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一种用于4H碳化硅晶片的抛光液及其制备方法技术
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下载一种用于4H碳化硅晶片的抛光液及其制备方法的技术资料
文档序号:21024234
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本发明公开了一种用于4H碳化硅晶片的抛光液,包括以下重量份原料:纳米二氧化硅20‑40份,聚乙二醇1‑5份,立方碳化硼1‑5份,单晶金刚石1‑5份,土槿皮酸0.5‑2.5份,苯扎氯铵1‑6份,硬脂酸丁酯5‑10份,PH调节剂0.5‑2.5份...
该专利属于天津洙诺科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过天津洙诺科技有限公司授权不得商用。
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