气相生长装置及外延晶片的制造方法制造方法及图纸

气相生长装置1包括反应炉2、导入通路8、多条流路15a、分支路14a、及分割通路16b。反应炉2通过原料气体使外延层气相生长于基板W。导入通路8包括：入口8a，其通往反应炉2内；出口8b，其位于入口8a的上方且较入口8a靠反应炉2侧并且到达反应炉2内；及阶部8c，其位于导入通路8内。多条流路15a为32条以上，且自入口8a延伸至入口8a的外侧。分支路14a使多条流路15a自入口8a侧朝向原料气体的上游侧呈竞赛状合流。分割通路16b为将导入通路8与多条流路15a对应地分割而成的通路，且分别与多条流路15a连接并相通。由此，提供一种气相生长装置，其能够使生长于基板上的外延层的膜厚的均匀性良好。

Gas Growth Device and Manufacturing Method of Epitaxy Wafer

The gas phase growth device 1 comprises a reaction furnace 2, an introduction channel 8, a plurality of flow paths 15a, a branch channel 14a, and a separation channel 16b. Reactor 2 makes the epitaxial layer grow on the substrate W by feeding gas. The inlet passage 8 includes: the inlet 8a, which leads to the reactor 2; the outlet 8b, which lies above the inlet 8a and reaches the reactor 2 side as compared with the inlet 8a; and the step 8c, which is located in the inlet passage 8. There are more than 32 flow paths in 15a, and they extend from 8A to the outside of 8a. The Branch Road 14a makes many flow paths 15A from the side of the entrance 8A to the upstream side of the raw gas in a competitive confluence. The partitioning pathway 16b is a pathway that divides the lead-in pathway 8 into several streams corresponding to 15a, and is connected and connected with several streams respectively. Thus, a gas phase growth device is provided, which can make the film thickness uniformity of the epitaxial layer grown on the substrate good.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气相生长装置及外延晶片的制造方法
本专利技术涉及一种气相生长装置及外延晶片的制造方法。
技术介绍
伴随着半导体集成电路的微细化，形成于成为半导体集成电路基础的半导体基板的图案被微细化，而对半导体基板所要求的质量变得更加严格。对半导体基板所要求的质量之中，尤其对平坦度的要求极其高。而且，关于半导体基板中用于多种用途的外延晶片，兼顾基板的平坦度与外延层的平坦度为课题。而且，该外延层的平坦度很大程度上受外延层的膜厚分布影响。由此，为了满足所要求的外延层的平坦度，必须使外延层的膜厚分布的均匀性更加良好。目前，针对制造直径300mm的外延晶片，使用单片式的气相生长装置。此种气相生长装置大致包括：供给使外延层生长于基板的原料气体的机构、藉由所供给的原料气体而于基板生长外延层的反应炉、以及将反应炉内的气体排出的机构。作为供给原料气体的机构，自原料气体的上游侧起依序具备注入盖(以下，称为「盖」)、挡板、及注入嵌件(以下，称为「嵌件」)。盖具有在将原料气体导入反应炉内时供原料气体通过的空间。挡板为夹持于盖与嵌件之间的板状构件，且具有将盖内的原料气体引导至嵌件的多个贯通孔，通过该贯通孔而调整朝向嵌件的原本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气相生长装置，其特征在于，包括：反应炉，其通过原料气体使外延层气相生长于基板；通路，其包括通往上述反应炉内的入口、及位于上述入口的上方且较上述入口靠上述反应炉侧并且到达上述反应炉内之出口，将上述入口与上述出口连接从而将上述原料气体导入上述反应炉内；阶部，其位于上述通路内，且包括与上述入口对向的第1面及自上述第1面的上端延伸至上述出口的第2面；多条流路，其自上述入口延伸至上述入口的外侧，用于将上述原料气体引导至上述入口，且为32条以上；合流路，其为上述多条流路自上述入口侧朝向上述原料气体的上游侧呈竞赛状合流并于上述原料气体的上游侧相连；及多条分割通路，其沿着上述原料气体流动的方向与上述多...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.05 JP 2016-1727511.一种气相生长装置，其特征在于，包括：反应炉，其通过原料气体使外延层气相生长于基板；通路，其包括通往上述反应炉内的入口、及位于上述入口的上方且较上述入口靠上述反应炉侧并且到达上述反应炉内之出口，将上述入口与上述出口连接从而将上述原料气体导入上述反应炉内；阶部，其位于上述通路内，且包括与上述入口对向的第1面及自上述第1面的上端延伸至上述出口的第2面；多条流路，其自上述入口延伸至上述入口的外侧，用于将上述原料气体引导至上述入口，且为32条以上；合流路，其为上述多条流路自上述入口侧朝向上述原料气体的上游侧呈竞赛状合流并于上述原料气体的上游侧相连；及多条分割通路，其沿着上述原料气体流动的方向与上述多条流路对应地将上述通路进行分割，且分别与上述多条流路连接并相通。2.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，其中，上述分割通路自上述入口经由上述阶部而朝...

【专利技术属性】
技术研发人员：大西理，桝村寿，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP