半导体装置的制造方法制造方法及图纸

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，作为通过激光退火使距半导体基板(半导体晶片)的主面深的区域活化的方法之一，可举出使用波长比较长的例如红外(IR：infrared)激光器等长波长激光器的方法。使用波长越长的激光器，激光的侵入深度越深，激光会到达半导体基板的更深的区域。因此，通过使用长波长激光器，从而与使用波长较短的例如绿(Green)激光器等短波长激光器的情况相比，能够实现深的区域的活化。另外，作为通过激光退火使预定区域活化的其他方法，已知在使用长波长激光器使距半导体基板的主面相对深的区域活化之后，使用短波长激光器使距半导体基板的同一主面相对浅的区域活化的方法。距半导体基板的主面相对深的区域是指例如场截止(FS：FieldStop)区域。距半导体基板的主面相对浅的区域是指例如集电区和/或阴极区。以制作(制造)RC-IGBT(ReverseConductingInsulatedGateBipolarTransistor：反向导通型的绝缘栅双极型晶体管)的情况为例对使用波长不同的2种激光器的现有的激光退火进行说明。图10A、图10B是表示现有的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，从半导体基板的一个主面以离子方式注入杂质而形成第一半导体区；第二工序，从所述半导体基板的一个主面以离子方式注入杂质而在比所述第一半导体区浅的区域形成杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高的第二半导体区；第三工序，从所述半导体基板的一个主面照射第一激光而使所述第二半导体区活化，并且将所述半导体基板的一个主面的表面层熔融而使其再结晶化；以及第四工序，在所述第三工序之后，从所述半导体基板的一个主面照射波长比所述第一激光的波长长的第二激光而使所述第一半导体区活化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.29 JP 2017-0664021.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，从半导体基板的一个主面以离子方式注入杂质而形成第一半导体区；第二工序，从所述半导体基板的一个主面以离子方式注入杂质而在比所述第一半导体区浅的区域形成杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高的第二半导体区；第三工序，从所述半导体基板的一个主面照射第一激光而使所述第二半导体区活化，并且将所述半导体基板的一个主面的表面层熔融而使其再结晶化；以及第四工序，在所述第三工序之后，从所述半导体基板的一个主面照射波长比所述第一激光的波长长的第二激光而使所述第一半导体区活化。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，将所述第一激光的能量设为1J/cm2以上且2J/cm2以下。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第四工序中，将所述第二激光的能量设为4J/cm2以上且8J/cm2以下。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，将通过所述第一激光使杂质活化时的活化深度设为小于1μm。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第四工序中，将通过所述第二激光使杂质活化时的活化深度设为1μm以上且4μm以下。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一激光的波长为500nm以上...

【专利技术属性】
技术研发人员：泷下博，吉村尚，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP