一种用于4H碳化硅晶片的抛光液及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于4H碳化硅晶片的抛光液，包括以下重量份原料：纳米二氧化硅20‑40份，聚乙二醇1‑5份，立方碳化硼1‑5份，单晶金刚石1‑5份，土槿皮酸0.5‑2.5份，苯扎氯铵1‑6份，硬脂酸丁酯5‑10份，PH调节剂0.5‑2.5份，过硫酸铵0.5‑2.5份，去离子水40‑60份。所述的用于4H碳化硅晶片的抛光液的制备方法，包括以下步骤：按照重量比称取备用；将聚乙二醇、土槿皮酸、苯扎氯铵、硬脂酸丁酯、过硫酸铵和去离子水置于搅拌釜中，搅拌20‑30min，搅拌釜的搅拌速度为2800‑6500r/min；将纳米二氧化硅、立方碳化硼和单晶金刚石投入到搅拌釜中，搅拌10‑20min，搅拌釜的搅拌速度为600‑1200r/min；加入pH值调节剂，搅拌均匀，过滤后即得抛光液。本发明专利技术提高晶片清洗效率，降低划伤概率，从而提高4H碳化硅晶片抛光效果。

A Polishing Fluid for 4H Silicon Carbide Wafer and Its Preparation Method

The invention discloses a polishing fluid for 4H silicon carbide wafer, including the following weight raw materials: nanosilicon dioxide 20 40, polyethylene glycol 1 5, polyethylene glycol 1 5, cubic borborborboron 1 5, monocrystal diamond 1 5, monocrystaldiadiamond 1 5 acid 0.5 8209 2.5, 2.5, benzaammonium chlorichlorichloride 1 8209 6, benzene benzene chlorichlorichlorichloride 1 8209 ammonium chlorite 5 8209, butbutyl stestearate 5 8209 stearate 5 8209 ester 10, PH PH PH PH regulator 0.5 PH PH The results of this study are as follows:1. Copies. The preparation method of polishing solution for 4H silicon carbide wafer includes the following steps: taking standby according to weight ratio; placing polyethylene glycol, Hibiscus acid, benzalkonium chloride, butyl stearate, ammonium persulfate and deionized water in a stirring vessel, stirring for 20 to 30 minutes, stirring speed for 2800 r/min; and mixing nano silicon dioxide, cubic boron carbide and single crystal diamond. Put it into stirring vessel, stirring for 10 20 minutes, stirring speed of stirring vessel is 600 1200 R / min; add pH regulator, stirring evenly, then get polishing fluid after filtering. The invention improves the wafer cleaning efficiency and reduces the scratch probability, thereby improving the polishing effect of 4H silicon carbide wafer.

【技术实现步骤摘要】
一种用于4H碳化硅晶片的抛光液及其制备方法
本专利技术涉及抛光液领域，具体是一种用于4H碳化硅晶片的抛光液及其制备方法。
技术介绍
SiC作为C和Si唯一稳定的化合物，其晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成，每个Si(或C)原子与周边包围的C(Si)原子通过定向的强四面体SP3键结合，虽然SiC的四面体键很强，但层错形成能量却很低，这一特点决定了SiC的多型体现象，已经发现SiC具有250多种多型体，每种多型体的C/Si双原子层的堆垛次序不同。最常见的多型体为立方密排的3C-SIC和六角密排的4H、6H-SiC。不同的多型体具有不同的电学性能与光学性能。SiC的禁带宽度为Si的2-3倍，热导率约为Si的4.4倍，临界击穿电场约为Si的8倍，电子的饱和漂移速度为Si的2倍。SiC的这些性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统和大功率的电子转换器及汽车马达等领域的极端环境中。另外，采用SiC所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段，在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于4H碳化硅晶片的抛光液，其特征在于，包括以下重量份原料：纳米二氧化硅20‑40份，聚乙二醇1‑5份，立方碳化硼1‑5份，单晶金刚石1‑5份，土槿皮酸0.5‑2.5份，苯扎氯铵1‑6份，硬脂酸丁酯5‑10份，PH调节剂0.5‑2.5份，过硫酸铵0.5‑2.5份，去离子水40‑60份。

【技术特征摘要】
1.一种用于4H碳化硅晶片的抛光液，其特征在于，包括以下重量份原料：纳米二氧化硅20-40份，聚乙二醇1-5份，立方碳化硼1-5份，单晶金刚石1-5份，土槿皮酸0.5-2.5份，苯扎氯铵1-6份，硬脂酸丁酯5-10份，PH调节剂0.5-2.5份，过硫酸铵0.5-2.5份，去离子水40-60份。2.根据权利要求1所述的一种用于4H碳化硅晶片的抛光液，其特征在于，包括以下重量份原料：纳米二氧化硅25-35份，聚乙二醇2-4份，立方碳化硼2-4份，单晶金刚石2-4份，土槿皮酸1-2份，苯扎氯铵2-5份，硬脂酸丁酯6-8份，PH调节剂1-2份，过硫酸铵1-2份，去离子水45-55份。3.根据权利要求1所述的一种用于4H碳化硅晶片的抛光液，其特征在于，包括以下重量份原料：纳米二氧化硅30份，聚乙二醇3份，立方碳化硼3份，单晶金刚石3份，土槿皮酸1.5份，苯扎氯铵4份，硬脂酸丁酯7份，PH调节剂1.5份，过硫酸铵1.5份，去...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊观兰，
申请(专利权)人：天津洙诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12