一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法技术

技术编号:21037809 阅读:60 留言:0更新日期:2019-05-04 07:05
本发明专利技术公开一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,包括以下步骤:选取聚合物基板或金属柔性基板作为柔性基底;通过离子源溅射,对柔性基底进行清洗;通过磁控溅射,依次生长合金膜层、ZnAl膜层、降阻膜层、防腐蚀膜层、Mo膜层;最后将得到的膜层结构放入真空炉中退火,得到所述柔性薄膜太阳能电池用背电极;方法制备得到的背电极具有质量轻、可弯曲、便于携带、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、低电阻率、薄膜应力小等优点,且多层膜结构与基底附着强度高,能够避免基底中Na

Fabrication of a Back Electrode for Flexible Thin Film Solar Cells

【技术实现步骤摘要】
一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法
本专利技术涉及薄膜太阳能电池
,具体是一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法。
技术介绍
目前铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池正迅速发展,但多数为玻璃基底,柔性CIGS薄膜太阳能电池刚刚开始,由于其质量轻,可折叠,可弯曲,便于携带,因此可以采用环绕式溅射沉积,有利于实现大规模生产,且显著的降低成本,可大量应用于便携式应急充电背包,光伏帐篷,光伏窗帘,光伏屋顶,太阳能汽车等具有广阔的应用空间,提高柔性CIGS薄膜太阳能电池效率及寿命有利于我国光伏产业的持续健康发展。传统背电极为Si3N4+Mo复合膜的结构,由于传统Mo背电极中Mo膜较厚,导致薄膜应力大,与基板附着强度较低,且Mo膜制备成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,该方法制备得到的背电极具有质量轻、可弯曲、便于携带、后期高温硒化不变形、抗腐蚀、低电阻率、薄膜应力小等优点,且多层膜结构与基底附着强度高,能够避免基底中Na+向吸收层的扩散且与CIGS有良好的欧姆接触。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种柔性薄膜太阳能电池本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、选取聚合物基板或金属柔性基板作为柔性基底;S2、通过离子源溅射,对柔性基底进行清洗;S3、通过磁控溅射,在柔性基底顶面溅射生长60~120 nm厚度的合金膜层,合金膜层为CuAl、CuZn、TiAl或TiCu;S4、通过磁控溅射,在合金膜层顶面溅射生长40~80 nm厚度的ZnAl膜层;S5、通过磁控溅射,在ZnAl膜层顶面溅射生长20~40 nm厚度的降阻膜层,降阻膜层为Ti、Al、Ag或Cu膜层;S6、通过磁控溅射,,在降阻膜层顶面溅射生长15~60 nm厚度的防腐蚀膜层,防腐蚀膜层为MoN、MoO、Al2O3、...

【技术特征摘要】
1.一种柔性薄膜太阳能电池用背电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、选取聚合物基板或金属柔性基板作为柔性基底;S2、通过离子源溅射,对柔性基底进行清洗;S3、通过磁控溅射,在柔性基底顶面溅射生长60~120nm厚度的合金膜层,合金膜层为CuAl、CuZn、TiAl或TiCu;S4、通过磁控溅射,在合金膜层顶面溅射生长40~80nm厚度的ZnAl膜层;S5、通过磁控溅射,在ZnAl膜层顶面溅射生长20~40nm厚度的降阻膜层,降阻膜层为Ti、Al、Ag或Cu膜层;S6、通过磁控溅射,,在降阻膜层顶面溅...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭寿马立云姚婷婷李刚沈洪雪彭赛奥金克武王天齐杨扬甘治平
申请(专利权)人:中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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