The invention discloses a method for preparing 6N high-purity indium by one-time vacuum distillation, which takes 4N indium metal as raw material and produces 6N high-purity indium by one-time vacuum distillation under vacuum condition; the method of the invention has no \three wastes\ emission, and the one-time vacuum distillation method can effectively remove other metal elements with large difference between saturated vapor pressure and In; the method of the invention is simple in operation, high in controllability and easy to operate. We will expand production.
【技术实现步骤摘要】
一次真空蒸馏制备6N高纯铟的方法
本专利技术涉及一种高纯铟的制备方法，具体为一次真空蒸馏制备6N高纯铟的方法。
技术介绍
铟位于元素周期表第五周期ⅢA族，常被称为硼分族；金属铟是带有蓝色色调的银白色金属；质地较软，类似于铂。铟具有低熔点、高沸点、优良的热传导性和很好的延展性。铟是我国战略性、稀缺性资源，具有十分独特而优良的物理化学性能。广泛应用于电子计算机、太阳能电池、电子、光电、国防军事、航空航天、核工业和现代信息产业等科技领域，具有极其重要的战略价值，被称为新兴产业维生素。这些领域对铟纯度的要求较高，一般为5N及其以上，尤其是半导体领域所用高纯铟一般为6N及其以上。6N高纯铟的制备方法主要有电解精炼-真空蒸馏法、电解精炼-区域熔炼法、区域熔炼法等。电解精炼法由于需要用到大量硫酸作为电解液，对环境有一定压力；区域熔炼法需要通过多次低速区熔，功耗大，时间久且产量相对偏低。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种一次真空蒸馏制备6N高纯铟的方法，该方法是以4N金属铟为原料，在真空状态下，通过一次真空蒸馏法制得6N高纯铟。本专利技术方法步骤如下：（1）将4N金属铟加入石...
【技术保护点】
1.一种一次真空蒸馏制备6N高纯铟的方法，其特征在于：以4N金属铟为原料，通过一次真空蒸馏制得6N高纯铟。
【技术特征摘要】
1.一种一次真空蒸馏制备6N高纯铟的方法，其特征在于：以4N金属铟为原料，通过一次真空蒸馏制得6N高纯铟。2.根据权利要求1所述的一次真空蒸馏制备6N高纯铟的方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将装有4N金属铟的石墨坩埚置于炉内，抽真空至炉内真空度≤20Pa；（2）以15℃/min～25℃/mi...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭巨擘，卢兴伟，张启旺，伍美珍，雷云，周京明，陈丽诗，
申请(专利权)人：云南锡业集团控股有限责任公司研发中心，
类型：发明
国别省市：云南,53
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