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本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，其中，薄膜晶体管的有源层包括同层设置的第一沟道区域和第二沟道区域，由于第一沟道区域的导电率大于第二沟道区域的导电率，导电率较高的第一沟道区域可以确保驱动电流的大小；并且源电极和漏电...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司授权不得商用。