一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，其中，薄膜晶体管的有源层包括同层设置的第一沟道区域和第二沟道区域，由于第一沟道区域的导电率大于第二沟道区域的导电率，导电率较高的第一沟道区域可以确保驱动电流的大小；并且源电极和漏电极不与第一沟道区域直接接触，设置在源电极或漏电极与第一沟道区域之间的第二沟道区域由于具有较低的导电率，可以降低漏电流的大小，从而提升显示器件的对比度等性能。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
基于薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)的显示器件是目前主流的显示产品，随着智能手机、电视的普及市场需求越来越大。显示器件的阵列基板通常包括多个薄膜晶体管，为了提升显示器件的性能，近年来各大面板厂商都在不断改进薄膜晶体管的材料或结构。薄膜晶体管包括有源层，现有技术中的有源层材料多为非晶硅a-si或多晶硅p-si。然而，有源层为a-si的TFT驱动电流不够大，有源层为p-si的TFT驱动电流够大，但漏电流也比较大，造成显示器件的性能下降。
技术实现思路
本专利技术提供及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，以提升显示器件的性能。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种薄膜晶体管，包括：基板，以及设置在所述基板上的有源层，所述有源层包括第一沟道区域以及同层设置在所述第一沟道区域外围的第二沟道区域；设置在所述第二沟道区域背离所述基板一侧的源电极和漏电极，所述源电极在所述基板上的正投影、所述漏电极在所述基板上的正投影以及所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板，以及设置在所述基板上的有源层，所述有源层包括第一沟道区域以及同层设置在所述第一沟道区域外围的第二沟道区域；设置在所述第二沟道区域背离所述基板一侧的源电极和漏电极，所述源电极在所述基板上的正投影、所述漏电极在所述基板上的正投影以及所述第一沟道区域在所述基板上的正投影之间相互分离；其中，所述第二沟道区域包括半导体区域，所述半导体区域靠近所述第一沟道区域设置，所述第一沟道区域的导电率大于所述半导体区域的导电率。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板，以及设置在所述基板上的有源层，所述有源层包括第一沟道区域以及同层设置在所述第一沟道区域外围的第二沟道区域；设置在所述第二沟道区域背离所述基板一侧的源电极和漏电极，所述源电极在所述基板上的正投影、所述漏电极在所述基板上的正投影以及所述第一沟道区域在所述基板上的正投影之间相互分离；其中，所述第二沟道区域包括半导体区域，所述半导体区域靠近所述第一沟道区域设置，所述第一沟道区域的导电率大于所述半导体区域的导电率。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二沟道区域还包括导通区域，所述半导体区域位于所述导通区域与所述第一沟道区域之间，所述源电极在所述基板上的正投影和所述漏电极在所述基板上的正投影覆盖所述导通区域在所述基板上的正投影。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一沟道区域的材料为多晶硅，所述半导体区域的材料为非晶硅，所述导通区域的材料为n+非晶硅。4.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板包括衬底，设置在所述衬底上的栅极，以及设置在所述栅极和所述衬底上的栅极绝缘层，所述栅极在所述衬底上的正投影分别与所述源电极在所述衬底上的正投影以及所述漏电极在所述衬底上的正投影交叠。5.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管。6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求5所述的阵列基板。7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成有源层，所述有源层包括第一沟道区域以及同层设置在所述第一沟道区...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，许晨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11