一种低压差线性稳压器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低压差线性稳压器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2以及第一误差放大器AMP1，所述的第一MOS管M1和第四MOS管M4的源极均接电源Vcc，所述的第一MOS管M1的栅极分别与第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极相连，所述的第二MOS管M2的栅极通过电容C1接地，并与误差放大器AMP1的输出相连，所述的第二MOS管M2的漏极分别与第三MOS管M3、第五MOS管M5的源极相连，所述的第三MOS管M3的栅极接Vb3，第三MOS管M3的源极接地，所述的第四MOS管M4的栅极接Vb1，所述的第五MOS管M5的栅极接Vb2。本实用新型专利技术与现有技术相比的优点在于：同时具备快速反馈和慢速反馈双路反馈环路。

A Low Dropout Linear Regulator

The utility model discloses a low-voltage differential linear regulator, which comprises a first MOS transistor M1, a second MOS transistor M2, a third MOS transistor M3, a fourth MOS transistor M4, a fifth MOS transistor M5, a first resistor R1, a second resistor R2, a first MIM capacitor C1, a second MIM capacitor C2 and a first error amplifier AMP1. The first MOS transistor M1 and the fourth MOS transistor M4 are connected by a source-pole power Vcc, and the gate of the first MOS trans The drain poles of the second MOS transistor M2 are connected with the drain poles of the fourth MOS transistor M4 and the fifth MOS transistor M5 respectively. The gate poles of the second MOS transistor M2 are grounded by capacitance C1 and are connected with the output of the error amplifier AMP1. The drain poles of the second MOS transistor M2 are connected with the source poles of the third MOS transistor M3, the source poles of the third MOS transistor M3, and the source poles of the fourth MOS transistor M3 respectively. The gate of the tube M4 is connected with Vb1, and the gate of the fifth MOS tube M5 is connected with Vb2. Compared with the prior art, the utility model has the advantages of fast feedback and slow feedback.

【技术实现步骤摘要】
一种低压差线性稳压器
本技术涉及稳压器
，具体是指一种低压差线性稳压器。
技术介绍
低压差线性稳压器是应用在片上全集成低压差线性稳压器LDO模块，其用途是在芯片中为子模块提供经过线性调节的电源电压，同时最小化面积和功率，降低成本。目前，在主流的CMOS工艺中设计低压差线性稳压器(LDO)，仍然面临着一些技术挑战。主要难点在于普通低压差线性稳压器中，输出准确度(精度)高的稳压器的瞬态响应电压回稳时间慢，而电压回稳时间快的稳压器的输出准确率低。
技术实现思路
本技术的目的是克服以上的技术缺陷，提供一种低压差线性稳压器，同时具备快速反馈和慢速反馈双路反馈环路。为解决上述技术问题，本技术提供的技术方案为：一种低压差线性稳压器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2以及第一误差放大器AMP1，所述的第一MOS管M1和第四MOS管M4的源极均接电源Vcc，所述的第一MOS管M1的栅极分别与第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极相连，所述的第二MIM电容C2分别与第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的源极、输出Vout相连，所述的第二MOS管M2的栅极通过电容C1接地，并与误差放大器AMP1的输出相连，所述的第二MOS管M2的漏极分别与第三MOS管M3、第五MOS管M5的源极相连，所述的第三MOS管M3的栅极接Vb3，第三MOS管M3的源极接地，所述的第四MOS管M4的栅极接Vb1，所述的第五MOS管M5的栅极接Vb2。本技术与现有技术相比的优点在于：本技术提出一种新的结构，设计了一种同时具备快速反馈和慢速反馈双路反馈环路，解决了现有技术中输出准确度高的稳压器的瞬态响应电压回稳时间慢，而电压回稳时间快的稳压器的输出准确率低的技术问题。作为改进，所述的第一误差放大器AMP1正输入端接Vin，负输入端通过R2与Vout相连，通过R1接地。作为改进，所述的第一MIM电容C1的阳极接第一误差放大器AMP1的输出端Vout，阴极接地。作为改进，所述的第二MIM电容C2的阳极分别与第一MOS管M1的栅极、第四MOS管M4的漏极和第五MOS管M5的漏极相连，阴极与第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的源极、输出端Vout相连。附图说明图1是本技术一种低压差线性稳压器的电路图结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术做进一步的详细说明。一种低压差线性稳压器，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2以及第一误差放大器AMP1，所述的第一MOS管M1和第四MOS管M4的源极均接电源Vcc，所述的第一MOS管M1的栅极分别与第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极相连，所述的第二MIM电容C2分别与第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的源极、输出Vout相连，所述的第二MOS管M2的栅极通过电容C1接地，并与误差放大器AMP1的输出相连，所述的第二MOS管M2的漏极分别与第三MOS管M3、第五MOS管M5的源极相连，所述的第三MOS管M3的栅极接Vb3，第三MOS管M3的源极接地，所述的第四MOS管M4的栅极接Vb1，所述的第五MOS管M5的栅极接Vb2。所述的第一误差放大器AMP1正输入端接Vin，负输入端通过R2与Vout相连，通过R1接地。所述的第一MIM电容C1的阳极接第一误差放大器AMP1的输出端Vout，阴极接地。所述的第二MIM电容C2的阳极分别与第一MOS管M1的栅极、第四MOS管M4的漏极和第五MOS管M5的漏极相连，阴极与第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的源极、输出端Vout相连。本技术在具体实施时，该电路中同时存在慢速环路和快速环路，慢速环路包括误差放大器AMP1，电容C1和MOS管M2，它可以通过偏置M2将直流电平设置为Vout-Vgs(M2)，输出和输入关系为快速环路包括M2、M3、M4和M5，当Vout在交流事件中发生变化，则变化将快速折回快速环路，以负反馈形式传输到M1的栅极，回稳瞬态响应的电压。以上对本技术及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本技术的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本技术创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低压差线性稳压器，其特征在于：包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2以及第一误差放大器AMP1，所述的第一MOS管M1和第四MOS管M4的源极均接电源Vcc，所述的第一MOS管M1的栅极分别与第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极相连，所述的第二MIM电容C2分别与第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的源极、输出Vout相连，所述的第二MOS管M2的栅极通过电容C1接地，并与误差放大器AMP1的输出相连，所述的第二MOS管M2的漏极分别与第三MOS管M3、第五MOS管M5的源极相连，所述的第三MOS管M3的栅极接Vb3，第三MOS管M3的源极接地，所述的第四MOS管M4的栅极接Vb1，所述的第五MOS管M5的栅极接Vb2。

【技术特征摘要】
1.一种低压差线性稳压器，其特征在于：包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2以及第一误差放大器AMP1，所述的第一MOS管M1和第四MOS管M4的源极均接电源Vcc，所述的第一MOS管M1的栅极分别与第四MOS管M4的漏极、第五MOS管M5的漏极相连，所述的第二MIM电容C2分别与第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的源极、输出Vout相连，所述的第二MOS管M2的栅极通过电容C1接地，并与误差放大器AMP1的输出相连，所述的第二MOS管M2的漏极分别与第三MOS管M3、第五MOS管M5的源极相连，所述的第三MOS管M3...

【专利技术属性】
技术研发人员：许美程，唐一倩，沈剑均，
申请(专利权)人：南京集澈电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32