一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件制造技术

本发明专利技术公开了一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC‑LIGBT器件，包括左右两边呈对称结构且共用一个发射极的LDMOS有源区以及LIGBT有源区；LDMOS有源区沟道受栅极Ⅰ控制，LIGBT有源区沟道受栅极Ⅱ控制，金属集电极Ⅰ与金属集电极Ⅱ相连。具有以下优点：在正向导通时消除snapback效应；由于LDMOS区中集电极N‑Collector的存在，在反向导通时使其具有反向导通能力，由于无集电极P‑Collector对电流的阻挡作用，复合型RC‑LIGBT的反向导通能力优于传统RC‑LIGBT。本发明专利技术的复合型RC‑LIGBT工艺与传统RC‑LIGT工艺兼容，只需要版图设计，无需额外工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件
本专利技术属于功率半导体器件领域，具体涉及一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件。
技术介绍
LDMOS(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)是一种常用的功率半导体器件；除了具有可显著提高器件的击穿电压的漂移区外；同时还具有开关速度快、易于集成、内部集成反并联的二极管等优点，被广泛应用于高压高频领域。但由于LDMOS在正向导通时只通过单一的电子导电，故存在电流密度低、正向导通电阻大等缺点。LIGBT(LateralInsulatedGateBipolarTransistor，横向绝缘栅双极型晶体管)最初是由LDMOS改造而来，是一种集成了LDMOS和BJT管二者优点的复合型半导体器件，具有栅极电压控制、电流密度大、导通压降小等优势，目前已经被广泛应用于高铁动车、新能源装备和各类电子消费等领域。但是由于LIGBT不具备反向导通能力，因此在实际使用中通常都需要在LIGBT旁边并联一个反向的续流二极管以起到保护的作用。同时为了提高器件的集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC‑LIGBT器件，其特征在于，所述复合型RC‑LIGBT器件包括左边的LDMOS有源区以及右边的LIGBT有源区，左右两边呈对称结构。

【技术特征摘要】
1.一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述复合型RC-LIGBT器件包括左边的LDMOS有源区以及右边的LIGBT有源区，左右两边呈对称结构。2.根据权利要求1所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LDMOS有源区从左到右设置金属集电极Ⅰ(12)、集电极N-Collector(11)、N-漂移区(9)、N-bufferⅠ(10)、栅氧化层Ⅰ(4)、栅极Ⅰ(3)、N+电子发射极Ⅰ(2)、发射极(1)、P-body(6)介质隔离层(16)和衬底(17)；所述LIGBT有源区从右到左设置金属集电极Ⅱ(15)、集电极P-Collector(14)、N-bufferⅡ(13)、N-漂移区(9)、栅氧化层Ⅱ(8)、栅极Ⅱ(7)、P-body(6)、N+电子发射极Ⅱ(5)、发射极(1)，P-body(6)介质隔离层(16)和衬底(17)。3.根据权利要求2所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LDMOS有源区和所述LIGBT有源区共用P-body(6)、发射极金属电极(1)、N-漂移区(9)、介质隔离层(16)和衬底(17)，N-漂移区(9)下部依次为...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟中，李顺，黄义，贺利军，秦窈，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：重庆,50