【技术实现步骤摘要】
用于形成半导体器件的方法和半导体器件
实施例涉及半导体制造技术，并且特别涉及一种用于形成半导体器件的方法和半导体器件。
技术介绍
许多半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有不同导电类型和不同掺杂浓度的区。具有不同掺杂区的半导体衬底的实现通常是挑战性的任务。一种在半导体内生成施主的方法是注入质子以生成氢致施主。提高由质子注入导致的施主的掺杂效率是期望的。
技术实现思路
一些实施例涉及用于形成半导体器件的方法。方法包括将定义剂量的质子注入到半导体衬底中，并且根据定义的温度轮廓对半导体衬底回火。取决于指示关于半导体衬底的至少一部分内的碳浓度的信息的碳相关参数，选择质子的定义剂量和定义的温度轮廓中的至少一个。一些进一步的实施例涉及包括至少一个晶体管结构的半导体器件。晶体管结构包括发射极或源端以及集电极或漏端。进一步地，位于发射极或源端与集电极或漏端之间的半导体衬底区内的碳浓度在发射极或源端与集电极或漏端之间改变。一些实施例涉及用于形成半导体器件的方法。方法包括：将第一定义剂量的质子注入到第一半导体晶片中，并根据第一定义的温度轮廓对第一半导体晶片回火。取决于指示关于第一半导...
【技术保护点】
1.一种用于形成半导体器件的方法（100），所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有在所述半导体衬底的至少一部分内的碳浓度；通过执行测量，确定指示关于在所述半导体衬底的至少一部分内的所述碳浓度的信息的碳相关参数；将定义剂量的质子注入（110）到半导体衬底中；以及根据定义的温度轮廓对半导体衬底回火（120），其中，取决于所述碳相关参数调整质子的定义剂量和定义的温度轮廓中的至少一个，使得在所述半导体衬底中产生的掺杂浓度和/或掺杂分布能够精确和/或灵活地被调整。
【技术特征摘要】
2014.11.14 DE 102014116666.31.一种用于形成半导体器件的方法（100），所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有在所述半导体衬底的至少一部分内的碳浓度；通过执行测量，确定指示关于在所述半导体衬底的至少一部分内的所述碳浓度的信息的碳相关参数；将定义剂量的质子注入（110）到半导体衬底中；以及根据定义的温度轮廓对半导体衬底回火（120），其中，取决于所述碳相关参数调整质子的定义剂量和定义的温度轮廓中的至少一个，使得在所述半导体衬底中产生的掺杂浓度和/或掺杂分布能够精确和/或灵活地被调整。2.根据权利要求1所述的方法，其中半导体衬底的至少一部分内的碳浓度高于1*1015cm-3。3.根据前面权利要求中任一项所述的方法，进一步包括在注入（110）定义剂量的质子之前，将碳结合到半导体衬底的至少一部分中。4.根据权利要求3所述的方法，其中将碳结合包括将碳注入或将碳扩散到半导体衬底的至少一部分中。5.根据权利要求3所述的方法，其中将碳结合包括将碳扩散到半导体衬底的至少一部分中，其中在扩散工艺期间提供多于碳在室温下在半导体衬底中的溶解度的碳。6.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括通过根据定义的扩散温度轮廓对半导体衬底回火来将碳扩散出所述半导体衬底。7.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括在沉积外延层期间以定义的碳分布将碳结合到半导体衬底的至少一部分中。8.根据权利要求1或2所述的方法，其中质子的定义剂量高于1*1014cm-2。9.根据权利要求1或2所述的方法，其中定义的温度轮廓包括小于500℃的最高温度。10.根据权利要求1或2所述的方法，其中在定义剂量的质子的注入（110）之后，在低于500℃的温度下执行半导体器件的随后制造工艺。11.根据权利要求1或2所述的方法，其中确...
【专利技术属性】
技术研发人员：M耶利内克，JG拉文，H厄夫纳，HJ舒尔策，W舒斯特雷德，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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