一种光伏电池接触结构以及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种光伏电池接触结构以及制造方法，其中光伏电池接触结构以及制造方法包括：步骤1，在硅片主体的正面钝化层上印刷正面烧穿性浆料层，正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过钝化层与硅片的主体部分连接；步骤2，在正面烧穿性浆料层的表面印刷正面非烧穿性浆料层；步骤3，对硅片主体进行烧结。通过采用正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过钝化层与硅片的主体部分连接，使得将现有的浆料印刷后形成的线接触金属‑半导体结构，改变为点接触的金属‑半导体结构，接触面积小，实现低损伤金属接触结构，双层浆料结构保证接触电阻的同时，复合低，对于硅片主体的破坏更小，可以充分发挥单晶硅或多晶硅的性能，提高电池的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种光伏电池接触结构以及制造方法
本专利技术涉及太阳能电池制备
，特别是涉及一种光伏电池接触结构以及制造方法。
技术介绍
由于太阳能电池的制造成本随着技术的不断进步，得到了大幅度的下降，使得太阳能电池与传统能源发电的成本之间的差距越来越小，在发电过程中对于场地的要求较低，产生的污染较少，从而获得了广泛的应用。目前影响太阳能电池的两个因素是提效和降本，丝网印刷作为太阳能电池生产过程中的一道工序，极大的影响了太阳能电池的效率，因此提高印刷的质量是必要的。传统的印刷浆料经过烧结后形成线接触式金属-半导体结构，这种接触式方式接触面大，复合严重，不利于效率的提升。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供了一种光伏电池接触结构制造方法，降低复合，提高电池的效率。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种光伏电池接触结构制造方法，包括：步骤1，在硅片主体的正面钝化层上印刷正面烧穿性浆料层，所述正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过所述钝化层与所述硅片主体连接；步骤2，在所述正面烧穿性浆料层的表面印刷正面非烧穿性浆料层；步骤3，对所述硅片主体进行烧结。其中，所述正面烧穿性浆料的厚度为80nm～100本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，包括：步骤1，在硅片主体的正面钝化层上印刷正面烧穿性浆料层，所述正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过所述钝化层与所述硅片主体连接；步骤2，在所述正面烧穿性浆料层的表面印刷正面非烧穿性浆料层；步骤3，对所述硅片主体进行烧结。

【技术特征摘要】
1.一种光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，包括：步骤1，在硅片主体的正面钝化层上印刷正面烧穿性浆料层，所述正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过所述钝化层与所述硅片主体连接；步骤2，在所述正面烧穿性浆料层的表面印刷正面非烧穿性浆料层；步骤3，对所述硅片主体进行烧结。2.如权利要求1所述光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，所述正面烧穿性浆料的厚度为80nm～100nm。3.如权利要求2所述光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，在所述步骤1之前，还包括：在所述硅片主体的背面印刷背面浆料层。4.如权利要求3所述光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，所述正面烧穿性浆料层的厚度为6μm～10μm。5.如权利要求4所述光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，所述正面烧穿性浆料层、所述正...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱佳佳，郑沛霆，杨洁，孙海杰，王钊，郭瑶，於玲琳，朱思敏，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33