基于周期性光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于周期性光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器，包括具有周期性光栅化栅漏极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET、低噪声前置放大器和电压反馈回路；金属栅MOSFET的栅极和漏极均用于接收太赫兹信号，金属栅MOSFET的栅极经一号偏置电阻连接一号偏置电压源，金属栅MOSFET的源极和低噪声前置放大器的正向输入端之间连接有一号隔直电容；所述低噪声前置放大器的正向输入端经二号偏置电阻连接二号偏置电压源；电压反馈回路包括反馈电阻、接地电阻、二号隔直电容和三号隔直电容。本发明专利技术通过调节栅漏极的光栅化结构参数来实现THz响应波段范围的调节，从而提高探测器的探测灵敏度，实现窄带太赫兹探测。

【技术实现步骤摘要】
基于周期性光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器
本专利技术涉及太赫兹探测器
，更具体的说，是涉及一种基于周期性光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器。
技术介绍
太赫兹波是电磁波谱上介于微波与红外光之间的电磁波，其频率在0.1～10THz左右，波长对应3mm～30μm。太赫兹技术是目前信息科学技术研究的前沿与热点领域之一，近几年来，受到世界各国研究机构的广泛关注。美、日、欧等发达国家先后将太赫兹技术评定为“改变未来世界的十大技术”和“国家支柱技术十大重点战略目标”，投入巨资来夯实在太赫兹领域的国际地位。太赫兹具备广泛的应用前景，在天体物理学、材料科学、生物医学、环境科学、光谱与成像技术、信息科学技术等领域有着广泛的技术应用。太赫兹技术能够显著提升我国在航空航天、空间通信、生物医疗、甚至是食品检测等方面的实力。而作为太赫兹应用基础的太赫兹探测器是太赫兹安防、检测的关键部件。在太赫兹频段由于任何导体引线都会带来极其严重的寄生效应，使得绝大多数基于III-V/II-VI族工艺的探测器性能难以控制，甚至出现不工作的情况，从而制约了这类太赫兹探测器的实用化。发展基于CMOS兼容工艺的室温太本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于周期性光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器，其特征在于，包括具有周期性光栅化栅漏极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET(Q1)、低噪声前置放大器(Q2)和电压反馈回路；所述金属栅MOSFET(Q1)的栅极和漏极均用于接收太赫兹信号，所述金属栅MOSFET(Q1)的栅极经一号偏置电阻(Rb1)连接一号偏置电压源(Vb1)，所述金属栅MOSFET(Q1)的源极和低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端之间连接有一号隔直电容(C1)；所述低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端经二号偏置电阻(Rb2)连接二号偏置电压源(Vb2)；所述电压反馈回路包括反馈电阻(Rf)、接地电阻(Rg)、二号隔...

【技术特征摘要】
1.一种基于周期性光栅化栅漏极MOSFET太赫兹探测器，其特征在于，包括具有周期性光栅化栅漏极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET(Q1)、低噪声前置放大器(Q2)和电压反馈回路；所述金属栅MOSFET(Q1)的栅极和漏极均用于接收太赫兹信号，所述金属栅MOSFET(Q1)的栅极经一号偏置电阻(Rb1)连接一号偏置电压源(Vb1)，所述金属栅MOSFET(Q1)的源极和低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端之间连接有一号隔直电容(C1)；所述低噪声前置放大器(Q2)的正向输入端经二号偏置电阻(Rb2)连接二号偏置电压源(Vb2)；所述电压反馈回路包括反馈电阻(Rf)、接地电阻(Rg)、二号隔直电容(C2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：马建国，周绍华，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津,12