一种功率模组加工方法及功率模组技术

本发明专利技术公开一种功率模组加工方法，用于封装至少具有第一芯片以及第二芯片的功率模组，第一芯片设置在MIS基板上，第二芯片设置在引线框架上，MIS基板与引线框架电连接并将MIS基板、第一芯片、引线框架和第二芯片用塑封材料封装。MIS基板金属布线线宽线距更小，因此可以实现更密集的金属布线，缩小封装尺寸，而在相同基板尺寸的情况下，MIS基板布线所占空间更小，相对于采用PCB可增加60％‑80％空间，其上节省的空间可增添NTC热感测元件、CL滤波用电感等其它功能元件。MIS基板用塑封材料与功率模组用塑封材料采用相近物理、化学性质的物质，两者间几乎无热应力产生，界面结合力强，可以避免应力集中造成的分层现象。

A Machining Method of Power Module and Power Module

The invention discloses a power module processing method for encapsulating power modules having at least a first chip and a second chip. The first chip is arranged on the MIS substrate, the second chip is arranged on the lead frame, the MIS substrate is electrically connected with the lead frame, and the MIS substrate, the first chip, the lead frame and the second chip are encapsulated with plastic packaging materials. The width and distance of metal wiring on MIS substrates are smaller, so more intensive metal wiring can be realized and the package size can be reduced. In the case of the same substrate size, the space occupied by MIS substrates wiring is smaller. Compared with PCB, the space saved on the substrates wiring can increase by 60%-80%. The space saved on the substrates can increase NTC thermal sensor, CL filter inductance and other functional components. Plastic sealing materials for MIS substrates and power modules are similar in physical and chemical properties. There is almost no thermal stress between them, and the interface bonding force is strong, which can avoid the delamination phenomenon caused by stress concentration.

【技术实现步骤摘要】
一种功率模组加工方法及功率模组
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种功率模组加工方法及采用该方法加工形成的功率模组。
技术介绍
功率模块是功率电力电子器件按一定的功能组合再灌封成一个模块。智能功率模块是以IGBT为内核的先进混合集成功率部件，由高速低功耗管芯(IGBT)和优化的门极驱动电路，以及快速保护电路构成。IPM内的IGBT管芯都选用高速型的，而且驱动电路紧靠IGBT，驱动延时小，所以IPM开关速度快，损耗小。IPM内部集成了能连续检测IGBT电流和温度的实时检测电路，当发生严重过载甚至直接短路以及温度过热时，IGBT将被有控制地软关断，同时发出故障信号。此外IPM还具有桥臂对管互锁、驱动电源欠压保护等功能。尽管IPM价格高一些，但由于集成的驱动、保护功能使IPM与单纯的IGBT相比具有结构紧凑、可靠性高、易于使用等优点。基于上述优点，智能功率模块得到广泛应用，但是现有智能功率模块产品空间利用率低，难以满足电子产品小型化的市场要求。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于：提供一种功率模组加工方法及采用该方法加工而成的功率模组，其能够提高功率模组的空间利用率。为达上述目的，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率模组加工方法，用于封装至少具有第一芯片以及第二芯片的功率模组，其特征在于，所述第一芯片设置在MIS基板上，所述第二芯片设置在引线框架上，所述MIS基板与所述引线框架电连接并将所述MIS基板、所述第一芯片、所述引线框架和所述第二芯片用塑封材料封装。

【技术特征摘要】
1.一种功率模组加工方法，用于封装至少具有第一芯片以及第二芯片的功率模组，其特征在于，所述第一芯片设置在MIS基板上，所述第二芯片设置在引线框架上，所述MIS基板与所述引线框架电连接并将所述MIS基板、所述第一芯片、所述引线框架和所述第二芯片用塑封材料封装。2.根据权利要求1所述的功率模组加工方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1、第一芯片焊接，提供MIS基板，于所述MIS基板上设置所述第一芯片；步骤S2、第二芯片焊接，提供引线框架，于所述引线框架上设置所述第二芯片；步骤S3、打线，通过导线连接相关电子元器件；步骤S4、封装，将上述结构封装于塑封材料中。3.根据权利要求1或2所述的功率模组加工方法，其特征在于，所述第一芯片为驱动集成电路，所述第二芯片为绝缘栅双极型晶体管和/或金属-氧化物半导体场效应晶体管。4.根据权利要求2所述的功率模组加工方法，其特征在于，步骤S1中所述提供MIS基板具体包括以下步骤：基材处理-光刻、一级电镀-塑封-窗口蚀刻-二级电镀。5.根据权利要求4所述的功率模...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊尧，王琇如，胡智裕，林昆贤，史哲豪，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44