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本发明公开了一种改善硅针孔缺陷的方法，在IMP光阻去除工艺过程中，采用H2O等离子体，或者在高纯氢等离子体中添加微氧，利用微氧环境避免氢等离子体造成硅针孔缺陷。本发明能够避免氢等离子体造成的硅针孔缺陷。...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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