电容的制作方法技术

本发明专利技术公开一种电容的制作方法，其步骤包含在一牺牲层中形成电容凹槽，其中该电容凹槽具有波浪状的侧壁轮廓、在该电容凹槽的侧壁上形成一下电极层、在该电容凹槽中填满一支撑层、移除该牺牲层而形成多个由该下电极层以及该支撑层所构成的电容柱、在该些电容柱上形成一电容介电层、以及在该电容介质层上形成一上电极层。

【技术实现步骤摘要】
电容的制作方法
本专利技术涉及一种电容的制作方法，特别是涉及一种制作具有波浪状外形的柱状电容结构的方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,DRAM)是以1个晶体管加上1个电容来存储1个位(1bit)的数据，因为其电容中的电荷会随着时间流失，故使用时必须要周期性地补充电源(refresh)来保持存储的内容，故称之为动态(Dynamic)。DRAM的构造较为简单，单纯使用1个晶体管加上1个电容结构来存储1个位的数据，故其制作成本相对较低。电容结构是形成在存储单元区域上并经由电容连接垫来与下方的晶体管连接。在动态随机存取存储器的演进中，电容结构的制作从早期的凹孔式制作方式演进到可提供较大导板面积(platearea)的圆管式制作方式。当现今的半导体制作工艺演进到25纳米以下时，圆管式的电容结构制作方式由于先天性结构支撑不足的因素容易在制作工艺期间发生倒塌的问题。为了解决此问题，电容结构的制作往柱体式演进，其结构内部会加入支撑材料来加强电容结构的结构强度。然而，柱体式的电容结构制作方式虽然解决了制作工艺中电容结构易倒塌的问题，却也牺牲了一大部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容的制作方法，包含：提供一基底，该基底上具有一牺牲层；在该牺牲层中形成电容凹槽，其中该电容凹槽具有波浪状的侧壁轮廓；在该电容凹槽的侧壁上形成一下电极层；在形成该下电极层后，在该电容凹槽中填满一支撑层；移除该牺牲层而形成多个由该下电极层以及该支撑层所构成的电容柱；在该些电容柱上形成一电容绝缘层；以及在该电容绝缘层上形成一上电极层。

【技术特征摘要】
1.一种电容的制作方法，包含：提供一基底，该基底上具有一牺牲层；在该牺牲层中形成电容凹槽，其中该电容凹槽具有波浪状的侧壁轮廓；在该电容凹槽的侧壁上形成一下电极层；在形成该下电极层后，在该电容凹槽中填满一支撑层；移除该牺牲层而形成多个由该下电极层以及该支撑层所构成的电容柱；在该些电容柱上形成一电容绝缘层；以及在该电容绝缘层上形成一上电极层。2.如权利要求1所述的电容的制作方法，其中形成该电容凹槽的步骤还包含：蚀刻裸露出的该牺牲层以形成一第一孔洞；在该第一孔洞的表面形成一保护层；蚀穿该第一孔洞底部的该保护层；以及重复上述步骤直到形成多个上下彼此连结的孔洞，如此构成了该电容凹槽波浪状的侧壁轮廓。3.如权利要求1所述的电容的制作方法，还包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰溢，李甫哲，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71