A field effect transistor capable of reducing noise, fabricating by a simplified manufacturing method and having multiple active patterns and gate patterns designed for detection purposes, a biosensor including the field effect transistor, a method for fabricating the field effect transistor and a method for fabricating the biosensor are provided. The field effect transistor includes: a lower silicon layer and a buried oxide layer arranged on the lower silicon layer; an active pattern, which is arranged on the buried oxide layer and includes a channel area, a source area and a drain area; a gate pattern, which is arranged on the active pattern to overlap at least partially with the active pattern; a source and a drain pole, which are arranged in direct contact with the source area located on the active pattern; The drain is arranged in direct contact with the drain area located on the active pattern, and the gate insulation film is arranged between the active pattern and the gate pattern.
【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管、生物传感器及其制造方法
本专利技术涉及一种场效应晶体管、包括该场效应晶体管的生物传感器、制造该场效应晶体管的方法以及制造该生物传感器的方法，更具体地，涉及一种可减小噪声、具有简化的制造方法并且还具有根据检测目的而被设计为可组合的多个有源图案和多个栅极图案的场效应晶体管、包括该场效应晶体管的生物传感器、制造该场效应晶体管的方法以及制造该生物传感器的方法。
技术介绍
离子敏感场效应晶体管(ISFET)是一种能够灵敏地检测源自生物样品和分析物之间的相互作用的信号并将该信号准确地转换为电信号的电化学传感器。直到现在，由于基于碳纳米管(CNT)、石墨烯或纳米线(NW)的ISFET具有诸如快速检测时间、低制造成本、高可靠性、可无标记检测、多检测性和便携性的期望的特性，因此基于碳纳米管(CNT)、石墨烯或纳米线(NW)的ISFET已经作为用于快速且容易的定期医学检查的诊断装置(或生物传感器)而引起关注。然而，由于ISFET在单栅操作模式下驱动并且它们的灵敏度仅由传感膜的表面电位的改变决定，因此它们的临床应用已经仅限于pH传感器。为了解决这个问题，Mark-JanS...
【技术保护点】
1.一种场效应晶体管，包括：下硅层和设置在所述下硅层上的埋设氧化物层；有源图案，设置在所述埋设氧化物层上，并包括沟道区、源极区和漏极区；栅极图案，设置在所述有源图案上以与所述有源图案至少部分地叠置；源极和漏极，所述源极设置为与位于所述有源图案上的所述源极区直接接触，所述漏极设置为与位于所述有源图案上的所述漏极区直接接触；以及栅极绝缘膜，设置在所述有源图案和所述栅极图案之间。
【技术特征摘要】
2017.06.16 KR 10-2017-00767831.一种场效应晶体管，包括：下硅层和设置在所述下硅层上的埋设氧化物层；有源图案，设置在所述埋设氧化物层上，并包括沟道区、源极区和漏极区；栅极图案，设置在所述有源图案上以与所述有源图案至少部分地叠置；源极和漏极，所述源极设置为与位于所述有源图案上的所述源极区直接接触，所述漏极设置为与位于所述有源图案上的所述漏极区直接接触；以及栅极绝缘膜，设置在所述有源图案和所述栅极图案之间。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述栅极绝缘膜的侧表面和所述栅极图案的侧表面共面。3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述沟道区具有连接所述源极区和所述漏极区的桥部，所述桥部具有20μm至70μm的宽度。4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其中，所述沟道区包括多个所述桥部。5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述源极和所述漏极包括TiN。6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其中，所述源极和所述漏极中的每个通过顺序地堆叠包括Ti的第一层、包括TiN的第二层、包括Al的第三层和包括TiN的第四层而形成。7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述有源图案具有30nm至100nm的厚度。8.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述栅极绝缘膜具有10nm至20nm的厚度。9.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述栅极图案包括：第一栅极区域，设置在所述有源图案的一侧处；以及第二栅极区域，从所述第一栅极区域延伸到所述有源图案以与所述沟道区至少部分地叠置，所述第二栅极区域具有5μm至30μm的宽度。10.一种生物传感器，包括：电化学感测单元，被配置为检测样品中的分析物；以及根据权利要求1至9中任一项所述的场效应晶体管，电连接到所述电化学感测单元并被配置为放大由所述电化学感测单元产生的信号。11.一种制造场效应晶体管的方法，所述方法包括：制备硅基板，所述硅基板包括下硅层、设置在所述下硅层上...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宽熙，全珉弘，李锡，金尚庆，朴性旭，
申请(专利权)人：韩国科学技术研究院，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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