层形成暴露所述第一金属层的多个第一过孔；在所述第一平坦层上沉积第二金属层；在所述第二金属层上沉积第一像素电极层；将所述第一像素电极层和所述连接线的一端连接。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第二金属层上沉积所述第一像素电极层，包括：在所述第二金属层上沉积第二金属保护层；通过刻蚀工艺，在所述第二金属保护层形成暴露所述第二金属层的多个第二过孔；在所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冬妮，玄明花，赵德涛，陈亮，刘英伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11