The invention provides a photolithographic alignment method, which includes: S1 carries out the first lithographic process on the substrate to be lithographic to obtain the first lithographic pattern, the first lithographic pattern includes the alignment mark of the next lithographic process; S2 carries out the second lithographic process on the surface of the first lithographic pattern to obtain the second lithographic pattern, and the second lithographic pattern includes the alignment mark of the next The third lithographic process is carried out on the second lithographic figure surface to obtain the third lithographic figure. If it is not the last lithographic process, the third lithographic figure includes the corresponding mark of the next lithographic process, otherwise it does not include the corresponding mark of the next lithographic process. By using one-to-one alignment method, the error is limited to each lithography, and the resulting pattern will not exceed the previous lithography pattern, avoiding cumulative error, greatly improving the process stability and yield to ensure that the alignment accuracy of the graphic design within the alignment accuracy of the lithography machine is accurate, and there is no pattern offset.
【技术实现步骤摘要】
一种光刻对准方法
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种光刻对准方法。
技术介绍
半导体器件的制造需要经过上百道工艺,光刻工艺作为图案化的主要工艺步骤,在半导体器件的制造过程中处于举足轻重的地位。随着半导体器件结构的日趋复杂,光刻工序越来越多,为了保证半导体器件的制备良率,光刻图形之间的相互对准显得尤为重要。目前,大多将光刻过程中需要的对位标记设计在第一道光刻使用的光刻板中,如图1(a)和图1(b)所示,其中,如图1(a)为第一道光刻的光刻板,图1(b)为光刻板中的对位标记;在第一道光刻中得到如图1(c)所示的光刻图形后,如图1(d)所示采用2号对位标记进行第二道光刻工艺的对准操作,得到如图1(e)所示的光刻图形;之后采用如图1(f)所示的3号对位标记进行第三道光刻工艺的对准操作,得到如图1(g)所示的光刻图形。从图中可以看出,将所有的对位标记设计在一道光刻的图形中,当不同光刻图形间距接近光刻机的对准精度时,极可能出现由于累积误差产生的图形偏移情况,从而造成芯片失效、良率下降。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术旨在提供一种光刻对准方法,有效提升晶圆片的切割效率和稳定性。为达到上述目的,本专利技术提供的技术方案如下:一种光刻对准方法,光刻工艺中包括三道或三道以上光刻工序,所述对准方法中包括:S1在待光刻基底上进行第一道光刻工序得到第一光刻图形,所述第一光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记;S2在所述第一光刻图形表面进行第二道光刻工序得到第二光刻图形,所述第二光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记;S3在所述第二光刻图形表面进行第三道光刻工序得到第三光 ...
【技术保护点】
1.一种光刻对准方法,其特征在于,光刻工艺中包括三道或三道以上光刻工序,所述对准方法中包括:S1在待光刻基底上进行第一道光刻工序得到第一光刻图形,所述第一光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记;S2在所述第一光刻图形表面进行第二道光刻工序得到第二光刻图形,所述第二光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记;S3在所述第二光刻图形表面进行第三道光刻工序得到第三光刻图形,其中,当其不为最后一道光刻工序,则所述第三光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记,否则不包括下一道光刻工序的对位标记。
【技术特征摘要】
1.一种光刻对准方法,其特征在于,光刻工艺中包括三道或三道以上光刻工序,所述对准方法中包括:S1在待光刻基底上进行第一道光刻工序得到第一光刻图形,所述第一光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记;S2在所述第一光刻图形表面进行第二道光刻工序得到第二光刻图形,所述第二光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记;S3在所述第二光刻图形表面进行第三道光刻工序得到第三光刻图形,其中,当其不为最后一道光刻工序,则所述第三光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记,否则不包括下一...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄涛,
申请(专利权)人:晶能光电江西有限公司,
类型:发明
国别省市:江西,36
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