一种薄膜晶体管及制作方法和显示面板技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及制作方法和显示面板。薄膜晶体管包括衬底、第一金属层、第一绝缘层、有源层、掺杂层和第二金属层，其中所述第一金属层设置在所述衬底上；所述第一绝缘层设置在所述第一金属层上；所述有源层设置在所述第一绝缘层上；所述掺杂层设置在所述有源层上；所述第二金属层设置在所述掺杂层上；所述掺杂层包括数量为N的子掺杂层，所述N为大于或等于三的奇数，所述子掺杂层层叠设置，以中间的子掺杂层为对称轴，对称轴两侧相对应的子掺杂层掺杂浓度相等。在大于等于三的奇数层的子掺杂层中，对称结构的掺杂层降漏电效果最好。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及制作方法和显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及制作方法和显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)可包括使用形成在绝缘支撑基底上的半导体薄膜制造的场效应晶体管。像其它场效应晶体管一样，TFT具有三个端栅极、漏极和源极，通过调节施加到栅极的电压以导通或截止在源极和漏极之间流动的电流来使用TFT以执行开关操作。TFT可用在传感器、存储器件、光学器件中，作为平板显示装置的开关单元和作为平板显示装置的驱动单元。TFT会产生较大的漏电流，影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种降低TFT漏电的一种薄膜晶体管及制作方法和显示面板。本专利技术公开了一种薄膜晶体管，包括衬底、第一金属层、第一绝缘层、有源层、掺杂层和第二金属层，其中所述第一金属层设置在所述衬底上；所述第一绝缘层设置在所述第一金属层上；所述有源层设置在所述第一绝缘层上；所述掺杂层设置在所述有源层上；所述第二金属层设置在所述掺杂层上；所述掺杂层包括数量为N的子掺杂层，所述N为大于或等于三的奇数，所述子掺杂层层叠设置，以中间的子掺杂层为对称轴，对称轴两侧相对应的子掺杂层掺杂浓度相等。可选的，所述掺杂层的掺杂物质为磷化氢和硅烷，所述掺杂浓度为所述磷化氢与所述硅烷的气体流量比。可选的，所述磷化氢与所述硅烷的气体流量比在0.32至4.1之间。可选的，所述掺杂层包括第一子掺杂层、第二子掺杂层和第三子掺杂层，所述第一子掺杂层设置在所述有源层上，所述第二子掺杂层设置在所述第一子掺杂层上，所述第三子掺杂层设置在所述第二子掺杂层上，所述第二金属层设置在所述第三子掺杂层上，所述第一子掺杂层与所述第三子掺杂层掺杂浓度相等。可选的，所述掺杂浓度包括第一掺杂浓度和第二掺杂浓度，所述第一子掺杂层与所述第三子掺杂层的掺杂浓度为第一掺杂浓度，所述第二子掺杂层的掺杂浓度为第二掺杂浓度。可选的，所述掺杂层包括第一子掺杂层、第二子掺杂层、第三子掺杂层、第四子掺杂层和第五子掺杂层，所述第一子掺杂层设置在所述有源层上，所述第二子掺杂层设置在所述第一子掺杂层上，所述第三子掺杂层设置在所述第二子掺杂层上，所述第四子掺杂层设置在所述第三子掺杂层上，所述第五子掺杂层设置在所述第四子掺杂层上，所述第二金属层设置在所述第五子掺杂层上，所述第一子掺杂层与所述第五子掺杂层掺杂浓度相等，所述第二子掺杂层与所述第四子掺杂层掺杂浓度相等。可选的，所述对称轴两侧相对应的所述子掺杂层掺杂浓度分布均匀。本专利技术还公开了一种薄膜晶体管的制作方法，步骤包括：在衬底上沉积第一金属层；在第一金属层上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积有源层；在有源层上沉积掺杂层；以及在掺杂层上沉积第二金属层；其中，掺杂层包括数量为N的子掺杂层，所述N为大于或等于三的奇数，所述子掺杂层层叠设置，以中间的子掺杂层为对称轴，对称轴两侧相对应的子掺杂层掺杂浓度相等。可选的，所述在有源层上沉积掺杂层的步骤包括：控制磷化氢和硅烷的气体流量比在0.32至4.1之间；用化学气相沉积法将磷化氢和硅烷沉积到有源层上，形成所述掺杂层。本专利技术还公开了一种显示面板，包括上述所述的薄膜晶体管。相对于掺杂层为非对称结构的方案来说，本申请以中间层的子掺杂层为对称轴，对称轴两侧相对应的子掺杂层掺杂浓度相等，这种掺杂层称为对称结构；通过实验对比，在大于等于三的奇数层掺杂层中，对称结构的降漏电效果最好。附图说明所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是本专利技术一种示例性显示面板的示意图；图2是本专利技术的一种示例性显示面板图像残留老化后的示意图；图3是本专利技术的一种示例性正常图像显示的示意图；图4是本专利技术的一种示例性图像残留亮点的示意图；图5是本专利技术的一种示例性掺杂层为单层结构的示意图；图6是本专利技术的一种示例性掺杂层为两层结构的示意图；图7是本专利技术的一种示例性掺杂层为四层结构的示意图；图8是本专利技术的一实施例的一种TFT在-6V栅电压下不同掺杂层结构的漏电流大小的示意图；图9是本专利技术的一实施例的一种掺杂层为三层对称结构的示意图；图10是本专利技术的一实施例的一种掺杂层为五层对称结构的示意图；图11是本专利技术的一实施例的一种薄膜晶体管的制作方法的示意图；图12是本专利技术的一实施例的一种在有源层上沉积掺杂层的步骤的示意图；图13是本专利技术的一实施例的一种栅电压为0伏的一层掺杂层的TFT横截面能带的示意图；图14是本专利技术的一实施例的一种栅电压小于0伏的一层掺杂层TFT横截面能带的示意图；图15是本专利技术的一实施例的一种栅电压为0伏的三层对称结构的掺杂层的TFT横截面能带的示意图；图16是本专利技术的一实施例的一种栅电压小于0伏的三层对称结构的掺杂层TFT横截面能带的示意图；图17是本专利技术的一实施例的一种栅电压小于0伏的四层掺杂层TFT横截面能带的示意图；图18是本专利技术的一实施例的一种栅电压小于0伏的一层掺杂层TFT能带折线示意图；图19是本专利技术的一实施例的一种栅电压小于0伏的三层掺杂层TFT能带折线示意图；图20是本专利技术的一实施例的一种栅电压小于0伏的四层掺杂层TFT能带折线示意图；图21是本专利技术的一实施例的一种显示面板的示意图。其中，100、显示面板；200、薄膜晶体管；210、衬底；220、第一金属层；230、第一绝缘层；240、有源层；250、掺杂层；251、第一子掺杂层；252、第二子掺杂层；253、第三子掺杂层；254、第四子掺杂层；255、第五子掺杂层；260、第二金属层；261、源极；262、漏极；270、沟道。具体实施方式需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。如图1至图7所示，非晶硅薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；第一金属层，设置在所述衬底上；第一绝缘层，设置在所述第一金属层上；有源层，设置在所述第一绝缘层上；掺杂层，设置在所述有源层上；以及第二金属层，设置在所述掺杂层上；其中，所述掺杂层包括数量为N的子掺杂层，所述N为大于或等于三的奇数，所述子掺杂层层叠设置，以中间的子掺杂层为对称轴，对称轴两侧相对应的子掺杂层掺杂浓度相等。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；第一金属层，设置在所述衬底上；第一绝缘层，设置在所述第一金属层上；有源层，设置在所述第一绝缘层上；掺杂层，设置在所述有源层上；以及第二金属层，设置在所述掺杂层上；其中，所述掺杂层包括数量为N的子掺杂层，所述N为大于或等于三的奇数，所述子掺杂层层叠设置，以中间的子掺杂层为对称轴，对称轴两侧相对应的子掺杂层掺杂浓度相等。2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述掺杂层的掺杂物质为磷化氢和硅烷，所述掺杂浓度为所述磷化氢与所述硅烷的气体流量比。3.如权利要求2所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述磷化氢与所述硅烷的气体流量比在0.32至4.1之间。4.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述掺杂层包括第一子掺杂层、第二子掺杂层和第三子掺杂层，所述第一子掺杂层设置在所述有源层上，所述第二子掺杂层设置在所述第一子掺杂层上，所述第三子掺杂层设置在所述第二子掺杂层上，所述第二金属层设置在所述第三子掺杂层上，所述第一子掺杂层与所述第三子掺杂层掺杂浓度相等。5.如权利要求4所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述掺杂浓度包括第一掺杂浓度和第二掺杂浓度，所述第一子掺杂层与所述第三子掺杂层的掺杂浓度为第一掺杂浓度，所述第二子掺杂层的掺杂浓度为第二掺杂浓度。6.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凤云，卓恩宗，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44