弹性波滤波器装置、多工器、高频前端电路及通信装置制造方法及图纸

滤波器(10)具备：并联臂谐振器(p1)，具有包含多个电极指(121a)的IDT电极(121)；和梳齿电容(C1)，与并联臂谐振器(p1)连接且包含多个电极指(131a)，梳齿电容(C1)中的多个电极指(131a)的电极指间距(Pc1)比并联臂谐振器(p1)中的多个电极指(121a)的电极指间距(Pp1)窄，梳齿电容(C1)中的多个电极指(131a)的膜厚(Tc1)比并联臂谐振器(p1)中的多个电极指(121a)的膜厚(Tp1)薄，梳齿电容(C1)的自谐振频率形成在比滤波器(10)的通带更靠高频侧。

Elastic Wave Filter Device, Multiplexer, High Frequency Front-end Circuit and Communication Device

\u6ee4\u6ce2\u5668(10)\u5177\u5907\uff1a\u5e76\u8054\u81c2\u8c10\u632f\u5668(p1)\uff0c\u5177\u6709\u5305\u542b\u591a\u4e2a\u7535\u6781\u6307(121a)\u7684IDT\u7535\u6781(121)\uff1b\u548c\u68b3\u9f7f\u7535\u5bb9(C1)\uff0c\u4e0e\u5e76\u8054\u81c2\u8c10\u632f\u5668(p1)\u8fde\u63a5\u4e14\u5305\u542b\u591a\u4e2a\u7535\u6781\u6307(131a)\uff0c\u68b3\u9f7f\u7535\u5bb9(C1)\u4e2d\u7684\u591a\u4e2a\u7535\u6781\u6307(131a)\u7684\u7535\u6781\u6307\u95f4\u8ddd(Pc1)\u6bd4\u5e76\u8054\u81c2\u8c10\u632f\u5668(p1)\u4e2d\u7684\u591a\u4e2a\u7535\u6781\u6307(121a)\u7684\u7535\u6781\u6307\u95f4\u8ddd(Pp1)\u7a84\uff0c\u68b3\u9f7f\u7535\u5bb9(C1) The film thickness (Tc1) of the multiple electrode fingers (131a) is thinner than that of the multiple electrode fingers (121a) in the parallel arm resonator (p1). The self-resonant frequency of the comb capacitor (C1) is formed on the high frequency side of the passband more than that of the filter (10).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波滤波器装置、多工器、高频前端电路及通信装置
本专利技术涉及具有弹性波谐振器的弹性波滤波器装置、多工器、高频前端电路及通信装置。
技术介绍
以往，在具有梳齿电容和弹性波谐振器的弹性波滤波器装置中，已知如下结构：使梳齿电容中的多个电极指的间距比弹性波谐振器中的多个电极指的间距窄(例如，参照专利文献1)。根据该结构，能够在受限的布局面积增加梳齿电容的电极指的对数，因此能够增大梳齿电容的电容。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开平1-68114号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在具有梳齿电容和弹性波谐振器的弹性波滤波器装置中，为了抑制通带内的损耗并且提高衰减斜坡的陡峭性(所谓的“通带端部的锐度”)，需要确保弹性波谐振器的Q值以及梳齿电容的Q值(电容Q)这两者。在此，在梳齿电容中，Q值局部地下降的自谐振频率通过使该梳齿电容中的电极指的间距变窄而向高频侧移动。因此，如上述以往的结构那样，通过使多个电极指的间距比弹性波谐振器中的多个电极指的间距窄，从而期待能够确保弹性波谐振器的Q值以及梳齿电容的Q值(电容Q)这两者。但是，实际上，在上述以往的结构中，在梳齿电容中的电极指的膜厚与弹性波谐振器中的电极指的膜厚相同、或者梳齿电容中的电极指的膜厚比弹性波谐振器中的电极指的膜厚更厚的情况下，存在如下问题。作为第1问题，一般来说，电极指的最小间距由于制造上的理由而被该电极指的膜厚限制，因此使梳齿电容的电极指的间距变窄而使自谐振频率向高频侧移动存在限度。因而，由包含弹性波谐振器以及梳齿电容的电路所形成的滤波器的通带内的梳齿电容的Q值会恶化。作为第2问题，为了通过使梳齿电容的电极指间距变窄而使自谐振频率向高频侧移动到对滤波器特性没有影响的范围为止，需要将梳齿电容中的电极指的膜厚设计得较薄。但是，在弹性波谐振器中的电极指的膜厚与梳齿电容中的电极指的膜厚相同的情况下，或者，在梳齿电容中的电极指的膜厚比弹性波谐振器中的电极指的膜厚更厚的情况下，难以充分确保弹性波谐振器的Q值。因此，在该情况下，难以确保弹性波谐振器的Q值以及梳齿电容的Q值这两者，难以抑制通带内的损耗并且提高衰减斜坡的陡峭性。因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够通过确保弹性波谐振器的Q值以及梳齿电容的Q值这两者来抑制通带内的损耗并且提高衰减斜坡的陡峭性的弹性波滤波器装置、多工器、高频前端电路以及通信装置。用于解决课题的手段为了实现上述目的，本专利技术的一个方式涉及的弹性波滤波器装置具备：第1弹性波谐振器，具有包含多个电极指的IDT电极；和梳齿电容，与所述第1弹性波谐振器连接，包含多个电极指，其中，所述梳齿电容中的多个电极指的间距比所述第1弹性波谐振器中的多个电极指的间距窄，所述梳齿电容中的多个电极指的膜厚比所述第1弹性波谐振器中的多个电极指的膜厚薄，所述梳齿电容的自谐振频率形成在比所述弹性波滤波器装置的通带更靠高频侧。在此，关于梳齿电容，电极指的间距越窄，则该梳齿电容的Q值(电容Q)局部地下降的自谐振频率越向高频侧移动。因此，通过使梳齿电容的电极指的间距比第1弹性波谐振器的电极指的间距窄而使梳齿电容的自谐振频率移动到比弹性波滤波器装置的通带更靠高频侧，从而能够提高该通带中的梳齿电容的Q值。此外，在梳齿电容的自谐振频率与第1弹性波谐振器的谐振频率或反谐振频率一致的情况下，该第1弹性波谐振器由于与自身连接的梳齿电容的Q值的下降，由第1弹性波谐振器和梳齿电容的合成特性得到的谐振频率或反谐振频率的Q值会下降。因此，通过使电极指的间距变窄而使梳齿电容的自谐振频率移动到比第1弹性波谐振器的谐振频率以及反谐振频率更靠高频侧，从而能够抑制第1弹性波谐振器与梳齿电容的合成特性的Q值的下降而确保所要求的Q值。不过，由于制造上的理由，电极指的间距被该电极指的膜厚限制。因此，通过使梳齿电容中的电极指的膜厚比第1弹性波谐振器中的电极指的膜厚薄，从而能够使梳齿电容中的电极指的间距更窄，因此变得容易确保弹性波谐振器(第1弹性波谐振器)的Q值以及梳齿电容的Q值这两者。因此，根据本实施方式涉及的弹性波滤波器装置，能够通过确保弹性波谐振器(第1弹性波谐振器)的Q值以及梳齿电容的Q值这两者来抑制通带内的损耗并且提高衰减斜坡的陡峭性。此外，也可以使得，所述梳齿电容不经由其他弹性波谐振器地与所述第1弹性波谐振器连接。这样的第1弹性波谐振器在与梳齿电容的合成特性中特别容易受到该梳齿电容的Q值的影响。由此，为了抑制通带内的损耗并且提高衰减斜坡的陡峭性，将该第1弹性波谐振器以及该梳齿电容的电极指的间距以及膜厚设为上述的关系特别有用。此外，也可以使得，所述梳齿电容中的作为多个电极指的宽度相对于多个电极指的间距之比的占空比大于所述第1弹性波谐振器中的作为多个电极指的宽度相对于多个电极指的间距之比的占空比。由此，能够增大梳齿电容的每单位面积的电容值。因此，可谋求小型化以及省空间化。此外，也可以使得，所述第1弹性波谐振器以及所述梳齿电容构成第1谐振电路，该第1谐振电路设置于将第1输入输出端子和第2输入输出端子连结的第1路径以及将该第1路径上的节点和接地连结的第2路径的一方，所述弹性波滤波器装置还具备第2谐振电路，所述第2谐振电路包含一个以上的第2弹性波谐振器，并且，设置于所述第1路径以及所述第2路径的另一方，与所述第1谐振电路一起形成通带。由此，利用确保了第1弹性波谐振器的Q值以及梳齿电容的Q值这两者的第1谐振电路来形成带通滤波器，因此能够实现滤波器特性优异的带通滤波器。此外，在第1弹性波谐振器和梳齿电容的合成特性中，相对于仅由弹性波谐振器(第1弹性波谐振器)构成的特性，能够减小谐振频率与反谐振频率之差，因此能够得到陡峭的(高选择度的)衰减特性。此外，也可以使得，所述第1谐振电路设置于所述第2路径，所述第2谐振电路设置于所述第1路径，所述第1谐振电路还具有开关元件，所述开关元件与所述梳齿电容并联连接，且与该梳齿电容一起构成使所述第1弹性波谐振器的频率可变的频率可变电路，所述频率可变电路在所述节点与所述接地之间与所述第1弹性波谐振器串联连接。由此，能够根据开关元件的接通以及断开来移动通带的低频侧以及高频侧的至少一方的衰减极的频率，因此能够实现对通带进行切换的可调谐滤波器。此外，也可以使得，所述第1谐振电路还具有第3弹性波谐振器，所述第3弹性波谐振器并联连接于所述第1弹性波谐振器和所述频率可变电路串联连接的电路，所述第3弹性波谐振器的谐振频率与所述第1弹性波谐振器的谐振频率不同，所述第3弹性波谐振器的反谐振频率与所述第1弹性波谐振器的反谐振频率不同。由此，能够实现能移动通带低频侧的衰减极以及通带高频侧的衰减极的至少一方的频率的可调谐滤波器。此外，也可以使得，所述第3弹性波谐振器的谐振频率比所述第1弹性波谐振器的谐振频率低，所述第3弹性波谐振器的反谐振频率比所述第1弹性波谐振器的反谐振频率低，所述频率可变电路仅与所述第1弹性波谐振器以及所述第3弹性波谐振器中的所述第1弹性波谐振器串联连接。由此，能够实现能使通带高频侧的衰减极的频率向高频侧移动，并且能在抑制通带低频端的插入损耗的增大的同时使通带向高频侧移动的可调谐滤波器。此外，也可以使得，所述第3弹性波谐振器的谐振频率比所述第1弹性波谐振器的谐振频率高，所述第3弹性波谐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波滤波器装置，具备：第1弹性波谐振器，具有包含多个电极指的IDT电极；和梳齿电容，与所述第1弹性波谐振器连接，包含多个电极指，其中，所述梳齿电容中的多个电极指的间距比所述第1弹性波谐振器中的多个电极指的间距窄，所述梳齿电容中的多个电极指的膜厚比所述第1弹性波谐振器中的多个电极指的膜厚薄，所述梳齿电容的自谐振频率形成在比所述弹性波滤波器装置的通带更靠高频侧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.13 JP 2016-178690;2017.03.07 JP 2017-043211.一种弹性波滤波器装置，具备：第1弹性波谐振器，具有包含多个电极指的IDT电极；和梳齿电容，与所述第1弹性波谐振器连接，包含多个电极指，其中，所述梳齿电容中的多个电极指的间距比所述第1弹性波谐振器中的多个电极指的间距窄，所述梳齿电容中的多个电极指的膜厚比所述第1弹性波谐振器中的多个电极指的膜厚薄，所述梳齿电容的自谐振频率形成在比所述弹性波滤波器装置的通带更靠高频侧。2.根据权利要求1所述的弹性波滤波器装置，其中，所述梳齿电容不经由其他弹性波谐振器地与所述第1弹性波谐振器连接。3.根据权利要求1或2所述的弹性波滤波器装置，其中，所述梳齿电容中的作为多个电极指的宽度相对于多个电极指的间距之比的占空比大于所述第1弹性波谐振器中的作为多个电极指的宽度相对于多个电极指的间距之比的占空比。4.根据权利要求1～3中任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，所述第1弹性波谐振器以及所述梳齿电容构成第1谐振电路，该第1谐振电路设置于将第1输入输出端子和第2输入输出端子连结的第1路径以及将该第1路径上的节点和接地连结的第2路径的一方，所述弹性波滤波器装置还具备第2谐振电路，所述第2谐振电路包含一个以上的第2弹性波谐振器，并且，设置于所述第1路径以及所述第2路径的另一方，与所述第1谐振电路一起形成通带。5.根据权利要求4所述的弹性波滤波器装置，其中，所述第1谐振电路设置于所述第2路径，所述第2谐振电路设置于所述第1路径，所述第1谐振电路还具有开关元件，所述开关元件与所述梳齿电容并联连接，且与该梳齿电容一起构成使所述第1弹性波谐振器的频率可变的频率可变电路，所述频率可变电路在所述节点与所述接地之间与所述第1弹性波谐振器串联连接。6.根据权利要求5所述的弹性波滤波器装置，其中，所述第1谐振电路还具有第3弹性波谐振器，所述第3弹性波谐振器并联连接于所述第1弹性波谐振器和所述频率可变电路串联连接的电路，所述第3弹性波谐振器的谐振频率与所述第1弹性波谐振器的谐振频率不同，所述第3弹性波谐振器的反谐振频率与所述第1弹性波谐振器的反谐振频率不同。7.根据权利要求6所述的弹性波滤波器装置，其中，所述第3弹性波谐振器的谐振频率比所述第1弹性波谐振器的谐振频率低，所述第3弹性波谐振器的反谐振频率比所述第1弹性波谐振器的反谐振频率低，所述频率可变电路仅与所述第1弹性波谐振器以及所述第3弹性波谐振器中的所述第1弹性波谐振器串联连接。8.根据权利要求6所述的弹性波滤波器装置，其中，所述第3弹性波谐振器的谐振频率比所述第1弹性波谐振器的谐振频率高，所述第3弹性波谐振器的反谐振频率比所述第1弹性波谐振器的反谐振频率高，所述频率可变电路仅与所述第1弹性波谐振器以及所述第3弹性波谐振器中的所述第1弹性波谐振器串联连接。9.根据权利要求5所述的弹性波滤波器装置，其中，所述第1谐振电路还具有第3弹性波谐振器，所述频率可变电路相对于所述第1弹性波谐振器以及所述第3弹性波谐振器并联连接的电路而串联连接，所述第3弹性波谐振器的谐振频率与所述第1弹性波谐振器的谐振频率不同，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：野阪浩司，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP