阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明专利技术的阵列基板的制备方法，包括：在基底上形成第一材料层；第一材料层至少包括靠近基底侧的亲水材料层；通过构图工艺形成具有容纳部的第一膜层；其中，容纳部贯穿第一材料层；第一膜层包括亲水层；在第一膜层上形成第二膜层，第二膜层至少位于容纳部侧边上，且与容纳部所底部所在平面之间设置有预定距离，并与亲水层接触；其中，第二膜层的材料包括疏水材料。因此，在容纳部中形成有机功能层时，虽然第一膜层中的亲水材料对有机功能层有拉力，但是此时第二膜层中的疏水材料对该有机功能层有排斥力，有机功能层在这两个力的作用下，使得其均一性增加。

Array Substrate and Its Preparation Method and Display Device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
有机电致发光二极管(OLED，OrganicLightEmittingDiode)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此，利用有机电致发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。目前，OLED的成膜方式有两种，一种是蒸镀制程，这种最适合小尺寸OLED的生产，且目前已经量产；另一种是溶液制程，这种方法主要是利用已经配置好的有机材料溶液进行旋涂、喷墨打印或丝网印刷等方式成膜，这种方式具有成本低、产能高、适用于大尺寸面板等优点，被国内外广泛研究。其中，喷墨打印技术，由于较高的材料利用率，可作为大尺寸OLED的量产方式。目前喷墨打印工艺中，由于像素限定层的亲水特性，墨滴在干燥过程中会沿着PDL边缘攀爬，形成一个边缘厚，中间薄的不均匀膜，这会影响EL的出光效果，从而影响显示器件的寿命。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种改善喷墨打印所形成的有机功能层均一性的阵列基板及其制备方法、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，包括：形成像素限定层的步骤，其中，所述形成像素限定层的步骤，包括：在基底上形成第一材料层；所述第一材料层至少包括靠近所述基底侧的亲水材料层；通过构图工艺形成具有容纳部的第一膜层；其中，所述容纳部贯穿所述第一材料层；所述第一膜层包括亲水层；在所述第一膜层上形成第二膜层，所述第二膜层至少位于所述容纳部侧边上，且与所述容纳部的底部所在平面之间设置有预定距离，并与所述亲水层接触；其中，所述第二膜层的材料包括疏水材料。优选的是，所述预定距离为所述亲水层厚度的10％-60％。优选的是，所述在基底上形成第一材料层的步骤，具体包括：将疏水材料和亲水材料混合，形成混合材料；将所述混合材料涂敷在所述基底上，并对所述混合材料进行烘干，形成远离所述基底侧的疏水材料层，以及靠近所述基底侧的亲水材料层。进一步优选的是，所述疏水材料层靠近所述基底的一侧到所所述容纳部的底部所在平面的距离为第一距离，所述第一距离大于所述预定距离。优选的是，所述在所述第一膜层上形成第二膜层的步骤，包括：通过自组装的方式，在所述容纳部的侧边上形成疏水型纳米球，以形成所述第二膜层。进一步优选的是，所述第二膜层还覆盖所述第一膜层远离所述基底一侧的面。优选的是，所述在所述第一膜层上形成第二膜层的步骤，包括：在所述第一膜层上形成Si纳米粒子；通入一定量的气体，使得Si纳米粒子长成疏水型纳米线，以形成所述第二膜层。优选的是，所述在所述第一膜层上形成第二膜层的步骤之后，还包括：通过溶液法形成有机功能层的步骤。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括：基底；位于基底上的像素限定层；所述像素限定层包括：位于基底上的第一膜层；所述第一膜层至少包括亲水层，且所述第一膜层具有容纳部；至少位于所述容纳部侧边上的第二膜层，且所述第二膜层与所述容纳部的底部所在平面之间设置有预定距离，并与所述亲水层接触；其中，所述第二膜层的材料包括疏水材料。优选的是，所述预定距离为所述亲水层厚度的40％-60％。优选的是，所述第一膜层包括远离所述基底侧的疏水层，以及靠近所述基底侧的亲水层。优选的是，所述疏水层靠近所述基底的一侧到所述容纳部的底部所在平面的距离为第一距离，所述第一距离大于所述预定距离。优选的是，所述第一膜层仅包括亲水材料。优选的是，所述第二膜层还覆盖所述第一膜层远离所述基底的一侧的面。优选的是，所述第二膜层包括疏水型纳米球。进一步优选的是，所述第二膜层中各个所述纳米球之间的间隙为1nm-20nm；所述纳米球的尺寸为20nm-100nm。优选的是，所述第二膜层包括疏水型纳米线。优选的是，所述亲水层的材料包括聚酰亚胺、双酚A聚碳酸酯、主链中含有烷基的聚合物以及主链中含有环状刚性结构的聚合物中的至少一种；所述疏水层的材料包括聚硅氧烷、含氟的聚烯烃、含氟的聚环氧烷烃中的至少一种。优选的是，阵列基板还包括位于所述容纳部中的有机功能层。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的阵列基板。本专利技术具有如下有益效果：由于本专利技术的阵列基板制备方法，在形成有第二膜层，且该第二膜层至少位于容纳部侧边上，且与所述容纳部的底部所在平面之间设置有预定距离并与所述亲水层接触，因此，通过本专利技术中的阵列基板的制作方法，能够使得像素限定层容纳部的侧边上包括疏水材料，从而使容纳部的侧壁具有良好的亲水以及疏水的特性。有利于后续在容纳部中材料的制作。附图说明图1为本专利技术的实施例1的阵列基板的制备方法的流程图；图2为本专利技术的实施例1的阵列基板的制备方法的示意图；图3为本专利技术的实施例1的第一种制备方法形成的像素限定层的结构示意图；图4为本专利技术的实施例1的第二种制备方法形成的像素限定层的结构示意图；图5为本专利技术的实施例1的第三种制备方法形成的像素限定层的结构示意图。其中附图标记为：10、基底；1、第一膜层；11、亲水层；12、疏水层；13、容纳部；2、第二膜层。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：如图1所示，本实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括形成像素限定层的步骤；其中，形成像素限定层的步骤具体包括：在基底10上形成第一材料层；该第一材料层的至少靠近基底10侧的亲水材料层。通过构图工艺形成具有容纳部13的第一膜层1，容纳部13贯穿第一材料层，第一膜层1包括亲水层11。在第一膜层1上形成第二膜层2，该第二膜层2至少位于容纳部13侧边上，且与容纳部13底部所在平面之间设置有预定距离，并与亲水层11接触；其中，第二膜层2的材料包括疏水材料。至此完成，阵列基板中像素限定层的制备。通过本专利技术中的阵列基板的制作方法，能够使得像素限定层容纳部的侧边上包括疏水材料，从而使容纳部的侧壁具有良好的亲水以及疏水的特性。有利于后续在容纳部中材料的制作。其中，所述预设距离为亲水层11厚度的5％-80％，进一步优选的10％-60％，或者例如：10％，15％，20％等，这样以来有助于在容纳部13中形成不同厚度的有机功能层。由于本实施例的阵列基板的像素限定层的制备方法，形成有第二膜层2，且该第二膜层2至少位于容纳部13侧边上，且与亲水层，因此，在容纳部13中形成有机功能层时，虽然第一膜层1中的亲水材料对有机功能层有拉力，但是此时第二膜层2中的疏水材料对该有机功能层有排斥力，有机功能层在这两个力的作用下，使得其均一性增加，从而保证了有机电致有机功能层的光色，同时器件的寿命也会提高。其中，本实施例中亲水层的材料优选为聚酰亚胺、双酚A聚碳酸酯、主链中含有烷基的聚合物以及主链中含有环状刚性结构的聚合物中的至少一种，也可以采用其他材料。以下提供三种阵列基板的制备方法中的像素限定层的具体制备方法，以使本实施例更加清楚。第一种像素限定层的制备方法，如图2和3所示，具体包括如下步骤:步骤一、将疏水材料和亲水材料混合，形成混合材料；将所该混合材料涂敷在所述基底10上，并对所述混合材料进行烘干，形成远离基底10侧为疏水材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：形成像素限定层，其中，所述形成像素限定层包括：在基底上形成第一材料层；所述第一材料层至少包括靠近所述基底侧的亲水材料层；通过构图工艺形成具有容纳部的第一膜层；其中，所述容纳部贯穿所述第一材料层；所述第一膜层包括亲水层；在所述第一膜层上形成第二膜层，所述第二膜层至少位于所述容纳部侧边上，且与所述容纳部的底部所在平面之间设置有预定距离，并与所述亲水层接触；其中，所述第二膜层的材料包括疏水材料。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：形成像素限定层，其中，所述形成像素限定层包括：在基底上形成第一材料层；所述第一材料层至少包括靠近所述基底侧的亲水材料层；通过构图工艺形成具有容纳部的第一膜层；其中，所述容纳部贯穿所述第一材料层；所述第一膜层包括亲水层；在所述第一膜层上形成第二膜层，所述第二膜层至少位于所述容纳部侧边上，且与所述容纳部的底部所在平面之间设置有预定距离，并与所述亲水层接触；其中，所述第二膜层的材料包括疏水材料。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述预定距离为所述亲水层厚度的10％-60％。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成第一材料层的步骤，具体包括：将疏水材料和亲水材料混合，形成混合材料；将所述混合材料涂敷在所述基底上，并对所述混合材料进行烘干，形成远离所述基底侧的疏水材料层，以及靠近所述基底侧的亲水材料层。4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述疏水材料层靠近所述基底的一侧到所述容纳部的底部所在平面的距离为第一距离，所述第一距离大于所述预定距离。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一膜层上形成第二膜层的步骤，包括：通过自组装的方式，在所述容纳部的侧边上形成疏水型纳米球，以形成所述第二膜层。6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二膜层还覆盖所述第一膜层远离所述基底一侧的面。7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一膜层上形成第二膜层的步骤，包括：在所述第一膜层上形成Si纳米粒子；通入一定量的气体，使得Si纳米粒子长成疏水型纳米线，以形成所述第二膜层。8.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一膜层上形成第二膜层的步骤之后，还包括：通过溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王欣欣，廖金龙，宋丽芳，胡月，叶志杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11