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本发明涉及用于形成半导体器件的方法和半导体器件。一种用于形成半导体器件的方法，包括：将定义剂量的质子注入到半导体衬底中，并且根据定义的温度轮廓对半导体衬底回火。取决于指示关于半导体衬底的至少一部分内的碳浓度的信息的碳相关参数，选择质子的定义...
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