集成增强型和耗尽型的HEMT及其制造方法技术

本发明专利技术所提出的集成增强型和耗尽型的HEMT及其制造方法，可以将增强型和耗尽型晶体管集成在一起，有利于增加氮化镓HEMT器件的用途，提高电路的特性，并且为实现单片集成高速数字/模拟混合信号射频电路奠定了基础。同时，利用缓冲层的再生长以及掺杂需求，将杂质产生的电子变为掺杂层的一部分，提高掺杂浓度的同时防止多余的电子对器件产生干扰。

【技术实现步骤摘要】
集成增强型和耗尽型的HEMT及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种集成增强型和耗尽型的HEMT及其制造方法。
技术介绍
作为第三代半导体材料的代表，氮化镓(GaN)具有许多优良的特性，高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等。基于氮化镓的第三代半导体结构，如高电子迁移率场效应管(HEMT)、异质结构场效应场效应管(HFET)等已经得到了应用，尤其在射频、微波等需要大功率和高频率的领域具有明显优势。GaNHEMT主要是应用于通讯行业和电力电子行业，但它在高速数字电路和混合信号领域也有独特的优势。GaNHEMT具有出色的高温稳定性，可以大幅度降低电路在热源和温场控制方面的成本。而GaN的宽禁带特征使得它同时具备高电子饱和速度和高击穿电压，使器件可以在更高的电压之下工作，而这可以提高电路的驱动能力。因此，与传统的硅技术相比，使用GaNHEMT基的数字电路能够满足在大电流电压摆幅和在严酷环境下工作的能力，使得其在相应的领域有潜在的巨大应用。要实现GaNHEMT基的数字电路，就必须实现高性能的氮化镓基的E/DHEMT单片集成。相对于常规的D-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成增强型与耗尽型的HEMT制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成第一缓冲层、第一势垒层和第一沟道层；在所述第一沟道层上形成介质层，并选择性的刻蚀所述介质层、第一沟道层、第一势垒层和第一缓冲层，以暴露出部分第一缓冲层；在暴露出的部分第一缓冲层上进行再生长，依次形成第二缓冲层、第二势垒层和第二沟道层；去除所述介质层，在所述第一沟道层上形成第一源极、第一漏极和第一栅极，在所述第二沟道层上形成第二源极、第二漏极和第二栅极。

【技术特征摘要】
1.一种集成增强型与耗尽型的HEMT制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成第一缓冲层、第一势垒层和第一沟道层；在所述第一沟道层上形成介质层，并选择性的刻蚀所述介质层、第一沟道层、第一势垒层和第一缓冲层，以暴露出部分第一缓冲层；在暴露出的部分第一缓冲层上进行再生长，依次形成第二缓冲层、第二势垒层和第二沟道层；去除所述介质层，在所述第一沟道层上形成第一源极、第一漏极和第一栅极，在所述第二沟道层上形成第二源极、第二漏极和第二栅极。2.根据权利要求1所述的集成增强型和耗尽型HEMT的制造方法，其特征在于，所述第一势垒层的厚度为1nm-30nm，所述第二势垒层的厚度大于所述第一势垒层且小于100nm。3.根据权利要求1所述的集成增强型和耗尽型HEMT的制造方法，其特征在于，所述第二势垒层的厚度为1nm-30nm，所述第一势垒层的厚度大于所述第二势垒层且小于100nm。4.根据权利要求1所述的集成增强型和耗尽型HEMT的制造方法，其特征在于，所述在选择性的刻蚀所述介质层之前，在所述介质层上形成光刻胶层，并在所述光刻胶层上定义出要刻蚀的区域。5.根据权利要求1所述的集成增强型和耗尽型...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪贤锋，范谦，何伟，
申请(专利权)人：苏州汉骅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32