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南京集澈电子科技有限公司专利技术
南京集澈电子科技有限公司共有9项专利
一种高压电荷泵升压电路制造技术
本实用新型公开了一种高压电荷泵升压电路,包含第一MOS管Q1,第二MOS管Q2,第三MOS管Q3,第四MOS管Q4,第五MOS管Q5,第一电容C1,第二电容C2,第三电容C3,第四电容C4,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第四...
一种高压电荷泵升压电路制造技术
一种效率高,低纹波,输出电压稳定且跟随输入电压线性变化的升压电路,包含第一MOS管Q1,第二MOS管Q2,第三MOS管Q3,第四MOS管Q4,第五MOS管Q5,第一电容C1,第二电容C2,第三电容C3,第四电容C4,第一电阻R1,第二电...
一种无源RC多相滤波器的版图结构制造技术
本实用新型公开了一种无源RC多相滤波器的版图结构,属于集成电路技术领域,本实用新型包括若干排串联设置的电阻阵列,还包括若干排串联连接的电容阵列,电容阵列设置于电阻阵列的中间。通过将面积较大的电容阵列放置在外围两侧,将面积较小的电阻阵列放...
一种用于降压型DC-DC中的自适应频率补偿电路制造技术
本实用新型公开了一种用于降压型DC
一种自校准张弛振荡器制造技术
本发明公开了一种自校准张弛振荡器,属于集成电路领域。本发明包括环形振荡器模块、数字校准模块、电流镜阵列模块、振荡器核心电路模块;本发明中通过振荡器核心电路模块连接数字校准模块,对其产生时钟信号,数字校准模块通过调节Nbits信号,控制电...
一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器制造技术
本实用新型涉及压控振荡器技术领域,且公开了一种具有高阻抗LC谐振腔的压控振荡器,包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第一电感Lc1、第二电感Lc2、第三电感La1、第四电感La2第一电容C1和第二电容C2,所述第一...
一种可修调的带隙基准制造技术
本实用新型公开了一种可修调的带隙基准,包括第一MOS管M1,第一双极管Q1,第二双极管Q2,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,可调电阻R4,第一误差放大器,所述的第一MOS管M1的源极接VDD,所述的第一MOS管M1的栅极与第一...
一种低压差线性稳压器制造技术
本实用新型公开了一种低压差线性稳压器,包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2以及第一误差放大器AMP1,所述的第一...
一种低压差线性稳压器制造技术
本发明公开了一种低压差线性稳压器,包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MIM电容C1、第二MIM电容C2以及第一误差放大器AMP1,所述的第一MO...
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