一种隔离型IGBT管正负压驱动电路及其方法技术

本发明专利技术公开了一种隔离型IGBT管正负压驱动电路及其方法，包括：隔离供电单元、信号传输单元、正负压转换单元和栅极驱动单元；隔离供电单元用于接收外部供电；隔离供电单元的输出端用于给信号传输单元、正负压转换单元和栅极驱动单元供电；信号传输单元的输入端用于接收外部信号；信号传输单元的输出端用于给栅极驱动单元提供信号；正负压转换单元的输入端与隔离供电单元的输出端相连；正负压转换单元的输出端与栅极驱动单元的输入端相连；栅极驱动单元的输出端用于驱动IGBT管。本发明专利技术采用新的驱动方法，简化电路结构，降低成本，实现更快的开关速度，提高系统的稳定性和性能，提供更高的隔离电压能力，减少额外的电压转换和隔离措施。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及igbt驱动领域，具体涉及一种隔离型igbt管正负压驱动电路及其方法。

技术介绍

1、igbt(insulated gate bipolar transistor，隔离栅双极晶体管)是一种大功率半导体器件，具有晶体管和mosfet的特性，被广泛应用于新能源汽车、光伏、风电、高铁等领域。igbt的主要作用是在高功率电路中实现电流的控制和开关功能。由于igbt在工作过程中承受较大的功率和电压，安全可靠地驱动igbt成为一种重要的技术难题。

2、目前，驱动igbt的方法之一是通过光耦隔离实现。光耦隔离器件通常由发光二极管(led)和光敏晶体管(phototransistor)组成。工作原理是通过电流驱动led，使其产生光信号，进而控制光敏晶体管的电导。光敏晶体管输出的电流信号用于控制igbt的驱动电路。光耦隔离器件能够实现电气隔离，防止高电压和高电流影响控制电路，从而提高系统的安全性。此外，光耦隔离器件具有高绝缘电阻、低耦合电容和低传导电阻等特点，有助于减少信号传输的干扰和损耗。

3、尽管光耦隔离器件在驱动igbt方面具有一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种隔离型IGBT管正负压驱动电路，其特征在于，包括：隔离供电单元、信号传输单元、正负压转换单元和栅极驱动单元；

2.根据权利要求1所述一种隔离型IGBT管正负压驱动电路，其特征在于，所述隔离供电单元包括接地电阻RF-SET、压控振荡器、第一运算放大器DC1、第二运算放大器DC2、第一驱动MOS管Q1和第二驱动MOS管Q2；

3.根据权利要求2所述一种隔离型IGBT管正负压驱动电路，其特征在于，所述隔离供电单元还包括第一变压器T1和第二变压器T2；

4.根据权利要求1所述一种隔离型IGBT管正负压驱动电路，其特征在于，所述信号传输单元将输入的PWM...

【技术特征摘要】

1.一种隔离型igbt管正负压驱动电路，其特征在于，包括：隔离供电单元、信号传输单元、正负压转换单元和栅极驱动单元；

2.根据权利要求1所述一种隔离型igbt管正负压驱动电路，其特征在于，所述隔离供电单元包括接地电阻rf-set、压控振荡器、第一运算放大器dc1、第二运算放大器dc2、第一驱动mos管q1和第二驱动mos管q2；

3.根据权利要求2所述一种隔离型igbt管正负压驱动电路，其特征在于，所述隔离供电单元还包括第一变压器t1和第二变压器t2；

4.根据权利要求1所述一种隔离型igbt管正负压驱动电路，其特征在于，所述信号传输单元将输入的pwm信号的上升沿和下降沿拆分为两组脉冲信号，通过脉冲变压器隔离后转换回原pwm信号。

5.根据权利要求1所述一种隔离型igbt管正负压驱动电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张泽宇，李彩侠，吴昊，张全林，柳建明，董玉琴，袁宝山，丁伟，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十三研究所，
类型：发明
国别省市：