The invention discloses a method for preparing carbon nanotube arrays using solution catalyst. A smooth substrate is placed in the plasma generator to hydrophilically treat the surface of the smooth substrate with plasma; then the substrate is removed, the catalyst solution is disposed on the surface droplets, and then coated uniformly by a leveling machine; finally, after drying, the substrate is put into the reaction chamber and the reaction gas is introduced into the reaction chamber to make the carbon nanotube arrays from the substrate by chemical vapor deposition at a certain temperature. It grows on the bottom. The carbon nanotube array prepared by the method has clean and smooth surface, high surface density, simple process, low preparation cost and is suitable for industrial production.
【技术实现步骤摘要】
一种使用溶液催化剂制备碳纳米管阵列的方法
本专利技术涉及了一种制备阵列式碳纳米管的方法，尤其是涉及了一种使用溶液旋涂法作为催化剂的碳纳米管阵列制备方法。
技术介绍
由于碳纳米管独特的电学和热学性质，其在纳米集成电路、单分子器件等领域有这广阔的应用前景。目前在实验室中制备碳纳米管的方法已经比较成熟，大面积碳纳米管阵列的合成也有了很大进展。但在需求低成本的大规模工业生产中，目前的制备方法仍有不足。目前制备碳纳米管的主要方法主要有电弧放电法、脉冲激光蒸发法及化学气相沉积法等。但是这些制备方法主要存在以下几种缺点：(1)产量低，不适合工业生产；(2)成本高；(3)生长方向不好控制，难以在工业上应用。其中固态催化剂通过磁控溅射或者电子束蒸发法制备，这大大提高了生产成本。使用液态催化剂多为使用二茂铁，液态催化剂很容易升华挥发，难以停留在基底表面。
技术实现思路
为了解决
技术介绍
中存在的问题，本专利技术提出了一种碳纳米管阵列的制备方法，其在基底上下两面同时生长，生长出的碳纳米管阵列表面干净平滑，与基底结合力强，且制备成本非常低。本专利技术采用的技术方案是：本专利技术方法包括以下步骤...
【技术保护点】
1.一种使用溶液催化剂制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于：方法包括以下步骤：将一平滑基底放入等离子体发生器中对平滑基底的表面用等离子体进行亲水处理；然后把基底取出后，在表面滴上配置后的催化剂溶液，再用匀胶机旋涂均匀；最后烘干后把基底放入反应腔内通入反应气体在一定温度条件下采用化学气相沉积法使碳纳米管阵列从基底上长出。
【技术特征摘要】
1.一种使用溶液催化剂制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于：方法包括以下步骤：将一平滑基底放入等离子体发生器中对平滑基底的表面用等离子体进行亲水处理；然后把基底取出后，在表面滴上配置后的催化剂溶液，再用匀胶机旋涂均匀；最后烘干后把基底放入反应腔内通入反应气体在一定温度条件下采用化学气相沉积法使碳纳米管阵列从基底上长出。2.根据权利要求1所述的一种使用溶液催化剂制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于：所述的平滑基底为硅片，对硅片表面亲水处理的等离子体功率为50W。3.根据权利要求1所述的一种使用溶液催化剂制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于：所述的催化剂溶液为氯化铁溶液，其浓度为0.8-1.2mol/L；旋涂过程为1000r/min，时间1分钟。4.根据权利要求1所述的一种使用溶液催化剂制备碳纳米管阵列的方法，其特征在于：所述化学气相沉积法为等离子体化学气相沉积法，一定温...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪小知，张亮，吴永志，
申请(专利权)人：杭州英希捷科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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