The present application relates to compositions for conductive material removal operations and their forming methods. In particular, the present application provides a composition comprising a carrier containing a liquid, an abrasive particle contained in the carrier, and an accelerator contained in the carrier, comprising at least one free anion selected from the following: iodide (I).
【技术实现步骤摘要】
用于导电材料去除操作的组合物及其形成方法
以下涉及组合物，更具体地，涉及包含颗粒材料、促进剂和缓冲剂的干粉组合物和/或浆料。
技术介绍
用于材料去除操作的组合物是已知的。这种研磨组合物可包括固定的研磨组合物，其中磨料颗粒的集合附着在主体或基材上。或者，某些研磨组合物可包括游离研磨剂，其中研磨颗粒不附着在主体或基材上，而是作为浆液或混合物包含在液体载体中。根据材料去除操作的类型，可以选择使用固定磨料或游离磨料。常规的研磨浆料最常用于材料(例如，玻璃、金属等)的抛光，例如化学机械平坦化(CMP)。在典型的CMP工艺中，基材(例如，晶片)放置成与移动的抛光垫接触，例如，附接到压板的旋转抛光垫。在CMP处理基材期间，将CMP浆料(通常为研磨剂和化学反应性混合物)供应到垫。通常，金属CMP浆料含有悬浮在氧化含水介质中的研磨材料，例如二氧化硅或氧化铝。由于垫相对于基材的移动的影响，浆料相对于基材的相对移动有助于通过化学和机械地与被平面化的基材膜相互作用进行平坦化(抛光)过程。以这种方式继续抛光，直到除去基材上的所需膜，通常的目的是有效地平坦化基材。
技术实现思路
根据第一方面，组...
【技术保护点】
1.一种组合物，其包含：包含液体的载体；载体中含有的磨料颗粒；包含在载体中的促进剂，所述促进剂包括至少一种选自碘化物(I‑)、溴化物(Br
【技术特征摘要】
2017.10.25 US 62/576,9371.一种组合物，其包含：包含液体的载体；载体中含有的磨料颗粒；包含在载体中的促进剂，所述促进剂包括至少一种选自碘化物(I-)、溴化物(Br-)、氟化物(F-)、硫酸盐(SO42-)、硫化物(S2-)、亚硫酸盐(SO32-)、氯化物(Cl-)、硅酸盐(SiO44-)、磷酸盐(PO43-)、硝酸盐(NO3-)、碳酸盐(CO32-)、高氯酸盐(ClO4-)或其任意组合的游离阴离子；和以饱和浓度包含在载体中的缓冲剂，所述缓冲剂包括选自MaFx、NbFx、MaNbFx、MaIx、NbIx、MaNbIx、MaBrx、NbBrx、MaNbBrx、Ma(SO4)x、Nb(SO4)x、MaNb(SO4)x、MaSx、NbSx、MaNbSx、Ma(SiO4)x、Nb(SiO4)x、MaNb(SiO4)x、Ma(PO4)x、Nb(PO4)x、MaNb(PO4)x、Ma(NO3)x、Nb(NO3)x、MaNb(NO3)x、Ma(CO3)x、Nb(CO3)x、MaNb(CO3)x或其任意组合的化合物，其中M代表金属元素或金属化合物；N表示非金属元素；a、b和x为1-6，并且其中所述缓冲剂不同于所述促进剂。2.一种组合物，其包含：包含液体的载体；载体中含有的磨料颗粒，其中所述磨料颗粒包括二氧化硅；包含在载体中的促进剂，所述促进剂包含存在的量在至少0.002M且不大于1.0M的范围的游离氟离子(F1-)；载体中含有的缓冲剂，所述缓冲剂包含MaNbFx，其中M是金属元素，N是非金属元素，a、b、x是1-6，并且其中所述缓冲剂具有低于10g/L的溶解度。3.一种组合物，其包含：磨料颗粒；促进剂化合物，其包括至少一种选自碘化物(I1-)、溴化物(Br1-)、氟化物(F1-)、硫酸盐(SO42-)、硫化物(S2-)、亚硫酸盐(SO32-)、氯化物(Cl1-)、硅酸盐(SiO44-)、磷酸盐(PO43-)、硝酸盐(NO31-)、碳酸盐(CO32-)、或高氯酸盐(ClO41-)的阴离子；和缓冲剂，其包括选自MaFx、NbFx、MaNbFx、MaIx、NbIx、MaNbIx、M...
【专利技术属性】
技术研发人员：I·T·赛恩斯，S·博蒂列里，D·E·沃德，N·纳哈斯，M·汉普登史密斯，S·L·罗巴尔，
申请(专利权)人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。