【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元器件加工，特别涉及铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法。
技术介绍
1、铁氧体隔离器环形器是一种实现信号单向传输的微波无源器件，一般为三端口或四端口，利用铁氧体基材料独特的旋磁性，使其中电磁波的传输只沿单方向环行将功率全部馈给负载，而对负载的反射波则产生较大的衰减，这种单向传输特性可以用于隔离负载变动对信号源的影响。铁氧体隔离器环形器一般由铁氧体薄膜微带基片、导线、匹配电路等构成。
2、目前的铁氧体薄膜微带基板与负载元件连接是通过外接的方式完成的，其要求铁氧体薄膜微带基板与负载元件之间具备额外的电路设计和布局，大大的降低了铁氧体隔离器环形器的可靠性，同时，外接负载的方式也导致了整体器件的尺寸增加，占用更多的空间。
3、因此，如何在铁氧体隔离器薄膜微带基板的局部集成负载，以降低铁氧体隔离器环形器的体积并提高其可靠性，成为了亟待解决的技术难题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，旨在在铁氧体隔离器薄膜微带基板的局部集成负载，以降低铁氧体隔离器环形器的体积并提高其可靠性。
2、为了实现上述目的，本专利技术提出一种铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，包括以下步骤：
3、在薄膜微带基板上依次形成tan层、wti层、以及au层，在au层上涂覆第一光刻胶，对第一光刻胶进行曝光显影后，对未曝光的区域进行刻蚀，以在薄膜微带基板上形成预定尺寸的负载柱体，所述负载柱体从
4、在薄膜微带基板上形成完全包覆负载柱体的n i cr层，并在n i cr层上形成au层，在au层上涂覆第二光刻胶，对位于负载柱体两侧的第二光刻胶进行曝光显影后，对未曝光的区域进行刻蚀并使位于曝光的第二光刻胶之间的tan层显露，从而在薄膜微带基板上形成局部负载；其中，位于负载柱体两侧被曝光的光刻胶之间的距离小于负载柱的宽度。
5、在本申请的一实施例中，在薄膜微带基板上依次形成tan层、wt i层、以及au层之前，还包括以下步骤：
6、s1：使用中性清洗剂对薄膜微带基板超声第一预设时间；
7、s2：使用去离子水对薄膜微带基板超声第二预设时间；
8、s3：使用丙酮超声对薄膜微带基板超声第三预设时间；
9、s4：至少重复一次步骤s2至s3。
10、在本申请的一实施例中，所述第一预设时间为50分钟；第二预设时间为30分钟；第三预设时间为40分钟。
11、在本申请的一实施例中，所述薄膜微带基板为铁氧体陶瓷基板。
12、在本申请的一实施例中，所述tan层的阻值为50ω/□，所述wt i的厚度为0.1μm。
13、在本申请的一实施例中，在au层上涂覆第一光刻胶，对第一光刻胶进行曝光显影，包括以下步骤：
14、甩胶机先采用转速600rpm持续5s，然后采用1800rpm持续15秒在au层上覆盖第一光刻胶；
15、将带有第一光刻胶的薄膜微带基板在115℃下烘烤5分钟，用于除去第一光刻胶中的水分；
16、待烘烤完成后，通过曝光能量7.6mw/cm2持续15秒对第一光刻胶进行曝光；
17、待曝光完成后，对第一光刻胶进行第四预设时间的显影。
18、在本申请的一实施例中，定义第四预设时间t，90秒≥t≥60秒。
19、在本申请的一实施例中，在薄膜微带基板上形成完全包覆负载柱体的n i cr层之间还包括对带有负载柱体的薄膜微带基板进行如下步骤：
20、s1：使用酸性溶液浸泡对薄膜微带基板浸泡第二预设时间；
21、s2：使用中性清洗剂对薄膜微带基板超声第一预设时间
22、s3：使用去离子水对薄膜微带基板超声第二预设时间；
23、s4：使用丙酮超声对薄膜微带基板超声第三预设时间；
24、s5：至少重复一次步骤s3至s4。
25、在本申请的一实施例中，对未曝光的区域进行刻蚀并使位于曝光的第二光刻胶之间的tan层显露，包括如下步骤：
26、s1：采用金腐蚀液腐蚀au层，腐蚀液温度30摄氏度，腐蚀时间50秒；
27、s2：待腐蚀完成后采用丙酮浸泡薄膜微带基板5分钟，去除薄膜微带基板上的第二光刻胶；
28、s3：采用n i cr腐蚀液腐蚀薄膜微带基板上的n i cr层，腐蚀温度75摄氏度，腐蚀时间20秒，腐蚀后去离子水冲洗2分钟；
29、s4：采用双氧水，温度70摄氏度，腐蚀10秒，以去除负载tan上的wt i膜层，使位于曝光的第二光刻胶之间的tan层显露。
30、采用上述技术方案，可以在铁氧体隔离器薄膜微带基板的局部集成负载，以降低铁氧体隔离器环形器的体积并提高其可靠性。
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1.一种铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，在薄膜微带基板上依次形成TaN层、WTi层、以及Au层之前，还包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，所述第一预设时间为50分钟；第二预设时间为30分钟；第三预设时间为40分钟。
4.如权利要求1所述的铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，所述薄膜微带基板为铁氧体陶瓷基板。
5.如权利要求1所述的铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，所述TaN层的阻值为50Ω/□，所述WTi的厚度为0.1μm。
6.如权利要求1所述的铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，在Au层上涂覆第一光刻胶，对第一光刻胶进行曝光显影，包括以下步骤：
7.如权利要求6所述的铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，定义第四预设时间T，90秒≥T≥60秒。
<...【技术特征摘要】
1.一种铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，在薄膜微带基板上依次形成tan层、wti层、以及au层之前，还包括以下步骤：
3.如权利要求2所述的铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，所述第一预设时间为50分钟；第二预设时间为30分钟；第三预设时间为40分钟。
4.如权利要求1所述的铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，所述薄膜微带基板为铁氧体陶瓷基板。
5.如权利要求1所述的铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，所述tan层的阻值为50ω/□，所述wti...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚艺龙，郑国强，夏寅，黄陈欢，刘俊夫，李林森，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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