The invention discloses an isolation powder and its manufacturing method. By mixing high-temperature deactivated aluminium nitride powder and boron nitride powder, a binary mixed isolation powder is prepared, which can meet the requirements of use in low-temperature oxidation atmosphere and high-temperature inert atmosphere at the same time, has the effect of product isolation and lubrication without slippage, and can effectively prevent biochemical reaction and nitrogen in sintering process. The bonding of aluminium carbide substrates is beneficial to the warpage control of large size substrates. Over 90% of the warpage of substrates is controlled within 5 without ceramic leveling process, it can meet the application requirements of products and meet the requirements of isolation powder in different atmospheres and high temperature isolation lubrication in this industry.
【技术实现步骤摘要】
一种隔离粉及其制作方法
本专利技术属于电子陶瓷封装领域,具体涉及一种用于氮化铝陶瓷基板排胶工艺的隔离粉及所述隔离粉的制作方法。
技术介绍
随着电子信息、电力电子、半导体激光等行业装备的多功能化和自动化程度日益提高,要求电子线路系统必需具有功能完整、体积小、质量轻、高效率、高功率密度等特点,因而促进了相关的电子器件朝着大功率、高集成化和微型化方向迅速发展,与之相适应的承载电子线路的基板在质量上提出了更高的要求,尤其是基板材料的稳定性和热导率。传统的承载基板主要有氧化铝(Al2O3)、氧化铍(BeO),其中Al2O3基板因热导率(20~30W/m·K)低,其散热性能达不到要求,BeO因其加工过程产生粉末毒害而逐渐被淘汰,而氮化铝(AlN)以160~230W/m·K的高热导率、低介电常数、无毒害、热稳定性能良好等优点,逐渐在功率器件领域取代传统的Al2O3、BeO基板。目前,AlN基板已经在大功率模块电路、半导体激光器和LED等领域显示巨大优越性,具有广泛市场前景。AlN基板常见的成型方法有干压成型、注塑成型及流延成型(tapecasting)等,基板的制作工艺流程主要有生坯成型、排胶、烧结、后处理等。为了提高生产效率,一般排胶、烧结工艺都采取多片叠层的方式,两片生坯之间采用隔离粉隔离。其中氮化铝生坯排胶大部分在600℃以下的氧化气氛进行,而烧结则在1850℃左右惰性或者还原气氛下进行。因此,氮化铝陶瓷领域及相关类似领域对隔离粉的要求较高,既要满足润滑隔离效果,又要满足低温(700℃以下)氧化气氛下以及高温环境(惰性或者还原性气氛)下的使用要求,同时要求隔离粉不 ...
【技术保护点】
1.一种隔离粉,其特征在于,所述隔离粉由均经过高温去活的氮化铝粉体和氮化硼粉体混合而成。
【技术特征摘要】
1.一种隔离粉,其特征在于,所述隔离粉由均经过高温去活的氮化铝粉体和氮化硼粉体混合而成。2.如权利要求1所述的隔离粉,其特征在于,所述隔离粉中氮化硼粉体和氮化铝粉体的质量比为(5~8):(5~2)。3.如权利要求1或2所述的隔离粉,其特征在于,所述氮化铝粉体的平均粒度D50为0.5~1.6μm,比表面积为2.8~5m2/g,氧含量小于1.5%;所述氮化硼粉体的平均粒度D50为0.5~10μm,比表面积为4~10m2/g,氧含量小于0.9%。4.一种如权利要求3所述的隔离粉的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:a、将氮化铝粉体和氮化硼粉体分别进行去杂质处理;b、将去杂质后的氮化铝粉体和氮化硼粉体分别破碎过筛后高温去活;c、将高温去活后的氮化铝粉体和氮化硼粉体混合均匀,制得隔离粉。5.如权利要求4所述的制作方法,其特征在于,步骤a中,氮化硼粉体的去杂质处理为将...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭军,党军杰,张浩,田晨光,孙登琼,李建青,史常东,崔嵩,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十三研究所,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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