改善硅针孔缺陷的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善硅针孔缺陷的方法，在IMP光阻去除工艺过程中，采用H2O等离子体，或者在高纯氢等离子体中添加微氧，利用微氧环境避免氢等离子体造成硅针孔缺陷。本发明专利技术能够避免氢等离子体造成的硅针孔缺陷。

【技术实现步骤摘要】
改善硅针孔缺陷的方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种改善硅针孔缺陷的方法。
技术介绍
为了符合线宽限缩的技术，现行轻掺杂漏极(LDD)高剂量离子注入(HDIS)方式，与覆盖光胶层会产生改质光阻，改质光阻去除困难且技术要求严格，其存在的主要问题有：1、硅表面暴露于光刻胶去除工艺，导致LDD表面氧化及硅损失。2、使用等离子去除光阻必须利用长时间的等离子反应将改质光阻去除，导致硅表面氧化层增厚。3、长时间的纯氢工艺可以增加改质光阻去除效率，但是也增加掺杂离子损失及硅针孔缺陷发生机率，影响后续电性能。轻掺杂漏极(LDD)离子注入过程中，需要掺杂的离子会被注入硅表面产生不稳定键结，经过热处理后掺杂物与硅形成电路沟道。使用等离子体进行改质光阻去除过程中，长时间高纯氢等离子体会与氢离子源[包括：B(硼),BF(氟化硼),F(氟)]产生反应[包括：离子植入及光阻去除产生Si(硅)-B*,Si-H(氢)*键结，“*”属于不稳定键结符号]，经过后续热处理不稳定键结脱离Si生成BF3(三氟化硼),H2(氢气)等挥发物，导致晶格缺陷，同时损失掺杂物及造成电子信道间硅损失发生硅针孔缺陷。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善硅针孔缺陷的方法，其特征在于：在IMP光阻去除工艺过程中，采用H2O等离子体，或者在高纯氢等离子体中添加微氧，利用微氧环境抑制氢等离子体进入硅结构内部将离子注入后的不稳定键结破坏，产生晶格缺陷，避免硅针孔缺陷发生。

【技术特征摘要】
1.一种改善硅针孔缺陷的方法，其特征在于：在IMP光阻去除工艺过程中，采用H2O等离子体，或者在高纯氢等离子体中添加微氧，利用微氧环境抑制氢等离子体进入硅结构内部将离子注入后的不稳定键结破坏，产生晶格缺陷，避免硅针孔缺陷发生。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：添加微氧时，在等离子体腔体内的操作温度为200～290℃。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述高纯氢是指大于4％H2。4.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢玟茜，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31