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本发明公开了一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC‑LIGBT器件，包括左右两边呈对称结构且共用一个发射极的LDMOS有源区以及LIGBT有源区；LDMOS有源区沟道受栅极Ⅰ控制，LIGBT有源区沟道受栅极Ⅱ控制，金属集电极Ⅰ与金属集电...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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