The invention provides a structure and a preparation method of a constant-closure GaO field effect transistor, belonging to the technical field of semiconductor devices, which comprises a substrate layer and an n-type doped GaO channel layer from bottom to top. The n-type doped GaO channel layer is provided with a source, a drain and a gate, the gate is located between the source and the drain, and the n-type doped oxidation under the gate. The gallium channel layer is provided with an electronic channel area. The constant-closing GaO field effect transistor structure provided by the invention does not need to prepare grooves under the gate, but forms an electronless channel area through high temperature oxidation, and forms a gate on the electronless channel area, avoiding the problems of etching damage and uncontrollable etching depth, and improving the saturated current and breakdown voltage.
【技术实现步骤摘要】
常关型氧化镓场效应晶体管结构及制备方法
本专利技术属于半导体器件
,更具体地说,是涉及一种常关型氧化镓场效应晶体管结构及制备方法。
技术介绍
由于缺乏有效的P型掺杂和注入技术,常关型氧化镓场效应晶体管通常采用栅下深凹槽技术实现,凹槽一般通过干法刻蚀实现。利用栅下深凹槽技术实现常关型氧化镓场效应晶体管器件,刻蚀深度不可控,阈值不稳定;氧化镓具有较强的抗刻蚀性,干法刻蚀会导致栅下凹槽表面粗糙不平整,从而会导致器件工作时栅下区域出现尖峰电场,影响器件的击穿特性,同时,刻蚀会引入材料损伤问题,会严重影响器件饱和电流和击穿电压。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种常关型氧化镓场效应晶体管结构,以解决现有栅下深凹槽技术存在的刻蚀深度不可控、存在刻蚀损伤、表面粗糙、阙值不稳定、严重影响饱和电流和击穿电压等技术问题。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:提供一种常关型氧化镓场效应晶体管结构,自下至上包括衬底层和n型掺杂氧化镓沟道层,所述n型掺杂氧化镓沟道层上设有源极、漏极和栅极,所述栅极位于所述源极和所述漏极之间,所述栅极下方的所述n型掺杂氧化镓沟道层内设有无电子沟道区。进一步地,所述无电子沟道区的长度小于等于所述栅极的长度。进一步地,所述无电子沟道区的数量为大于等于1的整数,所述栅极的数量为大于等于1的整数,且所述无电子沟道区均位于所述栅极的下方。进一步地,所述衬底层为至少一层半导体材料、金属材料或者绝缘介质,其中,与所述n型掺杂氧化镓沟道层相连接的所述衬底层为绝缘介质层。进一步地,所述n型掺杂氧化镓沟道层自下至上包括第一n型掺杂氧化镓沟道层和第二n型掺 ...
【技术保护点】
1.常关型氧化镓场效应晶体管结构,其特征在于,自下至上包括衬底层和n型掺杂氧化镓沟道层,所述n型掺杂氧化镓沟道层上设有源极、漏极和栅极,所述栅极位于所述源极和所述漏极之间,所述栅极下方的所述n型掺杂氧化镓沟道层内设有无电子沟道区。
【技术特征摘要】
1.常关型氧化镓场效应晶体管结构,其特征在于,自下至上包括衬底层和n型掺杂氧化镓沟道层,所述n型掺杂氧化镓沟道层上设有源极、漏极和栅极,所述栅极位于所述源极和所述漏极之间,所述栅极下方的所述n型掺杂氧化镓沟道层内设有无电子沟道区。2.如权利要求1所述的常关型氧化镓场效应晶体管结构,其特征在于,所述无电子沟道区的长度小于等于所述栅极的长度。3.如权利要求1所述的常关型氧化镓场效应晶体管结构,其特征在于,所述无电子沟道区的数量为大于等于1的整数,所述栅极的数量为大于等于1的整数,且所述无电子沟道区均位于所述栅极的下方。4.如权利要求1所述的常关型氧化镓场效应晶体管结构,其特征在于,所述衬底层为至少一层半导体材料、金属材料或者绝缘介质,其中,与所述n型掺杂氧化镓沟道层相连接的所述衬底层为绝缘介质层。5.如权利要求1所述的常关型氧化镓场效应晶体管结构,其特征在于,所述n型掺杂氧化镓沟道层自下至上包括第一n型掺杂氧化镓沟道层和第二n型掺杂氧化镓沟道层,所述第一n型掺杂氧化镓沟道层和所述第二n型掺杂氧化镓...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕元杰,王元刚,周幸叶,谭鑫,宋旭波,梁士雄,冯志红,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:发明
国别省市:河北,13
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。