一种钝化接触电极结构及其适用的太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种钝化接触电极结构及其适用的太阳能电池，所述的电极结构包括在晶硅衬底上沉积的掺杂半导体层，以及在掺杂半导体层上的铜电极；所述的掺杂半导体层为多晶硅，微晶硅或微晶硅碳合金中的任一种，厚度为5‑100nm。实施过程中，所适用的太阳能电池在晶硅衬底的背面或两面包括所述的钝化接触电极结构。本实用新型专利技术还给出了制作具有该钝化接触电极结构的太阳能电池的制作方法。本专利通过钝化了所有金属电极的接触，降低了光生载流子的表面复合效率，实现了更加彻底的钝化效果，同时，相比于现有的工艺方法，本专利方案不仅可实行量产，且使用电镀铜作为导电层来代替银，降低了电池生产成本。

A Passivation Contact Electrode Structure and Its Applicable Solar Cells

The utility model discloses a passivation contact electrode structure and a suitable solar cell. The electrode structure includes a doped semiconductor layer deposited on a crystalline silicon substrate and a copper electrode on the doped semiconductor layer. The doped semiconductor layer is either polycrystalline silicon, microcrystalline silicon or microcrystalline silicon-carbon alloy with a thickness of 5 to 100 nm. In the process of implementation, the applicable solar cell includes the passive contact electrode structure on the back or both sides of the crystal silicon substrate. The utility model also provides a method for manufacturing a solar cell with the passive contact electrode structure. By passivating the contact of all metal electrodes, this patent reduces the surface recombination efficiency of photogenerated carriers and achieves a more thorough passivation effect. At the same time, compared with the existing process methods, this patent scheme can not only implement mass production, but also use copper plating as conductive layer to replace silver, thus reducing the production cost of batteries.

【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触电极结构及其适用的太阳能电池
本技术属于太阳能电池片领域，具体涉及一种钝化接触电极结构及其适用的太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池的工作原理简而言之就是将光生电子-空穴对在其复合之前进行提取并产生电流。所以如何降低复合损失一直是太阳能电池研发的核心点之一。纵观二十几年来硅基电池的技术发展路线，在任何时候都把降低复合损失，提升光生电子/空穴收集效率放在重中之重，并且提出了包括铝背场钝化，使用介质膜进行的正、背面钝化，局部或整面形成的高低结电场以及异质结钝化等在内的一系列技术。而使用薄膜隧穿层进行全表面钝化接触可以钝化所有金属电极的接触，避免局部接触造成的载流子横向运输带来的串阻增加和复合效应，而且相比于异质结钝化金属此工艺可以承受后道高温制成并能更好的兼容现有PERC电池技术，更容易实现产线升级。而如何实现金属化是表面钝化接触工艺实现商业化的关键问题之一。而目前所用的在表面钝化接触结构上使用物理气相沉积，蒸镀等实验室金属化工艺很难应用于大规模量产，而使用丝网印刷加烧穿(firingthrough)金属化工艺则需要超过100nm甚至是300nm厚的重掺杂半导体层，这会带来更大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于太阳能电池的钝化接触电极结构，其特征在于：包括在晶硅衬底上沉积的掺杂半导体层，以及在掺杂半导体层上的铜电极；所述的掺杂半导体层为多晶硅，微晶硅或微晶硅碳合金中的任一种，厚度为5‑100nm。

【技术特征摘要】
1.一种应用于太阳能电池的钝化接触电极结构，其特征在于：包括在晶硅衬底上沉积的掺杂半导体层，以及在掺杂半导体层上的铜电极；所述的掺杂半导体层为多晶硅，微晶硅或微晶硅碳合金中的任一种，厚度为5-100nm。2.根据权利要求1所述的钝化接触电极结构，其特征在于：还可以包括一层设置在晶硅衬底和掺杂半导体层之间的薄膜隧穿层，厚度为0.5-10nm；所述薄膜隧穿层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝和氧化钛其中的任一种。3.应用权利要求1或2所述的钝化接触电极结构制作的双面太阳能电池，其特征在于：所述的钝化接触电极结构制作在晶硅衬底的背面或两面。4.根据权利要求3所述的双面太阳能电池，其特征在于：在晶硅衬底的背面制作所述的钝化接触电极结构，在晶硅衬底的正面制作掺杂晶硅层和铜电极，位于正面所述的掺杂晶硅层与位于背面所述钝化接触电极结构中的掺杂半导体层极性不同，且其中两者中任意一层与晶硅衬底的掺杂极性相同且掺杂浓度大于晶硅衬底。5.根据权利要求3所述的双面太阳能电池，其特征在于：所述在晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：李中天，姚宇，邓晓帆，
申请(专利权)人：苏州太阳井新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32