【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及信号转换器，包含(但不限于)用于射频(rf)系统中的数/模转换器(dac)。
技术介绍
1、以高信号频率操作的dac(例如电流导向dac)可至少部分由于输出处寄生电容的非线性性质而遭受性能下降。
技术实现思路
1、一方面，本公开提供一种转换器，其包括多个单位单元，其中所述单位单元各自包括第一晶体管及第二晶体管，其中所述第一晶体管与单位单元的输出串联耦合且其中所述第二晶体管经配置以具有减小所述第一晶体管的非线性电容特性的电容特性。
2、另一方面，本公开提供一种转换器，其包括多个单位单元，其中所述单位单元各自包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容元件及第二电容元件，所述第一晶体管经配置以驱动第一输出处的信号，所述第二晶体管经配置以驱动第二输出处的信号，其中所述第三晶体管经配置以减小由所述第一晶体管经历的输出摆幅，其中所述第四晶体管经配置以减小由所述第二晶体管经历的输出摆幅，其中所述第一电容元件经配置以具有减小所述第一晶体管的非线性电容特性的电容特性，其中所述第二电容元件经配置以具有减小所述第二晶体管的非线性电容特性的电容特性。
3、另一方面，本公开提供一种减小转换器的非线性电容响应的方法，所述转换器包括多个单位单元，其中所述单位单元各自包括第一晶体管及第二晶体管，其中所述第一晶体管与单位单元的第一输出串联耦合，其中所述第二晶体管与所述单位单元的第二输出串联耦合，所述方法包括：加偏压于第一有源元件，使得所述第一有源元件具有减小
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1.一种转换器，其包括：
2.根据权利要求1所述的转换器，其中所述单位单元是电压或电流模式数/模转换器单元。
3.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管各自是N沟道晶体管或各自是P沟道晶体管。
4.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述输出。
5.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述输出且偏压电路耦合到所述第二晶体管的漏极及所述第二晶体管的源极，所述漏极及所述源极耦合在一起。
6.根据权利要求1所述的转换器，其中偏压电路耦合到所述第二晶体管且所述偏压电路接收所述输出处的信号。
7.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述输出且偏压电路耦合于所述第二晶体管的漏极与所述第二晶体管的源极之间。
8.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第一晶体管的所述非线性电容特性与寄生栅极漏极电容相关联。
9.根据权利要求1所述的转换器，其中所述单位单元各自包括第三晶体管，其中所述第三晶体管耦合到所述单位单元的另
10.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第一晶体管是串叠晶体管。
11.根据权利要求1所述的转换器，其中所述单位单元各自包括与所述第一晶体管串联耦合的第三晶体管，其中所述第一晶体管及所述第三晶体管是串叠晶体管且所述第一晶体管在所述第三晶体管与所述输出之间。
12.一种转换器，其包括：
13.根据权利要求12所述的转换器，其中所述单位单元是电流模式数/模转换器单元且其中所述第一电容元件及所述第二电容元件各自是N沟道晶体管或各自是P沟道晶体管。
14.根据权利要求13所述的转换器，其中所述第一电容元件的栅极耦合到所述第一输出且第一偏压电路耦合于所述第一电容元件的漏极与所述第二电容元件的源极之间。
15.根据权利要求14所述的转换器，其中所述第二电容元件的栅极耦合到所述第二输出且第二偏压电路耦合于所述第二电容元件的漏极与所述第二电容元件的源极之间。
16.根据权利要求15所述的转换器，其中所述第一电容元件及所述第二电容元件是N沟道晶体管。
17.一种减小转换器的非线性电容响应的方法，其包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一有源元件是配置为电容器的晶体管。
19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
20.根据权利要求17所述的方法，其中所述第一有源元件使用所述第一输出处的输出信号来偏压。
...【技术特征摘要】
1.一种转换器，其包括：
2.根据权利要求1所述的转换器，其中所述单位单元是电压或电流模式数/模转换器单元。
3.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管各自是n沟道晶体管或各自是p沟道晶体管。
4.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述输出。
5.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述输出且偏压电路耦合到所述第二晶体管的漏极及所述第二晶体管的源极，所述漏极及所述源极耦合在一起。
6.根据权利要求1所述的转换器，其中偏压电路耦合到所述第二晶体管且所述偏压电路接收所述输出处的信号。
7.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述输出且偏压电路耦合于所述第二晶体管的漏极与所述第二晶体管的源极之间。
8.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第一晶体管的所述非线性电容特性与寄生栅极漏极电容相关联。
9.根据权利要求1所述的转换器，其中所述单位单元各自包括第三晶体管，其中所述第三晶体管耦合到所述单位单元的另一输出且其中所述第三晶体管经配置以具有减小所述第二晶体管的非线性电容特性的电容特性。
10.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第一晶体管是串叠晶体管。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：J·穆尔德，F·万德胡斯，M·梅赫普，S·王，
申请(专利权)人：安华高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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