集成电路金属互连结构以及集成电路制造技术

本公开提供一种集成电路金属互连结构以及集成电路。本公开实施例提供的集成电路金属互连结构包括：金属互连线，用于连接集成电路中的金属接触件；介质层，其中一面设置有用于容纳所述金属互连线的线型槽；缓冲层，覆盖于所述介质层上，与所述金属互连线相互贴合；阻隔层，覆盖于所述缓冲层上，用于阻隔所述金属互连线的原子扩散。本公开实施例所提供的集成电路金属互连结构通过在金属互连线与阻隔层之间设置缓冲层，可以提高金属互连线的粘附紧密性，避免在金属互连线的接触界面上形成原子扩散通道，从而可以改善金属互连线的电迁移性能，降低出现空洞或者凸起等缺陷的风险，提高金属互连线的可靠性。

Integrated Circuit Metal Interconnection Structures and Integrated Circuits

The present disclosure provides an integrated circuit metal interconnection structure and an integrated circuit. The integrated circuit metal interconnection structure provided in the embodiment of the present disclosure includes: a metal interconnection for connecting metal contacts in an integrated circuit; a dielectric layer, one side of which is provided with a line groove for accommodating the metal interconnection; a buffer layer, covering the dielectric layer, is connected with the metal interconnection; and a barrier layer, covering the buffer layer, is used for barrier. Atomic diffusion of the metal interconnect. The integrated circuit metal interconnection structure provided in the present embodiment can improve the adhesion tightness of the metal interconnect by setting a buffer layer between the metal interconnect and the barrier layer, avoid forming atom diffusion channels on the contact interface of the metal interconnect, thereby improving the electromigration performance of the metal interconnect, reducing the risk of defects such as holes or bulges, and improving the performance of the metal interconnect. Reliability of metal interconnects.

【技术实现步骤摘要】
集成电路金属互连结构以及集成电路
本公开涉及集成电路
，具体涉及一种集成电路金属互连结构以及集成电路。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，超大规模集成电路的芯片集成度已经高达几亿乃至几十亿个器件的规模。为了实现完整的系统功能，集成电路设计和制造需要在后道工序(BackEndofLine)中对集成电路中的诸多半导体器件进行电连接。在现有的BEOL工序中，通常利用金属互连线对指定的金属接触件进行互连。在金属互连线中，沿电场反方向运动的电子与金属原子进行动量交换，这将导致金属原子产生由原子扩散主导的质量运输，这种现象被称为电迁移(ElectroMigration)。由于电迁移现象的存在，金属互连线将因金属原子的扩散移动而形成空洞(void)或者凸起(hillock)等缺陷，对于缺陷严重的区域甚至会出现断路或者短路等问题。在相关技术中，通过阻隔材料对金属互连线进行包覆可以在一定程度上缓解电迁移的进程。但是由于粘附性较差，金属互连线与阻隔材料之间的接触界面将成为金属原子的扩散通道，不仅没有起到阻隔作用，反而会加速电迁移。因此，目前亟需一种新型的集成电路金属互连结构，以解决金属互连线中的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路金属互连结构，其特征在于，包括：金属互连线，用于连接集成电路中的金属接触件；介质层，其中一面设置有用于容纳所述金属互连线的线型槽；缓冲层，覆盖于所述介质层上，与所述金属互连线相互贴合；阻隔层，覆盖于所述缓冲层上，用于阻隔所述金属互连线的原子扩散。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路金属互连结构，其特征在于，包括：金属互连线，用于连接集成电路中的金属接触件；介质层，其中一面设置有用于容纳所述金属互连线的线型槽；缓冲层，覆盖于所述介质层上，与所述金属互连线相互贴合；阻隔层，覆盖于所述缓冲层上，用于阻隔所述金属互连线的原子扩散。2.根据权利要求1所述的集成电路金属互连结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度为3～10nm。3.根据权利要求1所述的集成电路金属互连结构，其特征在于，所述金属互连线为铜互连线。4.根据权利要求1所述的集成电路金属互连结构，其特征在于，所述缓冲层包括贴合于所述金属互连线上的第一缓冲层以及覆盖于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨军，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34