一种沟槽保护圈结构制造技术

一种沟槽保护圈结构，包括：基底，沟槽，字线结构，多个金属互连层，金属间介电层以及层间介电层。基底具有多个芯片区域以及位于相邻所述芯片区域间的保护圈区域。沟槽位于保护圈区域中。字线结构位于所述沟槽中。多个金属互连层位于所述基底上，呈层叠状设置。金属间介电层位于相邻所述金属互连层之间，其中所述金属间介电层中具有第一连接件，所述第一连接件连接上下相邻的所述金属互连层。层间介电层位于最底层的所述金属互连层与所述基底之间，其中所述层间介电层中具有第二连接件，所述第二连接件连接最底层金属互连层和所述字线结构。本实用新型专利技术的沟槽保护圈结构能够减少字线通道的泄露路径，同时能够避免浮动节点电位浮动。

A structure of groove protection ring

A groove protection ring structure comprises a base, a groove, a word-line structure, a plurality of metal interconnection layers, an intermetallic dielectric layer and an interlayer dielectric layer. The substrate has a plurality of chip regions and a protective ring region located between adjacent chip regions. The groove is located in the protective zone. The glyph structure is located in the groove. A plurality of metal interconnection layers are situated on the substrate and arranged in a laminated manner. The intermetallic dielectric layer is located between the adjacent metal interconnection layers. The intermetallic dielectric layer has a first connector which connects the upper and lower adjacent metal interconnection layers. The interlayer dielectric layer is located between the lowest metal interconnection layer and the substrate. The interlayer dielectric layer has a second connector, which connects the lowest metal interconnection layer and the word-line structure. The groove protection ring structure of the utility model can reduce the leakage path of the word channel and avoid floating node potential fluctuation.

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽保护圈结构
本技术涉及半导体存储器。特别涉及内存组件装置构造中的沟槽保护圈结构。
技术介绍
主芯片保护圈是晶元封装和划片的一道重要保护屏障。芯片保护圈可阻挡外界湿气和应力对晶元造成的损伤，以实现良好的产品可靠性。传统的保护圈由简单硅衬底和其上金属互连层及通道形成，类似于“墙”的结构。然而现有技术的芯片保护圈存在电泄露路径和节点的电位浮动等问题，需要更好的解决方案。
技术实现思路
本技术提供一种沟槽保护圈结构，能够减少保护圈结构的电泄露，同时也避免节点的电位浮动。本技术还提供一种沟槽保护圈，包括：基底、沟槽、字线结构、多个金属互连层，金属间介电层以及层间介电层。基底具有多个芯片区域以及位于相邻芯片区域间的保护圈区域。沟槽位于保护圈区域中。字线结构位于沟槽中。多个金属互连层位于基底上，呈层叠状设置。金属间介电层位于相邻金属互连层之间，其中金属间介电层中具有第一连接件，第一连接件连接上下相邻的金属互连层。层间介电层位于最底层的金属互连层与基底之间，其中层间介电层中具有第二连接件，第二连接件连接最底层金属互连层和字线结构。在本技术的一些实施例中，保护圈区域中的沟槽内的字线结构电位接地。在本技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽保护圈结构，其特征在于，包括：基底，所述基底具有多个芯片区域以及位于相邻所述芯片区域间的保护圈区域；沟槽，位于所述保护圈区域中；字线结构，位于所述沟槽中；多个金属互连层，位于所述基底上，呈层叠状设置；金属间介电层，位于相邻所述金属互连层之间，其中所述金属间介电层中具有第一连接件，所述第一连接件连接上下相邻的所述金属互连层；层间介电层，位于最底层的所述金属互连层与所述基底之间，其中所述层间介电层中具有第二连接件，所述第二连接件连接最底层金属互连层和所述字线结构。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽保护圈结构，其特征在于，包括：基底，所述基底具有多个芯片区域以及位于相邻所述芯片区域间的保护圈区域；沟槽，位于所述保护圈区域中；字线结构，位于所述沟槽中；多个金属互连层，位于所述基底上，呈层叠状设置；金属间介电层，位于相邻所述金属互连层之间，其中所述金属间介电层中具有第一连接件，所述第一连接件连接上下相邻的所述金属互连层；层间介电层，位于最底层的所述金属互连层与所述基底之间，其中所述层间介电层中具有第二连接件，所述第二连接件连接最底层金属互连层和所述字线结构。2.如权利要求1所述的沟槽保护圈结构，其特征在于，所述保护圈区域中的所述沟槽内的所述字线结构电位接地。3.如权利要求1所述的沟槽保护圈结构，其特征在于，所述沟槽保护圈结构中包含多...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34