The invention provides a multi-charged particle beam describing device capable of suppressing the temperature rise of the formed aperture array. The multi-charged particle beam describing device involved in the present embodiment includes: an ejector to eject charged particle beams; a restricted aperture substrate to form a single first opening; a shaped aperture array to form a plurality of second openings, which are irradiated by the charged particle beam passing through the first opening in an area containing the plurality of second openings, and a part of the charged particle beam passing through the first opening. Multiple beams are formed by the plurality of second openings respectively, and a blanking aperture array is formed to form a plurality of third openings for the respective beams passing through the plurality of second openings. A blanking deflector for the blanking deflection of the beams is arranged in each third opening.
【技术实现步骤摘要】
多带电粒子束描绘装置
本专利技术涉及一种多带电粒子束描绘装置。
技术介绍
伴随着LSI的高集成化,半导体设备中要求的电路线宽逐年微细化。为了对半导体设备形成所期望的电路图案,采用了使用缩小投影型曝光装置来将形成在石英上的高精度的原图图案(掩模、或者步进式光刻机(Stepper)或步进扫描式光刻机(scanner)中特别使用的也称为中间掩模(reticule))缩小地转印在晶圆上的方法。利用电子束描绘装置描绘高精度的原图图案,使用所谓电子束光刻法技术。使用多射束的描绘装置与用一束电子束进行描绘的情况相比,能一次照射许多射束,因此,能够大幅度地提高生产能力。在作为多射束描绘装置的一个方式的、采用消隐孔径阵列的多射束描绘装置中,例如,使从一个电子枪射出的电子束穿过具有多个开口的成形孔径阵列而形成多射束(多束电子束)。多射束在消隐孔径阵列的各自相对应的消隐器内通过。消隐孔径阵列具备用于将射束单独地偏转的电极对和在其之间供射束通过的开口,通过将电极对(消隐器)的一方固定在地电位,将另一方在地电位和除此之外的电位之间进行切换,由此分别单独地进行所通过的电子束的消隐偏转。被消隐 ...
【技术保护点】
1.一种多带电粒子束描绘装置,其特征在于,具备:射出部,射出带电粒子束;限制孔径基板,形成有单个的第一开口;成形孔径阵列,形成有多个第二开口,在包含所述多个第二开口的区域,接受通过了所述第一开口的所述带电粒子束的照射,所述带电粒子束的一部分分别通过所述多个第二开口而形成多射束;以及消隐孔径阵列,形成有多个第三开口,该多个第三开口供通过了所述多个第二开口的多射束中的分别对应的射束通过,在各第三开口设置有进行射束的消隐偏转的消隐器。
【技术特征摘要】
2017.10.25 JP 2017-2062801.一种多带电粒子束描绘装置,其特征在于,具备:射出部,射出带电粒子束;限制孔径基板,形成有单个的第一开口;成形孔径阵列,形成有多个第二开口,在包含所述多个第二开口的区域,接受通过了所述第一开口的所述带电粒子束的照射,所述带电粒子束的一部分分别通过所述多个第二开口而形成多射束;以及消隐孔径阵列,形成有多个第三开口,该多个第三开口供通过了所述多个第二开口的多射束中的分别对应的射束通过,在各第三开口设置有进行射束的消隐偏转的消隐器。2.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置,其特征在于,进一步具备照明透镜,该照明透镜配置在比所述成形孔径阵列靠光路的上游侧,所述限制孔径基板配置在所述照明透镜和所述成形孔径阵列之间。3.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置,其特征在于,在设描绘对象的基板表面上的所述多个第二开口的像的成像倍率...
【专利技术属性】
技术研发人员:森田博文,
申请(专利权)人:纽富来科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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