薄膜晶体管阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置,该薄膜晶体管阵列基板包括基板；形成于基板上的底栅极；形成于底栅极和基板上的第一绝缘层；形成于第一绝缘层上且位于底栅极上方的有源层；形成于有源层两侧的源极以及漏极；形成于第一绝缘层、有源层、源极以及漏极上的第二绝缘层；形成于第二绝缘层上且位于有源层上方的顶栅极；其中，有源层包括氢化非晶硅层、掺杂非晶硅层以及位于氢化非晶硅层与掺杂非晶硅层之间的氯化非晶硅层。本实用新型专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置，在提升开态电流的同时降低了漏电流，提高了像素开关的基本性能。

Thin Film Transistor Array Substrate and Display Device

The utility model provides a thin film transistor array substrate and a display device. The thin film transistor array substrate comprises a substrate; a bottom gate formed on the substrate; a first insulating layer formed on the bottom gate and the base plate; an active layer formed on the first insulating layer and above the bottom gate; a source and a drain formed on both sides of the active layer; and a bottom gate formed on the first insulating layer and an active layer. The second insulating layer on the source and drain; the top gate formed on the second insulating layer and above the active layer; the active layer includes the hydrogenated amorphous silicon layer, the doped amorphous silicon layer and the chlorinated amorphous silicon layer between the hydrogenated amorphous silicon layer and the doped amorphous silicon layer. The utility model provides a thin film transistor array substrate and a display device, which improves the open-state current while reducing the leakage current and improves the basic performance of the pixel switch.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及显示装置
本技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。
技术介绍
随着消费者对电子产品其性能的要求不断提升，开发高对比、高亮度、宽视角、低功耗、窄边框的产品，已成为面板厂所面临的重要问题。而充当像素开关的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)，其性能是影响开发的主要限制因素。传统非晶硅TFT的电子迁移率只有0.3～1cm2/V·s，电子迁移率较小，从而导致TFT的响应速度较慢，影响TFT的开关速度，为了使TFT获得更高的电子迁移率，需要在设计TFT时增大有源层的尺寸，然而，这种方法无法保证TFT的可靠性并且会导致阵列基板的边框区域的面积也增大，不利于显示装置向窄边框趋势发展。
技术实现思路
鉴于此，本技术的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置，以解决传统非晶硅TFT中电子迁移率较低，而导致薄膜晶体管的响应速度较慢、影响TFT开关速度的问题。为实现上述目的，本技术首先提供一种薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括基板；形成于所述基板上的底栅极；形成于所述底栅极和所述基板上的第一绝缘层；形成于所述第一绝缘层上且位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板(10)；形成于所述基板(10)上的底栅极(11)；形成于所述底栅极(11)和所述基板(10)上的第一绝缘层(12)；形成于所述第一绝缘层(12)上且位于所述底栅极(11)上方的有源层(13)；形成于所述有源层(13)两侧的源极(14a)以及漏极(14b)；形成于所述第一绝缘层(12)、所述有源层(13)、所述源极(14a)以及所述漏极(14b)上的第二绝缘层(15)；形成于所述第二绝缘层(15)上且位于所述有源层(13)上方的顶栅极(181)；其中，所述有源层(13)包括氢化非晶硅层(131)、掺杂非晶硅层(133)以及位...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板(10)；形成于所述基板(10)上的底栅极(11)；形成于所述底栅极(11)和所述基板(10)上的第一绝缘层(12)；形成于所述第一绝缘层(12)上且位于所述底栅极(11)上方的有源层(13)；形成于所述有源层(13)两侧的源极(14a)以及漏极(14b)；形成于所述第一绝缘层(12)、所述有源层(13)、所述源极(14a)以及所述漏极(14b)上的第二绝缘层(15)；形成于所述第二绝缘层(15)上且位于所述有源层(13)上方的顶栅极(181)；其中，所述有源层(13)包括氢化非晶硅层(131)、掺杂非晶硅层(133)以及位于所述氢化非晶硅层(131)与所述掺杂非晶硅层(133)之间的氯化非晶硅层(132)。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述氢化非晶硅层(131)、所述氯化非晶硅层(132)和所述掺杂非晶硅层(133)在所述第一绝缘层(12)上依次沉积形成。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述氢化非晶硅层(131)形成于所述第一绝缘层(12)上，对所述氢化非晶硅层(131)的上部分进行氯离子布植，以形成氯化非晶硅层(132)，所述掺杂非晶硅层(133)形成于所述氯化非晶硅层(132)上。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括形成于所述第二绝缘层(15)上的平坦层(16)，所述平坦层(16)设有贯穿所述平坦层(16)的第一过孔(160)，以露出位于所述源极(14a)和所述漏极(14b)上方的所述第二绝缘层(15)；形成于所述平坦层(16)上的第一电极层(171)；形成于所述第一电极层(171)、所述平坦层(16)、所述第二绝缘层(15)和所述顶栅极(181)上的第三绝缘层(19)；形成于所述第三绝缘层(19)上的第二电极层(20)。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘仕彬，钟德镇，廖家德，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32