一种用于降压型DC-DC中的自适应频率补偿电路制造技术

技术编号:28089548 阅读:40 留言:0更新日期:2021-04-14 15:51
本实用新型专利技术公开了一种用于降压型DC

【技术实现步骤摘要】
一种用于降压型DC

DC中的自适应频率补偿电路


[0001]本技术涉及一种频率补偿电路,尤其是一种用于降压型DC

DC中的自适应频率补偿电路。

技术介绍

[0002]稳定性设计在整个DC

DC转换器设计过程中是至关重要的环节,合适的频率补偿可以提供足够的相位裕度和带宽从而使系统稳定,但是随着对DC

DC要求的不断提高,对DC

DC的负载范围提出了更高的要求,但是在不同的负载条件下,DC

DC的频率响应是不一致的,传统的频率补偿方案是采用固定频率补偿,难以使系统在很宽的负载范围内保持系统稳定。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种用于降压型DC

DC中的自适应频率补偿电路。
[0004]本技术的技术方案是:一种用于降压型DC

DC中的自适应频率补偿电路,包括第一MOS管M1,第二MOS管M2,第三MOS管M3,第四MOS管M4,第五MOS管M5,第六MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于降压型DC

DC中的自适应频率补偿电路,其特征在于:包括第一MOS管M1,第二MOS管M2,第三MOS管M3,第四MOS管M4,第五MOS管M5,第六MOS管M6,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第一运算放大器A1,第一电容Cc;第一电阻R1一端与第一运算放大器A1的正端相连,另一端接地;第一运算放大器A1正端与第一电阻R1相连,负端与第二电阻R2相连,输出端与第一MOS管M1的栅端相连;第二电阻R2的一端与第一运算放大器A1负端相连,同时又与第一MOS管M1的源端相连,另一端与第三电阻R3相连;第三电阻R3一端与第二电阻R2相连,另一端与地相连;第一MOS管M1的栅端与第一运算放大器A1的输出端相连,第一MOS管M1的漏端与第二MOS管M2的漏端相连,第一MOS管M1的源端与第一运算放大器A1的负向输入端相连,...

【专利技术属性】
技术研发人员:李志贞许美程沈剑均
申请(专利权)人:南京集澈电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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